半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究

通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明：仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰 关键词： 半导体超晶格 自旋输运 磁电调控     

化学浴沉积法制备高取向钒酸铋薄膜

Highly oriented BiVO₄ films were synthesized on glass substrates by modified chemical bath deposition (CBD). The influence of the deposition parameters as temperature and time of deposition on the rate of process and the quality of BiVO₄ films was studied by XRD, Raman Spectroscopy and SEM. The film deposited at 90 ℃ for 12 h was dense and uniform. The BiVO₄ thin film under this optimal depositing conditions was consisted of octagonal crystalline grains in a narrow size distribution with an average size of about 7 μm, showing a (004) preferential orientation.     

半导体薄膜场发射中的膜厚影响

考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。     

Er∶YbF3转光薄膜的制备及衬底温度对其光学性能的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上成功制备了具有上下转换的Er∶YbF₃转光薄膜。研究发现,所制备的Er∶YbF₃转光薄膜实现了上下转换两种机制的结合,能有效地把紫外光和红外光转换到非晶硅太阳能电池最佳响应范围内的656 nm处。进一步分析了衬底温度对薄膜相结构及光学性能影响的物理机制。当衬底温度高于500 ℃时,薄膜会随着温度的升高而结晶性变强,但有杂相生成。研究结果表明,Er∶YbF₃转光薄膜的光学性能在衬底温度为500 ℃时最佳,有望应用到非晶硅太阳能电池上使其光电效率提高。     

Anomalous spin of the Chern-Simons-Georgi-Glashow model

With the Coulomb gauge, the Chern-Simons-Georgi-Glashow (CSGG) model is quantized in the Dirac formalism for the constrained system. Combining the Gauss law and Coulomb gauge consistency condition, the difference between the Schwinger angular momentum and canonical angular momentum of the system is found to be an anomalous spin. The reason for this result lies in the fact that the Schwinger energy momentum tensor and the canonical one have different symmetry properties in the presence of the Chern-Simons term.     

不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究

采用脉冲激光沉积 (PLD) 方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析. 结果表明: 基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响. 在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜, 其场发射性能得到显著提升, 其场发射电流可以数量级增大. 场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应. 本研究结果表明, 要获得优异性能场发射薄膜, 合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑. 关键词： 基底 GaN 纳米薄膜 场发射     

合成醋酸阿比特龙的工艺改进

以去氢表雄酮为起始原料,经与肼缩合、碘代、Suzuki偶联、乙酰化四步反应制得醋酸阿比特龙粗品;粗品通过与三氟甲磺酸成盐进行纯化,纯度达99.6%,总收率36.5%,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-MS确证。     

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅(a-Si∶H(Er))样品.进一步通过200—500℃温度递增的后退火处理，获得了不同的Si悬挂键(Si-DBs)密度，并在此基础上研究了Si-DBs密度改变对其Er光荧光(Er-PL)的影响.退火温度低于350℃时，Er-PL强度持续增加，但Si-DBs密度的变化显得较复杂；350℃以上时，Er-PL强度随Si-DBs密度的增加而减小.在200—250℃的退火温度范围内，Si-DBs是由于结构弛豫而减少；在250—500℃的退火温度范围内，可能由于Si—H键的断 关键词： 氢化非晶硅 铒掺杂 Si悬挂键 光荧光     

磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜

以氮气为反应气体，采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜．通过XRD测试发现．靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向：大的靶基距及高的溅射气压利于（100）面择优取向，小的靶基距和低的溅射气压利于（002）面择优取向．通过对沉积速率的分析发现．高的沉积速率利于（002）面择优取向，低的沉积速率利于（100）面择优取向．研究结果表明：沉积速率影响了核在衬底表面的生长方向，从而影响了各晶面的生长速度．最终决定薄膜的择优取向．     

基于电力载波通信的空调控制系统网络节点的设计

为合理使用空调,节约能源,将电力载波(PLC)技术、红外遥控技术用于对空调设备的远程控制。文中给出了空调控制系统的整体结构,设计了基于现场测控的电力载波通信的网络节点,详细介绍了节点电路的软硬件实现。