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Optical Parameters and Absorption of Azo Dye and Its Metal-Substituted Compound Thin Films 下载免费PDF全文
We determine the complex refractive indices N(N= n-ik), dielectric constants ε(ε=ε1 - iε2), and absorption coefficients a of a new azo dye [2-(6-methyl-2-benzothlazolyazo)-5-diethylaminophenol(MBADP)]-doped polymer and its nickel- and zinc-substituted compounds(Ni-MBADP and Zn-MBADP) spin-coated thin films from a scan-ning ellipsometer in the wavelength 400-700 nm region. Metal chelation strongly (about one times) enhances the optical and dielectric parameters at the peaks and results in a large bathochromic shift (50-60nm) of absorption band. Bathochromic shift of Ni-MBADP is about 1Ohm larger than that of Zn-MBADP due to different spatialconfigurations formed in the metal-azo complexes. 相似文献
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Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor 下载免费PDF全文
In this paper, Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} phase change semiconductor films have been prepared by dc sputtering. The crystallization behaviour of amorphous Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} thin films was investigated by using differential scanning calorimetry and x-ray diffraction. It was found that the crystallization temperature is about 483K and the melting temperature is 754.8K and the activation energy for crystallization, E_a, is 2.07eV. The crystalline Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films were obtained using initializer. The initialization conditions have a great effect on the sheet resistance of Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films. We found that the effect of the initialization condition on the sheet resistance can be ascribed to the crystallinity of Ag_{11}In_{12}Te_{26}Sb_{51} films. The sheet resistance of the amorphous (R_{amo}) film is found to be larger than 1×10^6Ω and that of the crystalline (R_{cry}) film lies in the range from about 10^3 to 10^4Ω. So we have the ratio R_{amo}/R_{cry}=10^2~10^3, which is sufficiently large for application in memory devices. 相似文献
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Sb掺和对TeOx薄膜光学和静态记录特性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
以真空蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeOx:Sb单层薄膜,对薄膜的结构、光学和静态记录特性进行了研究.结果表明,Sb掺和后TeOx薄膜的结构、反射光谱和光学常量均发生了明显变化.TeOx:Sb薄膜具有良好的写入灵敏性并具有了一定的可擦除性能,该类薄膜有望作为可擦除光存储介质. 相似文献
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TCNQ脂类衍生物及其铜复合物的合成与红外光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次合成了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷的脂类衍生物: TCNQ(C2H4COOR)2(R=CH3, C2H5, C3H7)及其铜电子转移复合物。通过元素分析确定这些化合物的组成, 对这些化合成物在4 000~400 cm-1范围内的主要红外光谱吸收峰进行了归属,并讨论了取代基对TCNQ类衍生物红外光谱的影响及其规律。 相似文献
109.
本文进行了Yb3+∶FAP与Yb3+∶YAG的对比分析,指出了在激光核聚变领域中Yb3+∶FAP是很有希望的增益介质,针对Yb3+∶FAP吸收光谱宽度很小(4nm)对泵浦源要求苛刻,采用Yb3+∶CS-FAP即以部分Sr2+代替Ca2+造成Yb3+周围环境多样性增加、增加谱宽.参考分析了Ca3(PO4)2-CaF2体系的相图,推测出生长CS-FAP晶体的配料区间,给出了生长晶体的原料制备方法,采用氮气流动、白宝石片封闭保温罩的观察孔和观察窗上贴石英片相结合有效地缓解了在晶体生长过程中组分挥发、开裂、以及氟化物腐蚀窗口等一系列问题.生长工艺参数为:提拉速度1~3mm/h,旋转速度10~20r/min,在流量为20ml/min的流动N2中生长,采用尺寸为60×40mm的Ir坩埚进行生长,线圈尺寸为内径130mm×130mm×8圈,外径155mm×95mm×6圈.得到了尺寸为10mm×20mm的高质量晶体.用X射线粉末衍射分析证明所生长的晶体结构正确. 相似文献
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