水热合成LuF_3∶Yb~(3+),Er~(3+)微晶及其上转换发射与温度传感特性（英文）

通过在不同pH值下的简易水热法合成不同Yb~(3+)离子(n_(Yb~(3+))/n_(Lu~(3+))=5%~15%)和Er~(3+)离子(n_(Er~(3+))/n_(Lu~(3+))=1%~5%)掺杂浓度的LuF_3∶Yb~(3+),Er~(3+)微晶荧光粉。发现pH值对正交相LuF_3∶Yb~(3+),Er~(3+)的合成起着关键作用。在980nm激发下,LuF_3∶Yb~(3+),Er~(3+)荧光体呈现出以523nm(~2H_(11/2)→~4I_(15/2))和539nm(~4S_(3/2)→~4I_(15/2))为中心的强绿光上转换(UC)发射以及以660nm(~4F_(9/2)→~4I_(15/2))为中心弱红光上转换发射。通过使用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)分析测定了最强发射强度的Er~(3+)和Yb~(3+)的最佳掺杂浓度。浓度依赖性研究表明,达到最强的绿光上转换发光时最佳掺杂浓度为10%Yb~(3+),2%Er~(3+)。通过改变泵浦功率来研究LuF_3∶Yb~(3+),Er~(3+)荧光粉UC发光机制。通过980nm二极管激光器在293~573K的范围内研究了在523和539nm处的2个绿光UC发射带的荧光强度比(FIR)的温度依赖性,发现在490K得到最大灵敏度约为15.3×10~(-4)K~(-1)。这表明LuF_3∶Yb~(3+),Er~(3+)荧光体可应用于具有高灵敏度的光学温度传感器。     

利用学生说题模式 提升课堂教学质量

解题教学是数学教学中不可或缺的一部分.本文从当前高中解题中存在的现状出发,阐述说题教学的现实意义与理论意义.期望为中学教学提供一定的参考.     

底部加热肥皂泡上准二维湍流的数值模拟北大核心CSCD

底部加热的肥皂泡是一种全新的二维热对流模型,在实验中已发现肥皂泡上的岛涡运动规律与飓风轨迹规律一致.然而,肥皂泡的曲面特征对其准二维流场的数值模拟以及数据分析造成了较多困难.针对肥皂泡球面几何特征,该文介绍了其直接数值模拟(DNS)方法,及其流场空间波数谱、湍流通量和结构函数的计算分析方法.开展了Ra=3×10^(7),3×10^(9),3×10^(11)的数值计算,并获得了相应的波数谱、通量和湍流结构函数.计算结果表明,肥皂泡上速度的小尺度脉动特征满足Bo59的理论标度律,通过湍动能与拟涡能通量特征,发现在该准二维湍流场中存在湍流能量双级串现象.且随着Rayleigh数的增加,大尺度结构湍能量减小,更小尺度湍流结构能量增加.     

微孔聚丙烯中空纤维膜熔纺过程的动力学及结构发展的数值模拟——(1)数学模型

利用力平衡、质量守恒、能量守恒等原理推导了一组一阶非线性常微分方程组，用于描述聚丙烯中空纤维膜原纤熔纺过程的动力学及结构的发展。     

作用在岩体裂隙网络中的渗透力分析

从岩体裂隙网络渗流的特点出发, 以单裂隙渗透力分析为基础, 分析了二维及三维情况下岩体裂隙网络渗流对岩体裂隙壁施加的两种作用力: 垂直于裂隙壁使裂隙产生扩容的法向渗透静水压力以及平行于裂隙壁和裂隙水流方向一致的切向动水压力, 推导出二维及三维情况下裂隙单元因这两种作用力而产生的等效结点力, 并应用算例定量分析了岩体裂隙网络渗透静水压力和动水压力共同作用对岩体应力的影响, 结果显示: (a)渗透力作用下裂隙上部岩体压应力减小, 而裂隙下部岩体压应力增大, 最大压应力增大 10 .5 3%; (b)渗透力作用下裂隙岩体拉应力增大, 最大拉应力增大 9.0 9%; (c)裂隙渗透力使岩体剪应力增大, 最大值达 2 3.75 %。     

Low-voltage antimony-doped SnO₂ nanowire transparent transistors gated by microporous SiO₂-based proton conductors

A battery drivable low-voltage transparent lightly antimony(Sb)-doped SnO 2 nanowire electric-double-layer(EDL) field-effect transistor(FET) is fabricated on an ITO glass substrate at room temperature.An ultralow operation voltage of 1 V is obtained on account of an untralarge specific gate capacitance(～2.14 μF/cm 2) directly bound up with mobile ions-induced EDL(sandwiched between the top and bottom electrodes) effect.The transparent FET shows excellent electric characteristics with a field-effect mobility of 54.43 cm 2 /V · s,current on/off ration of 2 × 10 4,and subthreshold gate voltage swing(S = dV gs /d(log I ds)) of 140 mV/decade.The threshold voltage V th(0.1 V) is estimated which indicates that the SnO 2 namowire transistor operates in an n-type enhanced mode.Such a low-voltage transparent nanowire transistor gated by a microporous SiO 2-based solid electrolyte is very promising for battery-powered portable nanoscale sensors.     

Fabrication and Characteristics of AIInN/A1N/GaN MOS-HEMTs with Ultra-Thin Atomic Layer Deposited Al2O3 Gate Dielectric

Al0.85In0.15N//AlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors （MOS-HEMTs） employing a 3-nm ultra-thin atomic-layer deposited （ALD） Al2O3 gate dielectric layer are reported. Devices with 0.6μm gate lengths exhibit an improved maximum drain current density of 1227mA/mm at a gate bias of 3 V, a peak transeonductance of 328mS/mm, a cutoff frequency fr of 16 GHz, a maximum frequency of oscillation fmax of 45 GHz, as well as significant gate leakage suppression in both reverse and forward directions, compared with the conventionM Al0.85In0.15N/AlN/GaN HEMT. Negligible C - V hysteresis, together with a smaller pinch-off voltage shift, is observed, demonstrating few bulk traps in the dielectric and high quality of the Al2O3/AIInN interface, it is most notable that not only the transconductance profile of the MOS-HEMT is almost the same as that of the conventional HEMT with a negative shift, but also the peak transconduetance of the MOS-HEMT is increased slightly. It is an exeitin~ inwrovement in the transconductance performance.     

径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器

为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试。结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。     

环丙沙星与牛血清白蛋白的结合反应 环丙沙星与牛血清白蛋白的结合反应 

以光谱技术与微量热技术相结合研究了水溶液中牛血清白蛋白与环丙沙星分子间结合作用的机制.荧光猝灭法测得该反应的结合常数K=8.39×10     

材料各向异性对热弹性接触问题的影响

研究一个绝热刚性冲头和各向异性弹性传热半空间之间的稳态平面接触问题.由于冲头在半空间表面上的滑移,在接触区域内摩擦生热,并且热辐射到接触区域.之外的区域利用Fourier积分变换,将问题简化为两个奇异积分方程构成的方程组.利用Gauss-Jacobi梯形求积公式,数值地求解该方程组给出了各向异性和热效应的图例.