(Gd1-xErx)2Zr2O7红外发射率对高温导热性能的影响规律研究EI北大核心CSCD

采用固相合成法制备Er2O3掺杂(Gd1-xErx)2Zr2O7(x=0,0.1,0.2)陶瓷材料，利用X射线衍射仪、激光导热仪以及傅里叶变换红外光谱仪对陶瓷材料的物相结构、热导率及高温红外发射率分别表征并对结果进行分析。结果表明，在Rad+pc模型中(Gd1-xErx)2Zr2O7陶瓷试样的热导率随掺杂量先降低后升高，总体上，Er3+的掺杂降低了Gd2Zr2O7的热导率，而Cape+pc模型中(Gd1-xErx)2Zr2O7陶瓷试样热导率首先随温度升高而逐渐降低，800℃出现拐点随温度呈增大趋势。随Er2O3掺杂量的增加，(Gd1-xErx)2Zr2O7陶瓷试样1100℃红外发射率(3～5μm)与光子热导率具有相同变化趋势，发射率的降低导致了热导率测试值的增大，这一现象与材料晶格振动相关。     

基于现实场景导入的高分子通识课程建设

为了培养符合新时代需求的高素质拔尖人才，打造一流的高分子通识课程，本文分析了传统高分子通识课程教学中存在的痛点问题，从教学内容、授课方式和考核方式等方面提出改革思路，并在《高分子与人类生活》教学实践过程中重构适合跨专业学生的课程框架，搭建现实场景导入的知识模块，探索现实场景导入的“探究式-小班化”教学方法，推进以现实场景为基础的全过程考核，实现了良好的教学效果。该教学改革思路可以推广到其他专业的通识课程和公共课程建设。     

Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2正极材料的Ga2O3包覆改性及电化学性能

首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料 Li_1.2Mn_0.54Ni_0.13Co_0.13O₂原始样品(P-LRMO), 然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量 Ga₂O₃原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及 X射线光电子能谱(XPS)结果表明在 P-LRMO表面成功合成了 Ga₂O₃包覆层。电化学测试结果表明:含有 3 %Ga₂O₃的改性材料 G3-LRMO具有最优的电化学性能, 其在 0.1C倍率(电流密度为 25 mA·g^-1)下首圈充放电比容量可以达到 270.1 mAh·g^-1, 在 5C倍率下容量仍能保持 127.4 mAh·g^-1, 优于未改性材料的 90.7 mAh·g^-1, 表现出优异的倍率性能。G3-LRMO在 1C倍率下循环 200圈后仍有 190.7 mAh·g^-1的容量, 容量保持率由未改性前的 72.9 %提升至 85.6 %, 证明 Ga₂O₃包覆改性能有效提升富锂锰基材料的循环稳定性。并且, G3-LRMO在 1C倍率下循环 100圈后, 电荷转移阻抗(R_ct)为 107.7 Ω, 远低于未改性材料的 251.5 Ω, 表明 Ga₂O₃包覆层能提高材料的电子传输速率。