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11.
Fractional factorial split-plot (FFSP) designs have an important value of investigation for their special structures. There are two types of factors in an FFSP design: the whole-plot (WP) factors and sub-plot (SP) factors, which can form three types of two-factor interactions: WP2fi, WS2fi and SP2fi. This paper considers FFSP designs with resolution III or IV under the clear effects criterion. It derives the upper and lower bounds on the maximum numbers of clear WP2fis and WS2fis for FFSP designs, and gives some methods for constructing the desired FFSP designs. It further examines the performance of the construction methods. 相似文献
12.
13.
14.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
15.
采用溶解-反应量热法在具有恒温环境的溶解-反应热量计内,测定了[Gd(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3和[Y(Gly)4(Im)(H2O)](ClO4)3两种稀土甘氨酸咪唑配合物的标准生成焓分别为(-3 461.46 ±0.22) kJ·mol-1 和(-3 926.6±0.90) kJ·mol-1. 相似文献
16.
Zi‐Niu Wu 《国际流体数值方法杂志》2005,48(5):541-564
The widely used locally adaptive Cartesian grid methods involve a series of abruptly refined interfaces. In this paper we consider the influence of the refined interfaces on the steady state errors for second‐order three‐point difference approximations of flow equations. Since the various characteristic components of the Euler equations should behave similarly on such grids with regard to refinement‐induced errors, it is sufficient enough to conduct the analysis on a scalar model problem. The error we consider is a global error, different to local truncation error, and reflects the interaction between multiple interfaces. The steady state error will be compared to the errors on smooth refinement grids and on uniform grids. The conclusion seems to support the numerical findings of Yamaleev and Carpenter (J. Comput. Phys. 2002; 181: 280–316) that refinement does not necessarily reduce the numerical error. Copyright © 2005 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
17.
为阐述放射性9C束流应用于治癌的物理基础, 运用一个球形生物组织等效正比计数器测量了9C束流不同贯穿深度上的线能谱, 得到了沿束流贯穿深度上的剂量平均线能分布. 将实验测量得到的线能谱转换成为不同传能线密度在吸收剂量中所占份额的分布, 得到了该9C束流在不同贯穿深度上的剂量平均传能线密度分布. 将生物组织等效正比计数器测量得到的与先前通过平行板正比计数器测量得到的该9C束流的剂量平均传能线密度分布进行比较, 发现: 在束流入射通道上, 两者测量数据符合很好, 而在束流Bragg峰附近9C离子的沉积区域, 由组织等效正比计数器测量得到的剂量平均传能线密度值大于由平行板正比计数器测量得到的值. 相似文献
18.
19.
Chun‐Yan Hong Ye‐Zi You Cai‐Yuan Pan 《Journal of polymer science. Part A, Polymer chemistry》2004,42(19):4873-4881
Well‐defined diblock and triblock copolymers composed of poly(N‐isopropylacrylamide) (PNIPAM) and poly(ethylene oxide) (PEO) were successfully synthesized through the reversible addition–fragmentation chain transfer polymerization of N‐isopropylacrylamide (NIPAM) with PEO capped with one or two dithiobenzoyl groups as a macrotransfer agent. 1H NMR, Fourier transform infrared, and gel permeation chromatography instruments were used to characterize the block copolymers obtained. The results showed that the diblock and triblock copolymers had well‐defined structures and narrow molecular weight distributions (weight‐average molecular weight/number‐average molecular weight < 1.2), and the molecular weight of the PNIPAM block in the diblock and triblock copolymers could be controlled by the initial molar ratio of NIPAM to dithiobenzoate‐terminated PEO and the NIPAM conversion. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 42: 4873–4881, 2004 相似文献
20.
The reversible nonlinear conduction (RNC) in of high‐density polyethylene/acetylene carbon black composites with different degrees of crosslinking was studied above room temperature and below the melting point of high‐density polyethylene (HDPE). The experimental current density‐electric field strength curves can be overlapped onto a master curve, suggesting that the microscopic mechanisms for the appearance of RNC exist regardless of the ambient temperature and the crosslinking degree of the HDPE matrix. The relationship between the crossover current density and the linear conductivity can be explained in the framework of the dynamic random‐resistor‐network model. According to these results, two electron‐tunneling models are suggested to interpret the microscopic conduction behavior. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 42: 1212–1217, 2004 相似文献