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891.
892.
The mixed-quadriligand bismuth complex [Bi(S2CNEt2)2(NO3)]([1,10-Phen] has been synthesized, and its crystal structure was determined by X-ray single-crystal diffraction. The crystal belongs to monoclinic, space group P21/n with a = 10.074(17), b = 15.05(2), c = 18.99(3)(°A), β = 98.85(3)o, V = 2845(8)(°A)3, Z = 4, F(000) = 1464, Dc = 1.746 g/cm3, μ = 6.523 mm-1, R = 0.0333 and wR = 0.0703. In this complex, the bismuth atom is eight-coordinated in a capped distorted pentagonal bipyramidal geometry. 相似文献
893.
利用二丁基氧化锡与N,N-二甲基氨荒酸基乙酸以及N,N-二乙基氨荒酸基乙酸反应,合成了二聚体有机锡化合物{[n-Bu2Sn(O2CCH2CS2NMe2)]2O}2 (1)和{[n-Bu2Sn(O2CCH2CS2NEt2)]2O}2 (2).通过元素分析,红外光谱及核磁共振谱对它们进行了表征.并用X射线单晶衍射法测定了这两个化合物的晶体结构,结果表明1为单斜晶系,C2/m空间群,晶胞参数为a=1.3584(5) nm, b=1.9242(7) nm, c=1.4640(5) nm, β=102.505(5)°, Z=2, V=3.736(2) nm3, μ=1.490 g/cm3, F(000)=1704, R1=0.0492, wR2=0.1159. 2为三斜晶系,P1-空间群,晶胞参数为a=1.1960(14) nm, b=1.3612(16) nm, c=1.3684(16) nm, α=90.969(18)°, β=105.241(17)°, γ=103.954(16)°, Z=1, V=2.078(4) nm3, μ=1.429 g/cm3, F(000)=916, R1=0.0459, wR2=0.0957.它们都是以Sn2O2四元环为中心对称的二聚体结构.但锡原子的配位方式不同,在1中,内外环锡原子均为五配位的畸变三角双锥构型;而在2中,内环锡原子为五配位的畸变三角双锥构型,而外环锡原子为六配位的加帽三角双锥构型. 相似文献
894.
895.
利用改进的Hummers法氧化鳞片石墨,获得富含羟基和羧基的氧化石墨烯量子点(GOQDs)。通过透射电子显微镜、X射线衍射、红外光谱及拉曼光谱测试表征其理化性质。此外,利用鸡卵清蛋白(OVA)作为模式抗原,构筑GOQDs/OVA纳米疫苗并评估其载量、安全性、免疫效力等。结果显示,GOQDs/OVA纳米疫苗直径在5nm左右,具有高度的水分散性和稳定性。其对OVA的最大负载量约为 500mg·g-1,在pH=5.5和7.4环境下24 h的释放率分别为74.65%和56.93%,表现出pH刺激响应释放性能。当GOQDs浓度在500μg·mL-1以下时,不会引起溶血、细胞损伤、重要组织发生病变等现象。免疫后,与 OVA单独免疫对照组相比,GOQDs/OVA纳米疫苗可以诱导产生高水平的免疫球蛋白G(IgG)、免疫球蛋白G1(IgG1)及免疫球蛋白G2a(IgG2a)抗体,提高白细胞介素(IL)-1β、IL-2、IL-4和IL-6、肿瘤坏死因子-α(TNF-α)和γ干扰素(IFN-γ)的分泌,同时促进脾中辅助性(CD4+)和细胞毒性(CD8+)T淋巴细胞百分比的增加。 相似文献
896.
897.
由于分子尺寸小、可化学合成、与生物组织兼容等显著优点,以有机小分子为核心的单分子器件引起了人们的广泛关注,单分子器件有望成为硅基电子器件的一个重要的互补发展方向。已报道构筑单分子电子回路的大部分方法程序繁琐,且无法在平面基底上实时调控电极间的间距。这项工作采用机械切割结合电化学腐蚀的方法来制作纳米电极,通过控制施加在阴极和阳极之间的电压,并实时监测通过被腐蚀的金线的电流的大小,可以获得针尖状与分子大小匹配的纳米电极。进一步利用热胀冷缩的原理,采用比金的热膨胀系数小很多的材料作为基底,实现了环境温度对电极间距离的调控,即通过改变环境温度实现了可重复操作的电极间的连接及断开。在此温控基础之上,进一步实现了利用光强更为地精密调控电极间的距离,调控的精度可以达到原子级别。实验结果表明,我们制作的温控/光控片上纳米电极无需借助高精尖仪器,就可以实现对电极之间的距离的精密控制,其平面基底构型,为单分子电子器件的研究提供了有助于片上器件集成的新方法。 相似文献
898.
899.
在旋波、慢变振幅近似下,求解考虑了驱动场相位扩散后的系统密度矩阵运动方程,并给出了这个三能级梯型系统稳态线性解析解.利用得到的稳态线性解析解分析驱动场相位扩散是如何影响该系统输出无反转激光的.对稳态线性解析解数值计算的结果显示:由于驱动场相位扩散会导致无反转激光增益减小;即使由于驱动场相位扩散引起的线宽足够大,在该系统中仍能够获得无反转激光;线宽往往是破坏无反转激光产生和折射率的提高;因驱动场相位扩散导致无反转激光增益的减小,并不是总能够通过增大驱动场的Rabi频率得到补偿. 相似文献
900.