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131.
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小;在同一位置,引入气流比不引入气流晶粒尺寸小,面密度大;在3.0~3.5 cm处,不引入气流时的样品不再有纳米Si晶粒,而引入气流的还存在纳米Si晶粒. 相似文献
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133.
Structural and band tail state photoluminescence properties of amorphous SiC films with different amounts of carbon
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Amorphous silicon carbide films are deposited by the plasma enhanced chemical vapour deposition technique,and optical emissions from the near-infrared to the visible are obtained.The optical band gap of the films increases from 1.91 eV to 2.92 eV by increasing the carbon content,and the photoluminescence(PL) peak shifts from 1.51 eV to 2.16 eV.The band tail state PL mechanism is confirmed by analysing the optical band gap,PL intensity,the Stocks shift of the PL,and the Urbach energy of the film.The PL decay times of the samples are in the nanosecond scale,and the dependence of the PL lifetime on the emission energy also supports that the optical emission is related to the radiative recombination in the band tail state. 相似文献
134.
This paper develops the Hirota method carefully for applying into the growing model of quasi-one-dimensional Bose—Einstein condensations with attractive and repulsive interaction, respectively. After a tedious calculation it obtains the exact bright and dark soliton solutions analytically.
It shows that the growing model has the important effect on the soliton amplitude and the time-dependent potential only contributes to the phase and phase velocity. A detailed analysis for the asymptotic behaviour of two-soliton solutions shows that the collision of two soliton is elastic. 相似文献
135.
136.
137.
138.
The influence of trapping centres on the photoelectron decay in silver halide 总被引:3,自引:0,他引:3
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Photoelectron is the foundation of latent image formation, the decay process of photoelectrons is influenced by all kinds of trapping centres in silver halide. By analysing the mechanism of latent image formation it is found that electron trap, hole trap, and one kind of recombination centre where free electron and trapped hole recombine are the main trapping centres in silver halide. Different trapping centres have different influences on the photoelectron behaviour. The effects of all kinds of typical trapping centres on the decay of photoelectrons are systematically investigated by solving the photoelectron decay kinetic equations. The results are in agreement with those obtained in the microwave absorption dielectric spectrum experiment. 相似文献
139.
脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光 总被引:3,自引:0,他引:3
采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc-SiC),并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为300~600 nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc-SiC薄膜398 nm附近的发光峰相对强度增加,而470 nm附近发光峰相对减小。根据nc-SiC薄膜的结构特性变化, 认为这两个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。 相似文献
140.
提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索 总被引:3,自引:1,他引:2
本文中,我们以SiO2介质镶嵌的纳米晶Si薄膜(nc-Si/SiO2)作为基质,将稀土离子Er掺入其中所形成的nc-Si:Er3+/SiO2薄膜材料为主,介绍了nc-Si→Er3+之间的能量转移过程,探讨了实现各类掺Er的Si基纳米材料高效率发光的可能途径.这些方法主要包括:增强nc-Si→Er3+的能转移效率,提高有效Er的掺杂浓度,选择最佳的退火温度,增加Er-O发光复合体的浓度和制备新的Er掺杂Si基纳米结构等.这些方法对制备具有高发光效率的掺铒硅基纳米材料具有重要的实际意义. 相似文献