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The present paper discusses our investigation of InGaAs surface morphology annealed for different lengths of time.After annealing for 15 min,the ripening of InGaAs islands is completed.The real space scanning tunneling microscopy(STM) images show the evolution of InGaAs surface morphology.A half-terrace diffusion theoretical model based on thermodynamic theory is proposed to estimate the annealing time for obtaining flat morphology.The annealing time calculated by the proposed theory is in agreement with the experimental results. 相似文献
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We demonstrated the polarization of resistive switching for Cu/VOx/Cu memory cell. Switching behaviors of Cu/VOx/Cu cell were tested by semiconductor device analyzer (Agilent B1500A), and the relative micro-analysis of I-V characteristics of VOx/Cu was characterized by conductive atomic force microscope (CAFM). The I-V test results indicated that both forming and the reversible resistive switching between low resistance state (LRS) and high resistance state (HRS) can be observed under either positive or negative sweep. The CAFM images for LRS and HRS directly exhibited evidences of the formation and rupture of filaments based on positive or negative voltage. Cu/VOx/Cu sandwiched structure exhibits a reversible resistive switching behavior and shows potential applications in the next generation nonvolatile memory field. 相似文献
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超高数值孔径Schwarzschild投影光刻物镜的光学设计 总被引:4,自引:0,他引:4
针对45nm及以下节点光刻相关技术的研究需求,确定了实验型投影光刻物镜的结构型式及设计指标。依据像差理论在非同心小遮拦的Schwarzschild反射系统中添加折射补偿镜组来进一步减小系统的中心遮拦,扩大像方数值孔径。设计了一套小中心遮拦,数值孔径为1.20的Schwarzschild折反式投影光刻物镜。设计结果表明,该投影光刻物镜工作带宽为100pm,像方视场为50μm,线中心遮拦比为13%,光学分辨力为80nm时(6240lp/mm)的系统调制传递函数大于0.45,全视场最大畸变为6.5nm,满足了45nm深紫外(DUV)浸没光刻实验平台对投影光刻物镜的需求。 相似文献
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本文计算采用扩展的SSH哈密顿模型, 加上长程关联哈密顿量,在自然边界条件下,用绝热动力学方法研究了有限长反式聚乙炔链中平均关联能随时间的演化,计算了长程电子关联对极化子动力学的影响并计算了极化子状态下的长程关联能。结果发现,加入一个电子或空穴,平均关联能的大小随着时间呈非周期性阻尼振荡,经过一定时间后,平均关联能趋近一个恒定值,此时得到比较稳定的极化子位形。当格点增加时,长程关联能趋于恒定的时间逐渐缩短。 相似文献
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通过实验和计算的方法研究了Mn2CoMxGa1-x 和Mn2CoMxAl1-x (M=Cr, Fe, Co)掺杂系列合金样品. 研究发现, 在共价作用的影响下, Fe和Co原子占A位, 使被取代的MnA (-2.1 μB)变成MnD (3.2 μB), 在最近邻的强交换作用下亚铁磁基体中形成了MnB-CoC-MnD局域铁磁性结构, 使分子磁矩的增量最高可达6.18 μB. Fe, Co 掺杂后建立同样的局域铁磁结构, 居里温度的变化趋势却不同. 实验观察到Mn2Co1+xAl1-x中掺杂容忍度高达x=0.64, 远高于在Mn2CoGa中(x=0.36)的结果; 以及随着Al的减少, 合金由B2有序向A2混乱转变等现象, 为共价作用对合金结构稳定的影响提供了证据. 磁测量中发现Cr掺杂后磁矩增量高达3.65 μB以及居里温度快速上升的反常现象, 意味着对占位规则的违背. 相似文献
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采用激发波长800 nm、脉宽50 fs、重复频率1 kHz的Ti:sapphire放大飞秒激光器作为激发光源,利用开孔Z扫描技术研究了不同粒径的CdTe:Mn量子点的非线性吸收性质。理论计算结果表明,同一生长时间CdTe:Mn量子点的双光子吸收系数是CdTe量子点的1.1倍,其双光子吸收系数随量子点尺寸的减小而增大,这是由于CdTe:Mn量子点非线性吸收属于反饱和吸收,掺杂了Mn元素,减小了表面缺陷浓度,表明掺杂量子点具有很好的双光子吸收现象。 相似文献
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本文提出一种模拟重力的格子气模型。估算了重力的平均值并得到相应宏观参数k。当0≤k≤0.02时,得到的压力分布与理论上的线性分布是符合的。 相似文献