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结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值.
关键词:
应变硅金属氧化物半导体场效应管
漏致势垒降低
二维泊松方程
阈值电压模型 相似文献
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将微穿孔板吸声结构应用到外加旁支管路的管道声源特性测量方法中,分析和仿真了单层及双层微穿孔板及其后腔结构采用不同参数(板厚、微孔直径、穿孔率、后腔深度等)时改变管道负载声阻抗的作用和影响.研究结果表明:改变板厚、微孔直径、穿孔率、管道横截面积比等参数,可以有效地改变负载声阻;改变后腔深度及微穿孔板与主体管道之间距离,可... 相似文献
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