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Optical and structural investigation of a-plane GaN layers on r-plane sapphire with nucleation layer optimization
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Nonpolar a-plane GaN epilayers are grown on several r-plane sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition using different nucleation layers:(A) a GaN nucleation layer deposited at low temperature(LT);(B) an AlN nucleation layer deposited at high temperature;or(C) an LT thin AlN nucleation layer with an AlN layer and an AlN/AlGaN superlattice both subsequently deposited at high temperature.The samples have been characterized by Xray diffraction(XRD),atomic force microscopy and photoluminescence.The GaN layers grown using nucleation layers B and C show narrower XRD rocking curves than that using nucleation layer A,indicating a reduction in crystal defect density.Furthermore,the GaN layer grown using nucleation layer C exhibits a surface morphology with triangular defect pits eliminated completely.The improved optical property,corresponding to the enhanced crystal quality,is also confirmed by temperature-dependent and excitation power-dependent photoluminescence measurements. 相似文献
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Memristors, as memristive devices, have received a great deal of interest since being fabricated by HP labs. The forgetting effect that has significant influences on memristors' performance has to be taken into account when they are employed. It is significant to build a good model that can express the forgetting effect well for application researches due to its promising prospects in brain-inspired computing. Some models are proposed to represent the forgetting effect but do not work well. In this paper, we present a novel window function, which has good performance in a drift model. We analyze the deficiencies of the previous drift diffusion models for the forgetting effect and propose an improved model. Moreover,the improved model is exploited as a synapse model in spiking neural networks to recognize digit images. Simulation results show that the improved model overcomes the defects of the previous models and can be used as a synapse model in brain-inspired computing due to its synaptic characteristics. The results also indicate that the improved model can express the forgetting effect better when it is employed in spiking neural networks, which means that more appropriate evaluations can be obtained in applications. 相似文献
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通过在不同pH值下的简易水热法合成不同Yb3+离子(nYb3+/nLu3+=5%~15%)和Er3+离子(nEr3+/nLu3+=1%~5%)掺杂浓度的LuF3∶Yb3+,Er3+微晶荧光粉。发现pH值对正交相LuF3∶Yb3+,Er3+的合成起着关键作用。在980 nm激发下,LuF3∶Yb3+,Er3+荧光体呈现出以523 nm(2H11/2→4I15/2)和539 nm(4S3/2→4I15/2)为中心的强绿光上转换(UC)发射以及以660 nm(4F9/2→4I15/2)为中心弱红光上转换发射。通过使用X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)分析测定了最强发射强度的Er3+和Yb3+的最佳掺杂浓度。浓度依赖性研究表明,达到最强的绿光上转换发光时最佳掺杂浓度为10% Yb3+,2% Er3+。通过改变泵浦功率来研究LuF3∶Yb3+,Er3+荧光粉UC发光机制。通过980 nm二极管激光器在293~573 K的范围内研究了在523和539 nm处的2个绿光UC发射带的荧光强度比(FIR)的温度依赖性,发现在490 K得到最大灵敏度约为15.3×10-4 K-1。这表明LuF3∶Yb3+,Er3+荧光体可应用于具有高灵敏度的光学温度传感器。 相似文献
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一、引言 近年来对径流透平的科研工作已有较多的开展,以期获得新的设计计算方法,改善透平的性能.但蜗壳的设计,至今仍基于一元流动的假设,认为导向叶片进口流场是沿周向均匀的,这种假定不符合实际情况.实际上,由于气体的粘性,在蜗壳内壁面上将产生附面层,此附面层沿气体在蜗壳内的流向而发展.蜗壳壁面上,由于压强与气流的离心力不平衡而造成二次流.再加蜗壳进口本身流场不均匀的影响,蜗壳中的流动明显为三元流 相似文献
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