基于平行玻璃板的半导体激光器阵列光束整形

为得到质量均衡的大功率激光束,分别以条形和面阵半导体激光器为模型,基于平行玻璃板对光束的偏移作用,对准直后激光束进行分割和重排,并在Zemax软件中进行了仿真。条形半导体激光器初始发散角为40和10,整形前已准直光束快慢轴方向的光参数积分别为0.455 2 mmmrad和20.484 mmmrad,光束质量相差较大,整形后快慢轴方向光参数积分别为2.731 2 mmmrad和3.414 0 mmmrad,实现了快慢轴方向光束质量均衡。利用平行玻璃板消除面阵半导体激光器中存在的发光死区,整形后快慢轴方向光参数积分别为7.002 mmmrad和10.242 mmmrad ,整形系统耦合效率为90.13%。     

人脑脊液中的光偏振及荧光特性

本工作对基本正常人的脑脊液和有神经系统疾病的人脑脊液进行了光偏振及荧光物理特性的测量,对脑脊液的荧光5450Å进行荧光平均寿命测量,并在Ar激光4880Å的监控下,测量了荧光5450Å的强度与照射时间的关系,得到了一些有益的提示。除此之外,我们还测量了OH键Raman带在振动频率Δv=3392cm-1的退偏度,退偏度POH=0,计算了吸收振子和被辐射振子之间的夹角,证明了在人的脑脊液分子中的OH键振动是完全对称的振动,其极化强度是各向同性的。     

复合广义齐次Poisson过程的多险种破产概率

本文推广了经典的复合泊松风险模型，建立了两类复合广义齐次poisson过程的多险种破产模型．对于新模型，我们得到了初始资本为u的破产概率φ(u)的精确表达式以及特殊情况下φ(0)的表达式，并且导出了调节系数方程和调节系数R的上下界．     

一种新的消色像全息术

本文从全息再现像的物像关系出发,对准像面情况下,像点随波长及参考光源扩展的变化进行了研究.阐明了利用散射线光源作参考光使全可见光范围内的像叠加在一起,产生消色像全息图的基本思想,并引入了消色像域的概念.考虑到点基元全息图尺寸及人眼瞳孔对成像光束的限制,白光再现时,可以获得清晰、明亮、具有一定景深和相当视场范围的消色再现像.     

Ar~(2 )与Li,Na原子碰撞中单电子俘获过程的实验研究

对Ar~(2 )与Li,Na碰撞过程中由于单电子俘获而产生的Arll谱线进行了绝对测量,给出各谱线的发射截面数据。入射离子能量为40—300keV。从发射截面对势能亏损的依赖关系,发现对应中等△E(>0)值的过程具有较大的截面。并且还发现与观察到的光谱线相应的激发态属于一个电子组态中高J量子数的态。     

Eu2+,Dy3+共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷

首次介绍了一种新型长余辉材料:Eu^2 ,Dy^3 共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷，该玻璃陶瓷用紫外灯、日光、荧光灯均可激发，发射黄绿色余辉，余辉的发射峰位于516nm，来自于Eu^2 的5d→^8S7/2跃迁。用12000 lx的荧光灯激发样品20分钟，停止激发后10秒时，该玻璃陶瓷的余辉亮度为3．53cd/m^2，色坐标为：x=0.2842,y=0.5772;停止激发后5小时55分钟，该玻璃陶瓷的余辉亮度为0．01cd/m^2；停止激发30小时后，余辉在黑暗中仍肉眼可见。文中对该玻璃陶瓷的相关性质进行了表征，并提出了可能的长余辉机理。     

高电荷态Ar^q＋与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程，得到了多组实验测量电荷交换截面数据，讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系，并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上，对实验现象做了合理的解释。     

STUDIES ON HYPERFINE STRUCTURE AND ISOTOPE SHIFT OF SOME EXCITED STATES IN Yb AND Tm ATOMS

The hyperfine structures and isotope shifts in some excited states of Yb and Tm have been measured using laser-atomic beam interaction, stepwise excitation and fluorescence detection techniques. From the experimental results, magnetic dipole hyperfine constants A and electric quadrupole hyperfine constants B have been derived. So for as we know, the A factor of [4f¹²5d6s6p]9/2 level in Tm is given for the first time.     

含顺磁杂质超导体中的束缚态

本文利用广义正则变换和自洽场方法,讨论了单个杂质对超导体的影响。证明在磁性杂质附近,可能形成一个束缚态的元激发,其能量位于能隙之中。求出了能级和波函数的解析表达式,并计算了束缚能级所引起的附加电磁吸收。讨论了与此有关的隧道和高频吸收实验。此外,还讨论了非磁性杂质对连续谱元激发的影响及杂质附近能隙的变化。     

采用GAF-D3Net深度学习网络的水下目标有源识别方法

提出一种基于格拉姆角场(GAF)和卷积神经网络(CNN)的水下目标有源识别方法。该方法利用GAF将目标回波信号编码为二维图像,使用空洞卷积构建轻量级的卷积神经网络GAF-D3Net实现对目标的特征提取与分类识别。实验表明,与基于传统图像特征的分类方法相比,所提方法的分类精度有显著提高,达到99.65%。在泛化性测试中,对比了经典CNN使用声呐图像的迁移学习方法,本文方法的曲线下面积(AUC)达到89%,具有更好的泛化性能以及抗干扰能力,为实现水下目标有源识别提供了一种可靠方法。