p-n型GaInP_2/GaAs叠层太阳电池研究

报道了对p n型GaInP2 GaAs叠层太阳电池的研究结果 .采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品 .通过对GaInP2 顶电池中场助收集效应的计算机模拟 ,提出用p p- n- n 结构取代常用的p n结构 ,显著改善了GaInP2 顶电池和GaInP2 GaAs叠层太阳电池的光伏性能 ,使其光电转换效率 (Eff)分别达到 14 2 6 %和 2 3 82 %(AM0 ,2 5℃ ,2× 2cm2 )     

长链烷氧甲基冠醚的合成及表面活性

本文研究了通过长链烷氧甲基取代三甘醇(2)的环化反应合成一系列长链烷氧甲基-15-冠-5 (3) .在25℃, 35℃,45℃下测定了烷氧甲基冠醚化合物和(2)的表面张力,CMC及γ~C~M~C.结果显示,随着疏水链碳原子数的增加,CMC值减小,疏水链的碳原子数大于8的两亲分子在水溶液中可形成胶束.     

Crystal Structure and Spectra Characters of 2-Benzoly-3-(4-(1,2,4-triazole)-5-anilino-thiophene and 2-(4-Methyl-benzoly)-3-(4- chlrolphenyl)-3-(1,2,4-triazole)-5-anilino-thiophene

Triazole derivatives are widely studied, because they represent the largest group of modern fungicides and are widely used both in human and veterinary therapy and in agriculture. We synthesized the title compound in which the thiophene ring was substituted by a 1,2,4-triazole group, a phenacyl group, a phenylaminol group and a benzene ring.     

Epoxidation of styrene catalyzed by manganese (III) porphyrins supported on chloromethylated polystyrene resin bearing crown ether groups,

Metalloporphyrins and crown ether groups were simultaneously supported on chloromethylated polystyrene resin to produce a series of polymer-supported catalysts. The synthesis of these catalysts has been studied. The influence of pH, concentrations of NaOCl and phase transfer catalysts on the epoxidation of styrene catalyzed by these catalysts has also been investigated. The experimental results show that manganese(III) porphyrin bound to chloromethylated polystyrene which bears crown ether groups is effective catalysts for the epoxidation of styrene by sodium hypochlorite. The introduction of crown ether groups increases the catalytic efficiency of supported metalloporphyrins. The kinetics of epoxidation catalyzed by supported manganese(III) porphyrins obeys Michaelis-Menten equation—the characteristic of enzyme-driven reaction.     

SiO2纳米粒子对溶胶凝胶涂层性能的影响

在高强钢表面制备了防护性溶胶凝胶涂层,并研究了不同浓度二氧化硅纳米粒子的加入对于涂层形貌、耐蚀性和硬度的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)观察了涂层的微观结构和成分;采用显微硬度计测试了涂层的硬度;采用电化学方法研究了二氧化硅纳米粒子的浓度对于涂层耐蚀性能的影响;采用傅里叶红外光谱研究涂层的化学结构,进而探讨了二氧化硅纳米粒子对于涂层的强化机理。结果显示涂层加入二氧化硅纳米粒子的最佳浓度为500 mg.L-1,此条件下的涂层表面均匀致密,有较高的硬度并且在3.5%NaCl溶液中体现出较好的耐蚀作用。纳米粒子在溶胶中反应形成活性羟基基团并与硅烷发生反应生成空间网状结构,从而强化涂层。     

吡咯烷二硫代氨基甲酸铵自组装膜对铜的缓蚀作用

吡咯烷二硫代氨基甲酸铵(APDTC)是一种环境友好型金属缓蚀剂, 以其在铜表面制备了自组装单分子膜(SAMs), 用电化学方法研究在0.5 mol·L-1 HCl介质中APDTC SAMs对铜的缓蚀作用及其吸附行为. 结果表明, APDTC分子易在铜表面形成稳定的APDTC SAMs, 改变了电极表面的双电层结构, SAMs同时抑制了铜的阳极氧化过程和阴极还原过程, 铜电极的电荷转移电阻明显提高, 双电层电容明显降低. 电化学阻抗和极化曲线测试结果显示, 在0.5 mol·L-1 HCl介质中, 铜表面APDTC SAMs表现出良好的缓蚀效果. 研究结果还表明, APDTC的吸附行为符合Langmuir吸附等温式, 吸附机理是介于化学吸附和物理吸附之间的一种吸附.     

金纳米粒子的非线性共振散射及光强度函数研究

液相金纳米粒子在320nm、470nm、580nm720nm处产生四个共振散射峰。它是一种非线性光学介质,当入射光的频率v不同时可获得金纳米粒子的2v倍频、v/2分频、v/3分频、2v/3 分频、3v／2分频散射峰。探讨了影响液相金纳米粒子散射光信号强度I（λ）的主要因素即散射光能量分布、粒径d、△λ（λem-λex)和散射光辐射度Rλex。给出了共振散射光强度与△λ之间的高斯分布函数。建立了一个合理的金纳米粒子的共振散射光强度函数。     

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能，使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料，成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面，最佳生长温度窗口很小；反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感，难于通过观察再构图案的变化，准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中，观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下，在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明：在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差，而在单层生长模式下量子阱光学性能较好，但是界面会变粗糙.利用这一特点，我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术，找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法. 关键词： 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延     

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格，界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量，并对测量结果进行了模拟和分析，发现As保护下生长中断20 s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌，过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点，而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成，两者都使界面变得粗糙.另外，还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用. 关键词： 分子束外延 生长中断 超晶格 掠入射X射线反射     

1-［反式-4-（反式-4-正戊基环己基）环己基］乙炔制备的新方法

环己基乙炔;连二烯;液晶中间体;合成;消除反应