退火工艺对可控硅辐照效应的影响

应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照,通过触发电流和少子寿命表征辐照效应,研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命,增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平,少子寿命虽有一定恢复,但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数,退火后k系数与注量相关,小注量时较小。常温存放对辐照效应有较大影响,长时间存放不利于200℃退火而有利于300℃退火。