3C-SiC的结构和热力学性质

利用第一性原理平面波模守恒赝势密度泛函理论研究了3C-SiC的结构, 其零温(0 K)零压下的晶格常数、体弹模量及其对压强的一阶导数、弹性常数的计算结果与实验值和其它理论计算结果相符合. 通过准谐德拜模型, 得到了不同温度不同压强下的热容和德拜温度, 发现热容随着压强增加而减小, 德拜温度随压强增加而增加, 并成功地获得了相对晶格常数、相对体积、体弹模量、热膨胀系数与温度和压强的关系.     

四氰基乙烯-四甲基乙烯体系光诱导电子转移双势阱的从头算研 究

以两态模型为基础,用从头算方法,在DZP[所有原子带极化函数的Dunning(9s,5p)/(3s,2p)]基组水平上对四氰基乙烯与四甲基乙烯间的电子转移进行理论计算。通过孤立给体和受体的几何构型优化,计算了给体的电离能和受体的电子亲和能。计算表明,在光诱导电荷分离之后的返回电子转移处于高放热的Marcus反转区。通过碰撞配合物的结构优化和电荷分离处理,在线性反应坐标近似下得到四甲基乙烯-四氰基乙烯配合物电荷分离反应的双势阱,进而获得反应热,键重组能,以及跃迁能。