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晶体生长基元与晶体结晶习性 总被引:7,自引:0,他引:7
本文从结晶化学角度出发,结合晶体生长实际研究了AO2、A2O3和ABO3型晶体中AO6八面体的结晶方位和晶体方位和晶体结晶形貌之间的关系,通过BBO、LBO高温溶液结构的测定和对水热条件下SiO2和BTO溶液结构的分析,运用负离子配位多面体生长基元的理论模型解释了晶体的生长形态。 相似文献
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本文从晶体结构入手研究了水晶的结晶习性与生长时物理、化学条件之间的关系,提出三方偏方面体单形在水晶生长过程中具有重要作用的论点。通过对水晶结晶习性的剖析,使表面结构与内部结构得到由表及里的联系。从籽晶取向(z切,y棒,x棒与z轴相交55°切型等)研究了三方偏方面体结晶习性与晶体缺陷之间的关系。结果表明:人工水晶中的缺陷主要是三方偏方面体晶面的生长痕迹,称之为“子面缺陷”;在y棒和x棒晶体中还有各族晶面之间形成的“生长锥界面缺陷”。
关键词: 相似文献
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氟代硼鈹酸钾KBe2BO3F2(KBBF)晶体是至今发现的可相位匹配的倍频波长最短的晶体.但是,由于该晶体具有很大的面间距,层状生长习性十分明显,因此,至今采用熔盐法生长的晶体厚度较薄,无法按照相位匹配方向切割成倍频器件.我们尝试了采用水热法生长KBBF晶体并获得了成功.我们采用水热法已成功地生长出了厚度达10 mm以上的透明单晶体.本文概述了水热法生长KBBF晶体的实验方法和生长条件(如矿化剂种类,温度,压力,温度梯度,充满度,开孔率等)对晶体生长的影响.最后,用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了晶体的生长机制与形状. 相似文献
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对人工水晶缺陷和质量的研究有过不少报道[1-4],一般认为水晶中缺陷是由螺位错、刃位错和混合位错构成的[5-7].本文作者认为水晶中缺陷主要是沿着三方偏方面体单形锥面发育的面缺陷.下面从缺陷形成的机理与OH-之间的关系来讨论缺陷对水晶品质的影响. 一、缺陷的检查1.X射线形貌照相 形貌照相所揭露的水晶缺陷与晶体表面结构形态的方位特征是一致的.底面c上三方结构(三方丘或三棱锥)提由三方偏方面体锥面组成的[8].从三棱锥结构的晶体上切取(0001)和(1101)样片,在形貌图中所显示的缺陷形态、方位特征与晶体的左右形相对应(见图1,2).取(1010… 相似文献
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晶体中正负配位多面体的结晶方位与晶体形貌 总被引:13,自引:0,他引:13
一、前言晶体的结晶形貌是由晶体内部结构所决定的,而生长时的物理、化学条件也有一定的影响。因此,研究晶体的生长机理应从晶体内部结构入手,同时还要研究生长时的物理、化学条件的作用。本文试图从晶体结晶化学角度来研 相似文献
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本文研究了几种异质同构晶体的表面结构与晶体中负离子配位多面体结晶方位之间的关系,提出了晶体中各族晶面上结构花与负离子配位多面体在各族晶面上的露是互相对应的关系,异质同构晶体中的负离子配位多面体的结构形式,联结方式和结晶方位是完全相同的,故晶体的表面结构花纹亦完全一致,而且晶体的结晶形貌也是十分相似的。 相似文献