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101.
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-
关键词:
失配位错
外延生长
薄膜
分子动力学
铝 相似文献
102.
定义了一类相空间中的准几率分布函数系,这个准几率分布函数系直接建立在具有更加广泛意义的量子相空间Schr?dinger方程解的基础之上,其中定义α=αp-i?q和α=(1-α)q+i?p.发现了两个有趣的关系.(1)建立的量子相空间Schr?dinger方程的解实际上是对函数φ(λ)exp[i(1-α)qp]做窗口Fourier变换.(2)这个窗口函数g(λ)起着选择窗口形式的作用,而且不同的窗口对应着不同的分布函数.当g(λ)是一个代表Gauss窗的Gauss函数的时候,准几率分布函数就是一个类似于Husimi的分布函数fHLα(q,p);当g(λ)是一个表示椭圆的复函数时,准几率分布函数就是一个椭圆分布函数fEα(q,p);再在g(λ)为复函数的基础上附加α=0,就可得到标准序分布函数fS(q,p)、反标准序分布函数fAS(q,p)和Wigner分布函数fW(q,p),此时g(λ)表示高度为1/12π?而长度为λ的矩形窗.
关键词:
窗口Fourier变换
相空间
Wigner分布函数 相似文献
103.
104.
105.
106.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
107.
108.
109.
110.