全文获取类型
收费全文 | 35683篇 |
免费 | 6355篇 |
国内免费 | 3829篇 |
专业分类
化学 | 24376篇 |
晶体学 | 357篇 |
力学 | 2327篇 |
综合类 | 305篇 |
数学 | 4230篇 |
物理学 | 14272篇 |
出版年
2024年 | 144篇 |
2023年 | 774篇 |
2022年 | 1373篇 |
2021年 | 1379篇 |
2020年 | 1494篇 |
2019年 | 1478篇 |
2018年 | 1314篇 |
2017年 | 1252篇 |
2016年 | 1802篇 |
2015年 | 1749篇 |
2014年 | 2069篇 |
2013年 | 2695篇 |
2012年 | 3237篇 |
2011年 | 3200篇 |
2010年 | 2220篇 |
2009年 | 2061篇 |
2008年 | 2274篇 |
2007年 | 1997篇 |
2006年 | 1771篇 |
2005年 | 1485篇 |
2004年 | 1098篇 |
2003年 | 907篇 |
2002年 | 876篇 |
2001年 | 755篇 |
2000年 | 648篇 |
1999年 | 798篇 |
1998年 | 639篇 |
1997年 | 595篇 |
1996年 | 559篇 |
1995年 | 514篇 |
1994年 | 436篇 |
1993年 | 400篇 |
1992年 | 332篇 |
1991年 | 298篇 |
1990年 | 278篇 |
1989年 | 216篇 |
1988年 | 166篇 |
1987年 | 141篇 |
1986年 | 105篇 |
1985年 | 102篇 |
1984年 | 69篇 |
1983年 | 58篇 |
1982年 | 55篇 |
1981年 | 24篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 5篇 |
1976年 | 1篇 |
1959年 | 3篇 |
1957年 | 7篇 |
1936年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
52.
采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献
53.
54.
55.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离.
关键词:
Ar·NO团簇
同步辐射
光电离
能量转移 相似文献
56.
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献
57.
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-
关键词:
失配位错
外延生长
薄膜
分子动力学
铝 相似文献
58.
59.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
60.