首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   136949篇
  免费   24886篇
  国内免费   17065篇
化学   84217篇
晶体学   1381篇
力学   6090篇
综合类   21篇
数学   21681篇
物理学   65510篇
  2023年   1092篇
  2022年   1052篇
  2021年   1197篇
  2020年   1703篇
  2019年   2213篇
  2018年   2634篇
  2017年   3140篇
  2016年   4340篇
  2015年   4147篇
  2014年   3989篇
  2013年   8039篇
  2012年   8001篇
  2011年   9332篇
  2010年   11503篇
  2009年   11306篇
  2008年   6474篇
  2007年   5797篇
  2006年   5211篇
  2005年   5476篇
  2004年   6023篇
  2003年   4859篇
  2002年   4509篇
  2001年   4371篇
  2000年   3493篇
  1999年   3370篇
  1998年   2796篇
  1997年   2539篇
  1996年   3079篇
  1995年   3282篇
  1994年   3466篇
  1993年   3466篇
  1992年   3053篇
  1991年   2621篇
  1990年   2316篇
  1989年   2337篇
  1988年   2316篇
  1987年   1575篇
  1986年   1614篇
  1985年   1462篇
  1984年   1561篇
  1983年   813篇
  1982年   1348篇
  1981年   1200篇
  1980年   1190篇
  1979年   899篇
  1978年   904篇
  1977年   1018篇
  1976年   1404篇
  1973年   780篇
  1972年   723篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 18 毫秒
111.
Summary Pharmaceutical products have to be tested for impurities including residual solvents. This is also required in production control. The simplest solution to this problem is headspace gas chromatography. This paper describes the determination of residual volatile hydrocarbons in the transdermal system DEPONIT by only one headspace measurement. Accuracy is ensured by the multiple headspace extraction technique.
Bestimmung von Restlösungsmittelgehalten in einem transdermalen System durch Headspace-Gas-Chromatographie
Zusammenfassung Pharmazeutische Produkte müssen auf Verunreinigungen geprüft werden, auch auf Restlösungsmittelgehalte. Ein zusätzlicher Grund ist die fortlaufende Kontrolle der Herstellung. Die einfachste Möglichkeit für dieses Problem ist die Bestimmung durch Headspace-Gas-Chromatographie. Dieser Artikel beschreibt die Bestimmung von noch vorhandenen flüchtigen Kohlenwasserstoffen in dem transdermalen System DEPONIT durch nur eine Headspace-Messung. Die Richtigkeit ist durch die Anwendung der Mehrfach-Gasextraktionstechnik sichergestellt.
  相似文献   
112.
Summary The pH versus fluorescence intensity profiles of a series of new pH-indicators are reported. They are characterized by two pKa-values in the 3.7–4.9 and 6.9–7.9 range, respectively. The strong change in fluorescence intensity with pH allows the determination of pH's over a much wider range (typically 2–9) than with one-step indicators. They are therefore considered to be of potential utility for measurement of pH over the neutral and slightly acidity range which occurs, for instance, in bioliquids such as urine.
Eine neue Gruppe fluorescierender pH-Indicatoren für einen erweiterten pH-Bereich
Zusammenfassung Die Fluorescenzintensitätsprofile als Funktion des pH-Wertes einer Reihe von neuen pH-Indicatoren werden untersucht. Sie sind charakterisiert durch zwei pKa-Werte im Bereich 3,7–4,9 bzw. 6,9–7,9. Die gefundene starke Änderung der Fluorescenzintensität mit dem pH-Wert erlaubt eine pH-Bestimmung über einen viel weiteren Bereich (typischerweise 2 – 9) als mit einstufigen Indicatoren. Aus diesem Grund werden sie als potentiell nützlich angesehen zur Messung von pH-Werten im neutralen und schwach sauren Bereich, wie er z.B. in biologischen Flüssigkeiten, etwa im Urin, gegeben ist.
  相似文献   
113.
114.
Summary Wet-chemical cleaning procedures of Si(100) wafers are surface analytically characterized and compared. Hydrophobic surfaces show considerably less native oxides in comparison to hydrophilic surfaces.The growth of the oxide is determined as a function of exposure to air by means of XPS measurements. The chemically shifted Si2p XPS signal is utilized for the quantification of the growth kinetics.One hour after cleaning no chemically shifted Si2p XPS peak is discernible on the hydrophobic surfaces. Assuming homogeneous oxide growth, the detection limit of native oxides is estimated to be below 0.05 nm using an emission angle of 18° with respect to the wafer surface. The calculation of the oxide thickness from the chemically shifted and nonchemically shifted Si2p XPS peak intensities is carried out according to Finster and Schulze [1]. For more than a day after cleaning no surface oxides can be identified on the hydrophobic surfaces. The oxide growth kinetics is logarithmic. The very slow oxidation rate cannot be attributed to fluorine residues since no fluorine is seen by XPS. We explain the slow oxidation rate by a homogeneous hydrogen saturated Si(100) wafer surface.
Oberflächenanalytische Charakterisierung oxidfreier Si(100)-Waferoberflächen
  相似文献   
115.
We prove that for every fixed k and ? ≥ 5 and for sufficiently large n, every edge coloring of the hypercube Qn with k colors contains a monochromatic cycle of length 2 ?. This answers an open question of Chung. Our techniques provide also a characterization of all subgraphs H of the hypercube which are Ramsey, that is, have the property that for every k, any k‐edge coloring of a sufficiently large Qn contains a monochromatic copy of H. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Graph Theory 53: 196–208, 2006  相似文献   
116.
117.
In the present work, a quantitative analysis of the phase compositions by Mössbauer effect spectroscopy of solid and conventional hydrogen disproportionated Pr13.7Fe80.3B6.0 and Pr13.7Fe63.5Co16.7Zr0.1B6.0 alloys was carried out. Significant amounts of intermediate borides t-Fe3B and Pr(Fe, Co)12B6 were detected after solid hydrogen disproportionation treatment in Pr13.7Fe80.3B6.0 and Pr13.7Fe63.5Co16.7Zr0.1B6.0 alloys, respectively. After conventional hydrogenation–disproportionation–desorption–recombination treatment these phases were not detected and in no case residual Pr2Fe14B-phase was found. It was observed that the amount of intermediate borides after disproportionation can be correlated with the degree of texture after recombination at various temperatures.  相似文献   
118.
119.
120.
V02-based thin film materials on silicon substrates are fabricated by ion beam sputtering and a post-annealing which is different from the conventional fabricating method. An infrared linear microbolometer array with 128 pixels is prepared using as-deposited vanadium dioxide thin films. Optical and electrical properties for V02-based microbolometer array are tested.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号