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(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O新晶体的生长、结构与导电性 总被引:2,自引:0,他引:2
用恒电流电化学结晶法培养了一种新的基于BEDT-TTF的电荷转移盐(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O [BEDT-TTF=双(亚乙基二硫)四硫富瓦烯,C3H5SO-3=烯丙基磺酸根].通过四圆X射线衍射方法测定了(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O的结构.晶体属于正交晶系,Pma2空间群;晶胞参数a=3.2772(3) nm, b=0.79604(7) nm, c=0.66868(7) nm, V=1.7445(3) nm3.在标题化合物晶体中,BEDT-TTF0.5+自由基形成α′-型堆积,烯丙基磺酸根阴离子则通过氢键沿c轴方向连接成链.(BEDT-TTF)2C3H5SO3·H2O的室温电导率为0.0489 Ω-1·m-1,电阻率-温度测定曲线表明它具有典型的半导体导电行为,其导电激活能为0.319 eV. 相似文献
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合成了两个新的有机晶体:反式-4-[4'-(N-羟乙基-N-甲基胺基)苯乙烯基]-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐trans-4-[4'-(N-hydroxyethyl-N-methylamino)styryl]-N-methylpyridiniumtoluene-p-sulfonate(简称HMASPS)和反式-4-[4'-(N-羟乙基-N-乙基胺基)苯乙烯基]-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐trans-4-[4'-(N-hydroxyethyl-N-ethylamino)styryl]-N-methylpyridiniumtoluene-p-sulfonate(简称HEASPS)。用X射线衍射方法对这两个单晶进行了结构测定。测试了它们频率上转换荧光及激光性质。在1064nm的ps脉冲激光的激发下,HMASPS和HEASPS在溶液中均发出~625nm的上转荧光和激光,并且有可观的激光效率。 相似文献
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用基于密度泛函理论及超软赝势的第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中K空位的电子结构、形成能及驰豫构型。讨论了K空位形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度和能带结构等性质。计算得到中性K空位的形成能为6.5 eV, 远小于间隙K原子点缺陷形成能13.07 eV。K空位的存在使晶胞体积增大, 分别沿结晶学轴a方向增大近0.8%, b方向增大近0.87%, c方向增大近1.2%,同时使与之配位的8个氧原子发生较大位移,使这8个氧形成的空腔体积增大近3.2%。空腔体积的增大不仅促进了各种点缺陷的扩散迁移,而且有利于其它杂质原子的填隙。K原子迁移率的增大会引起离子电导率的增大,因而会降低KDP的激光损伤阈值,因此从这个方面讲,K空位的存在是不利的。但是如果能从实验上(如热退火)利用K空位所造成的扩散通道排出或改善缺陷结构,则可提高KDP晶体的光学质量。 相似文献
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合成了2-环己氧羰基乙基三氯化锡及其N,N-二乙基二硫代氨基甲酸配合物,通过元素分析、IR、1H和 13C NMR及X-射线单晶衍射对其结构进行了表征。化合物2属于单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数为a=1.90867(17)nm,b=0.67885(8)nm,c=3.1902(3)nm,β=97.311(7)°,Z=8,μ=1.715mm-1,R=0.0334。中心锡原子为含有分子内羰基氧原子和N,N-二乙基二硫代氨基甲酸配体的两个硫原子配位的畸变八面体构型。波谱数据表明化合物1和2存在着分子内羰基氧原子对锡原子的配位,而在化合物3和4中这一配位则被两个或三个双齿二硫代氨基甲酸配体所替代。化合物2的理论研究表明AM1半经验计算可以成功预测这类有机锡化合物的几何构型。 相似文献
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1 INTRODUCTION Crystal engineering and the design of solid-state architectures have recently become areas of increasing interest[1, 2]. Such crystal engineering may afford new materials with useful properties such as catalytic activity, micro-porosity, nonlinear optical activity, cooperative magnetic behavior and so on. Polynitrile-ligand is one of the ideal multi-functional ligands for crystal engineering and many complexes with polynitriles as ligands have been found to show the spe… 相似文献
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一维有机半导体(BEDT-TTF)~2HgCl~3·TCE与二维有 机超导体β-(BEDT-TTF) ~2I~3 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学结晶方法合成出一种新的导电分子晶体(BEDT-TTF)~2HgCl~3·TCE,[(BEDT-TTF)=双亚乙基二硫四硫富瓦烯,TCE=1,1,2-三氯乙烷]。用四圆X衍射方法确定了它的晶体结构,测得(BEDT-TTF)~2HgCl~3·TCE单晶在bc平面的ln(R/R~0)与T^-^1呈线性关系。(BEDT-TTF)~2HgCl~3·TCE晶体中,(BEDT-TTF)^+^0^.^5阳离子自由基沿b方向等距并肩排列,由S…S分子间相互作用维系,形成一维导电结构;阴离子(HgCl~3)^-也沿b方向形成一维聚合体(HgCl~3)~n^n^-,因而(BEDT-TTF)~2HgCl~3·TCE属一维半导体。为了研究导电分子晶体的导电性与结构的关系,制备了有机超导体β-(BEDT-TTF)~2I~3,讨论了β-(BEDT-TTF)~2I~3的导电性优于(BEDT-TTF)~2HgCl~3·TCE的结构原因。 相似文献
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CMTD晶体的螺位错生长机理 总被引:1,自引:0,他引:1
用原子力显微镜在有机非线性光学晶体CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)的(001)面上观察到了许多奇特的心形螺旋生长丘,这种心形线不同于由反向双螺位错发展而成的瑞德环(Frank-Read).我们认为这种心形螺旋生长丘的相邻层交替生长除了与21螺旋轴有关外,还与在台阶源附近形成的结构畴有关.在由心形缺口推展出去的直线"划痕"两侧的台阶流上观察到的相互垂直分布的二维核,使我们认为直线"划痕"可能是90°的结构畴.实验结果说明晶体的结构及台阶源附近的分子键合方向及强度使不同晶体的生长具有独特的规律性. 相似文献