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121.
趣味的建筑物理学   总被引:1,自引:1,他引:1  
  相似文献   
122.
磁场对重电子金属CeCu6-xNix低温电阻的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
测量了重电子金属CeCu6-xNix(x=0,0.5,0.1),在1.8k-300k温度范围的电阻及磁场对电阻的影响(H=0,5T,10T),实验表明样品电阻的极大值对应的温度Tmax随着掺Ni含量的增大向温度降低的方向移动,而加磁场后Tmax随磁场的增加向高温方向移动,中从Kondo相互作用和相干散射的角度对这一现象的物理机制进行了分析.  相似文献   
123.
本文研究了 9种有机小分子存在下两种萘酚在 β CD超分子体系中的离解常数 (Kc)及不同有机小分子与 β CD、两种萘酚的相互作用。实验表明 :小分子的加入可有效改变 β CD空腔的极性。对 1 萘酚而言 ,KC 随乙腈、甲醇、乙醇、丁酮加入而减小 ;对 2 萘酚而言 ,KC 则随丁酮、乙腈、丙酮、乙二醇、正丁醇、甲醇的加入而增大。有机小分子与萘酚 / β CD包合物的作用机理可从形成氢键和溶剂效应得到合理的解释。  相似文献   
124.
脉冲管制冷机与超导量子干涉仪耦合进行微弱磁场测量是脉冲管制冷机的一个主要应用方向。本文系统分析了脉冲管制冷机的主要干扰源并给出其相应的解决办法,并据此设计制造了一台无磁低振微型同轴脉冲管制冷机。以实现同轴脉冲管制冷机的低振动、低电磁干扰化,并最终实现利用脉冲管制冷机有效冷却包括高温超导量子干涉仪在内的对电磁干扰要求极严格的高温超导器件。  相似文献   
125.
林维德  刘宪周 《光学学报》2003,23(8):93-996
研究了在均匀分层介质中构成标准矢量波函数的必要条件。研究结果表明在均匀分层介质中构成标准矢量波函数一般需遵循Morse-Feshbach判据外,领示矢量只能选取与折射率变化方向一致的那根坐标轴单位矢量。但在某些特定的条件下,对领示矢量的选取条件可以放宽为只需遵循Morse-Feshbach判据即可。  相似文献   
126.
基于传输矩阵理论,针对端面抽运的z型折叠腔Nd∶YVO4固体激光器的谐振腔设计进行了数值模拟,详细分析了腔内各参量对谐振腔稳定性的影响.由模拟结果推断,z型腔激光器具有两个稳区,并且稳区的范围可通过谐振腔各分臂的臂长来调节.利用相同的光学元件在不同的稳区范围设计了两种热稳腔,指出了长短腔型各自的利弊.实验考察了输出功率随腔长改变的变化情况,在不同腔长下的不同稳区分别获得了稳定的1 342 nm激光输出,谐振腔稳区范围的变化规律与理论计算基本符合.  相似文献   
127.
云南青铜防腐显微拉曼光谱和EPMA研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用显微激光拉曼光谱和EPMA(电子探针技术),对云南的四件青铜器(两件春秋时期的青铜矛和两面元代的青铜镜)的腐蚀情形和防腐技术进行了分析研究。拉曼实验结果表明,云南青铜器表面腐蚀产物的主要成分有Cu2O和CuCO3.Cu(OH)2。利用电子探针技术,确定了青铜器内部和表面的元素成分。本文初步分析了云南四件青铜器防腐技术的应用和发展,春秋战国时期,人们在青铜矛表面涂上一层锡的氧化物涂层以防腐蚀;元代的人则采用合金表面处理技术防腐。事实证明,锡的氧化物涂层的防腐效果最好。对金属文物的研究,显微激光拉曼光谱是一种原位无损检测的有效方法,但还是有某些局限性,若配合以电子探针等测试方法,可以达到更好的效果。  相似文献   
128.
亚微米光栅型导光板设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
叶燕  浦东林  陈林森 《光子学报》2008,37(2):234-237
提出了利用亚微米光栅制作导光板的方法,给出亚微米光栅型导光板的初始结构.用严格耦合波理论计算分析了在满足基底全反射条件的45°入射角下红(700 nm)、绿(555 nm)、蓝(465 nm)三色光垂直出射的亚微米光栅(0.651μm、0.516μm、0.433μm)在槽深0.05~0.9μm之间变化时,透射衍射效率在2%~43%之间变化.分析了亚微米光栅的作用,做出性能评价,并研究了特定范围入射角引起的衍射角变化.  相似文献   
129.
130.
MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究   总被引:2,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设,推导了金属-氧化物-半导体-场效应晶体管(MOSFET)经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式.利用初始1/f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系,建立了辐照前的1/f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式,并通过实验予以验证.研究结果表明,由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中,从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量,因此辐照前的1/f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量.研究结果为1/f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具,对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型.  相似文献   
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