微波辅助化学浴快速沉积Eu:YVO4薄膜

应用简单有效的微波辐射辅助化学浴技术快速沉积了Eu:YVO₄纳米颗粒膜. 所沉积的Eu:YVO₄薄膜均匀、密实、镜面. 产物用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外分光光度计和荧光分光光度计进行测试、表征和分析. 结果表明所得Eu:YVO₄薄膜由纳米颗粒组成, 具有高的(200)择优取向, 结晶性良好, 在紫外光激发下具有良好的荧光发射性能.     

成分调制的La1－xSrxMnO3复合隧道结

利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法，在10mm×10mm大小的(001) 取向SrTiO_３单晶衬底上制备出三明治结构为La_0.7Sr_0.3MnO３(100nm)/La_0.96Sr_0.04MnO_３ (5nm)/ La0.7Sr_0.3MnO_３ (100nm) 的隧道结外延薄膜，然后再次 利用磁控溅射方法，在三层单晶膜上方继续沉积Ir_２２Mn_７８(15n m)/Ni_７９Fe_２１(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝 光和Ar离子束刻蚀等微加工技术，制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形L a_１-xSr_xMnO_３成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和 外加磁场8 T的测试下，La_１-xSr_xMnO_３成分调制的复 合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%, 直接从实验上证实了铁磁性La_{0.7Sr0.3MnO３金属氧化物的自旋极化率（97%）可接近100％，具 有很好的半金属性质. 关键词： １-x}Sr_xMnO_３')" href="#">La_１-xSr_xMnO_３ 半金属 成分调制 复合磁性隧道 结 隧穿磁电阻     

Y2O3:Bi,Yb减反转光薄膜的制备及其性能研究

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上制备了Y₂O₃:Bi,Yb减反转光薄膜。所制备的薄膜在300~800 nm波长范围内的平均反射率最低至5.28%,同时在晶体硅太阳能电池最佳响应范围内的980 nm附近表现出了良好的下转光特性。与非减反下转光薄膜相比较,具有减反结构的Y₂O₃:Bi,Yb下转换薄膜的转光强度有了明显的提升。随着衬底腐蚀时间在一定范围内的延长,Bi³⁺和Yb³⁺的发射峰强度线性增大。该减反转光薄膜为太阳能电池效率提高提供了一种简单可行的方法。     

SiC埋层的制备及其红外吸收特性

采用metal vapor vacuum arc离子源的离子束合成方法，对单晶Si衬底注入C^＋离子，获得不同剂量下的SiC埋层．C^＋离子束的引出电压为50kV，注入的剂量为3.0×10¹⁷—1.6×10¹⁸cm^-2．通过红外吸收谱的测试和分析，表明SiC埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于400℃）得到含立方相结构的SiC埋层． 关键词：     

C+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱

利用metal vapor vacuum arc离子源产生的C⁺离子，注入单晶Si衬底，得到了SiC埋层.利用X射线光电子能谱，研究了SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱.结果表明：Si2p的特征能量损失谱依赖于SiC埋层中C原子的浓度分布，并且与SiC埋层的有序度对应. 关键词：     

La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3复合薄膜的制备及其电致磁电效应研究

使用脉冲激光沉积技术,在LaAlO₃(001)单晶基片上制备了La_2/3Sr_1/3MnO₃(LSMO)/BaTiO₃(BTO)双层薄膜.X射线衍射分析显示,LSMO层和BTO层呈现纯(001)取向.原子力显微镜研究表明,薄膜表面晶粒大小均匀,排列致密,表面均方根粗糙度为1.4 nm.复合薄膜的磁学、电学性能研究表明,其具有良好的磁学和介电性能.电输运测试显示,与在BTO层上施加正方向 关键词： 磁电效应 铁电/铁磁异质结构 脉冲激光沉积     

硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究

利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同Si掺杂浓度的铝镓氮(AlGaN)薄膜.对此薄膜进行场致电子发射测试表明,Si掺杂浓度为1％的AlGaN薄膜具有最好的场发射特性.相对于非掺杂样品,其场发射电流明显增加,场发射开启电场显著降低.掺杂带来载流子浓度的提升,为场发射提供足够的电子源,使样品的场发射性能提升.但掺杂浓度的进一步提高,薄膜缺陷增加,电子迁移率降低,其薄膜内部电子输运能力降低大于电子浓度的增加对场电子发射的贡献,导致场发射性能开始变差.     

金属Sn薄膜的高温氧化与表面特征

侧重研究了高温氧化（300－550℃）引起金属Sn薄膜的表面显微形貌和表面氧化状态的变化．利用原子力显微镜（AFM）的测量，观察到金属Sn薄膜表面的金属晶粒呈现近似方形的显微形貌，但是金属Sn氧化薄膜表面的金属氧化物颗粒却具有近似圆形的显微形貌，因此，金属晶粒的高温氧化是一个各向异性的过程．在X射线光电子能谱（XPS）测量的基础上，不仅发现在金属Sn薄膜和金属Sn氧化薄膜的表面都存在大量的吸附氧粒子，而且发现吸附氧粒子的吸附形式与表面的氧化程度有关 关键词：     

High responsivity and near-infrared photodetector based on graphene/MoSe_2 heterostructure

Graphene has attracted great interest in optoelectronics, owing to its high carrier mobility and broadband absorption. However, a graphene photodetector exhibits low photoresponsivity because of its weak light absorption. In this work, we designed a graphene/MoSe_2 heterostructure photodetector, which exhibits photoresponse ranging from visible to near infrared and an ultrahigh photoresponsivity up to 1.3 × 104 A·W~(-1) at 550 nm. The electron–hole pairs are excited in a few-layered MoSe2 and separated by the built-in electric field. A large number of electrons shift to graphene, while the holes remain in the MoSe_2, which creates a photogating effect.     

半导体超晶格系统中的磁电调控电子自旋输运研究

通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明：仅对超晶格系统施以磁调制,隧穿系数将出现自旋分裂,随磁场增强,电导自旋极化率变大且展宽于费米能区;若选取不变磁场情况,同时施以间隔周期电场调制,超晶格的电子极化率将有更为显著地提高.进一步发现,随电场强度的改变,电子自旋输运行为显然存在两个明显不同区域,下自旋电子将在不同调制区域表现为不同的变化趋势.然而,若对周期磁超晶格施加间隔两周期的电调制,自旋电导输运的临界行为消失,电导极化率在高能区的共振峰 关键词： 半导体超晶格 自旋输运 磁电调控