全文获取类型
收费全文 | 15929篇 |
免费 | 2464篇 |
国内免费 | 1720篇 |
专业分类
化学 | 11705篇 |
晶体学 | 194篇 |
力学 | 841篇 |
综合类 | 72篇 |
数学 | 1543篇 |
物理学 | 5758篇 |
出版年
2024年 | 60篇 |
2023年 | 319篇 |
2022年 | 560篇 |
2021年 | 583篇 |
2020年 | 638篇 |
2019年 | 642篇 |
2018年 | 582篇 |
2017年 | 509篇 |
2016年 | 738篇 |
2015年 | 781篇 |
2014年 | 983篇 |
2013年 | 1211篇 |
2012年 | 1410篇 |
2011年 | 1488篇 |
2010年 | 1065篇 |
2009年 | 912篇 |
2008年 | 1050篇 |
2007年 | 953篇 |
2006年 | 847篇 |
2005年 | 732篇 |
2004年 | 544篇 |
2003年 | 459篇 |
2002年 | 426篇 |
2001年 | 307篇 |
2000年 | 310篇 |
1999年 | 258篇 |
1998年 | 228篇 |
1997年 | 197篇 |
1996年 | 183篇 |
1995年 | 145篇 |
1994年 | 187篇 |
1993年 | 129篇 |
1992年 | 125篇 |
1991年 | 96篇 |
1990年 | 91篇 |
1989年 | 85篇 |
1988年 | 45篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 29篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 15篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 17篇 |
1979年 | 7篇 |
1976年 | 10篇 |
1975年 | 7篇 |
1974年 | 8篇 |
1973年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
151.
本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。 相似文献
152.
Song B. Merlino R.L. D'Angelo N. 《IEEE transactions on plasma science. IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society》1992,20(4):476-479
Measurements of the perpendicular (to B) double-layer widths of ionization-produced (anode) double layers are presented. These widths were determined from measurements of the double-layer charge separations. The variations of the transverse-to-B widths with plasma density and magnetic field strength are given 相似文献
153.
E. Kapon M. Walther J. Christen M. Grundmann C. Caneau D.M. Hwang E. Colas R. Bhat G.H. Song D. Bimberg 《Superlattices and Microstructures》1992,12(4)
Quantum wire (QWR) heterostructures suitable for optoelectronic applications should meet a number of requirements, including defect free interfaces, large subband separation, long carrier lifetime, efficient carrier capture. The structural and opticl properties of GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum wire (QWR) heterostructures grown by organometallic chemical vapor deposition on nonplanr substrates, which satisfy many of these criteria, are described. These crescent-shaped QWRs are formed in situ during epitaxial growth resulting in virtually defect free interfaces. Effective wire widths as small as 10nm have been achieved, corresponding to electron subband separations greater than KBT at room temperature. The enhanced density of states at the QWR subbands manifests itself in higher optical absorption and emission as visualized in photoluminescence (PL), PL excitation, amplified spontaneous emission and lasing spectra of these structures. Effective carrier capture into the wires via connected quantum well regions, which is important for enhancing the otherwise extremely small capture cross section of these wires, has also been observed. Room temperature operation of GaAs/AlGaAs and strained InGaAs/GaAs QWR lasers with threshold currents as low as 0.6mA has been demonstrated. 相似文献
154.
155.
该文对Cd-HEDTA(N-(2-羟基乙基)乙二胺-N',N',N'-三乙酸),Cd-PDTA(1,2丙二胺四乙酸)和Cd-DTPA(二乙三胺五乙酸)的113Cd NMR谱和自旋晶格弛豫时间T1,及NOE因子进行了研究.结果表明,Cd-HEDTA和Cd-PDTA结构与Cd-EDTA类似,Cd-PDTA双线归因于其可能的两种异构体.Cd-DTPA大的化学位移表明其具有七配位的五角双锥结构.在这种结构中DTPA可用三个氮原子参加配位.对113Cd自旋晶格弛豫时间分析表明,Cd-DTPA配合物中质子偶极作用机理的贡献较大,这归因于Cd DTPA有更多的乙酸根亚甲基质子参与偶极作用. 相似文献
156.
W. C. Ren B. Liu Z. T. Song X. Z. Jing B. C. Zhang Y. H. Xiang H. B. Xiao J. Xu G. P. Wu R. J. Qi S. Q. Duan Q. Q. Yu S. L. Feng 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,112(4):999-1002
The gap filling of phase change material has become a critical module in the fabrication process of phase change random access memory (PCRAM) as the device continues to scale down to 45 nm and below. However, conventional physical vapor deposition process cannot meet the nanoscale gap fill requirement anymore. In this study, we found that the pulsed deposition followed by inductively coupled plasma etching process showed distinctly better gap filling capability and scalability than single-step deposition process. The gap filling mechanism of the deposit–etch–deposit (DED) process was briefly discussed. The film redeposition during etching step was the key ingredient of gap filling improvement. We achieved void free gap filling of phase change material on the 30 nm via with aspect ratio of 1:1 by two-cycle DED process. The results provided a rather comprehensive insight into the mechanism of DED process and proposed a potential gap filling solution for 45 nm and below technology nodes for PCRAM. 相似文献
157.
158.
Angular distributions of CH3I fragment ions under the irradiation of a single pulse and trains of ultrashort laser pulses 下载免费PDF全文
The angular distribution of CH3I is investigated experimentally using a single Fourier transform-limited laser pulse and a pulse train, where a 90-fs 800-nm linearly polarized laser field with a moderate intensity of 2.8×1013 W/cm2 is used. The dynamic alignment is demonstrated in a single pulse experiment. Moreover, a pulse train is used to optimize the molecular alignment, and the alignment degree is almost identical to that with the single pulse. The results are analysed by using chirped femtosecond laser pulses, and it demonstrates that the structure of pulse train rather than its effective duration is crucial to the molecular alignment. 相似文献
159.
饱和铁芯型超导限流器SCFCL(Saturated Core Superconducting Fault Current Limiter)是一种较为理想的高电压限流器,利用其技术特点可以实现无时限的明显限流作用,有着广泛的运用前景。距离保护能够很好的满足高电压复杂网络快速、精确切除故障的要求,其主要元件阻抗继电器是现阶段普遍应用的高性能继保装置。SCFCL在高压输电网络的接入会对距离保护产生很大影响,运用PSCAD搭建500kV输电线路模型,详细分析限流器接入前后不同短路故障类型及故障距离对线路距离保护的影响。 相似文献
160.
基于LED的标准太阳光谱灯拟合算法 总被引:2,自引:1,他引:2
在测量领域中需要使具有高稳定性及良好光谱匹配性的人工模拟太阳光谱标准灯.本文提出一种基于多种不同峰值波长LED光源的方法来准确模拟AM1.5的光谱分布.以最小二乘法和高斯分布数学模型为基础,在理论上实现了非均匀间隔峰值波长的光谱拟合,从而指导LED的种类选择及其所需的驱动电流值,并通过实验论证其可行性.结果表明:在300~1100 nm的范围内,使用较少LED种类的情况下,此方法光谱失配误差小于±2.76%.此算法可精确地分辨标准太阳光谱AM1.5的吸收谷,且应用于AM0的拟合时获得小于±1.67%的光谱失配度.在工程实践中,该算法对快速、准确获得标准太阳光谱灯具有良好的指导意义. 相似文献