白光LED用LiSrBO3∶Sm3+材料的光谱特性

采用固相法制备了一种新型的白光LED用LiSrBO₃∶Sm³⁺红色发光材料,并研究了材料的光谱特性.材料的激发与发射光谱显示其能够被404 nm近紫外光激发,发射599 nm红光,很好的符合近紫外光激发下白光LED的需要.研究了Sm³⁺浓度对材料发射强度的影响,发现Sm³⁺浓度为3 mol%时,强度最大.添加Na⁺或K⁺也可提高LiSrBO₃∶Sm³⁺材料的发射强度.     

基于反射和透射光谱的氢化非晶硅薄膜厚度及光学常量计算

采用紫外-可见透射光谱仪测量了对靶磁控溅射沉积法制备的氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜的透射光谱和反射光谱.利用T/(1-R)方法来确定薄膜的吸收系数,进而得到薄膜的消光系数|通过拟合薄膜透射光谱干涉极大值和极小值的包络线来确定薄膜折射率和厚度的初始值,并利用干涉极值公式进一步优化薄膜的厚度值和折射率|利用柯西公式对得到的薄膜折射率进行拟合,给出了a-Si:H薄膜的色散关系曲线.为了验证该方法确定的薄膜厚度和光学常量的可靠性,将理论计算得到的透射光谱与实验数据进行了比较,结果显示两条曲线基本重合,可见这是确定a-Si:H薄膜厚度及光学常量的一种有效方法.     

不同浓度Er掺杂Si纳米晶粒电子结构和光学性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同浓度Er掺杂Si纳米晶粒的结构稳定性、电子和光学性质进行了研究.结果表明: Si纳米晶粒中Er掺杂浓度越低,结构越稳定;Er掺杂后的Si纳米晶粒引入了杂质能级,导致禁带宽度变窄;掺杂后的Si纳米晶粒在低能区出现了一个较强的吸收峰,随着浓度的降低,吸收峰峰值逐渐减小,甚至消失. 这为Si基发光材料的设计提供了理论依据. 关键词： Si纳米晶粒 掺杂 电子结构 光学性质     

光扇效应对Ce∶KNSBN记录偏振组态的影响

在非同时读出条件下,采用Ar+ 514.5 nm单色激光为光源。以信号光为非寻常偏振光(e光),通过改变抽运光的偏振态,研究不同写入光偏振组态下Ce∶KNSBN晶体的两波耦合特性。结果表明     

卤化银微晶中光电子衰减谱的特性

光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用 ,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构。采用光学与微波双共振技术 ,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱 ,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布。以自由光电子寿命为纽带 ,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况 ,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度。     

泵浦光调制对Ce:KNSBN光折变晶体全息存储质量的改善

实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声,Ce:KNSBN晶体体全息存储再现图像质量得到明显改善.     

白光LED用LiSrBO_3∶Sm~(3+)材料的光谱特性(英文)

采用固相法制备了一种新型的白光LED用LiSrBO3∶Sm3+红色发光材料,并研究了材料的光谱特性.材料的激发与发射光谱显示其能够被404nm近紫外光激发,发射599nm红光,很好的符合近紫外光激发下白光LED的需要.研究了Sm3+浓度对材料发射强度的影响,发现Sm3+浓度为3mol%时,强度最大.添加Na+或K+也可提高LiSrBO3∶Sm3+材料的发射强度.     

Laser-induced voltage effects in Ca3Co4O9 thin films on tilted LaAlO3（001） substrates grown by chemical solution deposition

Laser-induced voltage effects in c-axis oriented Ca3Co4O9 thin films have been studied with samples fabricated on 10 tilted LaAlO3(001) substrates by a simple chemical solution deposition method. An open-circuit voltage with a rise time of about 10 ns and full width at half maximum of about 28 ns is detected when the film surface is irradiated by a 308-nm laser pulse with a duration of 25 ns. Besides, open-circuit voltage signals are also observed when the film surface is irradiated separately by the laser pulses of 532 nm and 1064 nm. The results indicate that Ca3Co4O9 thin films have a great potential application in the wide range photodetctor from the ultraviolet to near infrared regions.