化学浴沉积法制备高取向钒酸铋薄膜

Highly oriented BiVO₄ films were synthesized on glass substrates by modified chemical bath deposition (CBD). The influence of the deposition parameters as temperature and time of deposition on the rate of process and the quality of BiVO₄ films was studied by XRD, Raman Spectroscopy and SEM. The film deposited at 90 ℃ for 12 h was dense and uniform. The BiVO₄ thin film under this optimal depositing conditions was consisted of octagonal crystalline grains in a narrow size distribution with an average size of about 7 μm, showing a (004) preferential orientation.     

半导体薄膜场发射中的膜厚影响

考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。     

Pb（Sc1／2Nb1／2）O3中有序一无序转变和铁电相变的Raman光谱研究

采用wolframite前驱物法制备了Pb（Sc1／2Nb1／2）O3陶瓷。通过调节陶瓷烧结工艺,获得了三种具有不同B位离子有序度的PSN陶瓷。测量了三种陶瓷样品在室温至160℃范围内的Raman光谱随温度变化。结果表明,随着温度的升高,三种不同B位有序度的陶瓷样品中,Raman光谱中位于530cm^-1。的F2g模的峰位和半峰宽分别在100℃,85℃和80℃发生了突变,表明陶瓷分别在100℃,85℃和80℃三个温度点发生了铁电-顺电相变。上述结论得到了介电温度谱测量数据的支持。     

Er∶YbF3转光薄膜的制备及衬底温度对其光学性能的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上成功制备了具有上下转换的Er∶YbF₃转光薄膜。研究发现,所制备的Er∶YbF₃转光薄膜实现了上下转换两种机制的结合,能有效地把紫外光和红外光转换到非晶硅太阳能电池最佳响应范围内的656 nm处。进一步分析了衬底温度对薄膜相结构及光学性能影响的物理机制。当衬底温度高于500 ℃时,薄膜会随着温度的升高而结晶性变强,但有杂相生成。研究结果表明,Er∶YbF₃转光薄膜的光学性能在衬底温度为500 ℃时最佳,有望应用到非晶硅太阳能电池上使其光电效率提高。     

合成醋酸阿比特龙的工艺改进

以去氢表雄酮为起始原料,经与肼缩合、碘代、Suzuki偶联、乙酰化四步反应制得醋酸阿比特龙粗品;粗品通过与三氟甲磺酸成盐进行纯化,纯度达99.6%,总收率36.5%,其结构经1H NMR,13C NMR和HR-MS确证。     

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅(a-Si∶H(Er))样品.进一步通过200—500℃温度递增的后退火处理，获得了不同的Si悬挂键(Si-DBs)密度，并在此基础上研究了Si-DBs密度改变对其Er光荧光(Er-PL)的影响.退火温度低于350℃时，Er-PL强度持续增加，但Si-DBs密度的变化显得较复杂；350℃以上时，Er-PL强度随Si-DBs密度的增加而减小.在200—250℃的退火温度范围内，Si-DBs是由于结构弛豫而减少；在250—500℃的退火温度范围内，可能由于Si—H键的断 关键词： 氢化非晶硅 铒掺杂 Si悬挂键 光荧光     

基于电力载波通信的空调控制系统网络节点的设计

为合理使用空调,节约能源,将电力载波(PLC)技术、红外遥控技术用于对空调设备的远程控制。文中给出了空调控制系统的整体结构,设计了基于现场测控的电力载波通信的网络节点,详细介绍了节点电路的软硬件实现。     

Anomalous spin of the Chern-Simons-Georgi-Glashow model

With the Coulomb gauge, the Chern-Simons-Georgi-Glashow (CSGG) model is quantized in the Dirac formalism for the constrained system. Combining the Gauss law and Coulomb gauge consistency condition, the difference between the Schwinger angular momentum and canonical angular momentum of the system is found to be an anomalous spin. The reason for this result lies in the fact that the Schwinger energy momentum tensor and the canonical one have different symmetry properties in the presence of the Chern-Simons term.     

不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究

采用脉冲激光沉积 (PLD) 方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析. 结果表明: 基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响. 在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜, 其场发射性能得到显著提升, 其场发射电流可以数量级增大. 场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应. 本研究结果表明, 要获得优异性能场发射薄膜, 合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑. 关键词： 基底 GaN 纳米薄膜 场发射     

La1－xSrxMnO3/TiO2 (x=0.2, 0.15, 0.04)异质pn结的整流特性

采用磁控溅射法制备的La_1-xSr_xMnO₃ (LSMO)/TiO₂异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加，扩散电压增大，这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低，扩散电压增大，这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的，异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性，并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大，这可能是由于宽带隙的TiO₂的引入导致. 关键词： 异质结 整流特性 庞磁阻