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161.
使一对纠缠的二能级原子之一与单模真空腔场发生共振相互作用,通过选择不同的演化时间,对这个三体系统的其中之一做选择性测量,可调节另外两体的纠缠状态。在不做测量时,研究了在不同的初始状态下,三体纠缠及三体中两两纠缠的演化特性。结果表明,该体系纠缠都呈现周期性的振荡,特别是,通过选择合适的初始状态和演化时间可生成强壮纠缠态———W纠缠态;在特定演化时刻,可使两纠缠原子的纠缠信息完全转化到腔外原子和腔场中去。 相似文献
162.
163.
介绍了一种可用于实时监测直径0.2~1.0 mm激光核聚变靶球涂敷状态的光学系统的设计,系统采用环形LED照明系统以适合特殊的照明要求,用Petzval型物镜使500 mm处的微球清晰成像于CCD像面上,CCD输出的图像电信号经图像采集卡转换成数字信号,最后该数字信号由计算机进行处理,实现了系统对靶球膜层涂敷作业的自动监控,大大提高了涂敷效率。所设计的系统轴上点最大弥散斑直径为12.6 mm,轴外最大弥散斑直径为15.8 mm,整个视场的像质比较均匀,分辨率较高,对于波长522 nm的光线,场曲和畸变分别小于15 mm和0.012%,像质优良。 相似文献
164.
165.
在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学 气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横 截面上制备出浮雕型一维纳米级模板. 多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子 层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板. 通过控制多层膜子层的生长时间, 制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.
关键词:
纳米印章模板
多层膜生长技术 相似文献
166.
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
167.
把具有宽完全带隙的粗锐复合的周期常数为a的二维正方格子再与周期常数为a2的大周期简单正方格子复合,发现大周期正方格子起缺陷作用.并发现当a2<5a时,缺陷态明显地随入射角度变化.此变化随a2的增大而减少.用FDTD方法计算了其透射和反射谱,结果表明缺陷峰透射率与a2的大小成反比.另外还发现: 缺陷峰结构与大周期正方格子的圆柱直径的关系曲线与a2关系不大.通过调节大周期正方格子的圆柱的直径,可获得单
关键词:
光子晶体
光子能隙
复式结构
缺陷态 相似文献
168.
169.
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中.
关键词:
反极性电晕补偿充电法
铁电驻极体
充电电流
热刺激放电 相似文献
170.
总结两个保守映象不可逆地分段连续链接(称为类耗散系统)以及一个保守映象与一个耗散映象不可逆地分段连续链接(称为半耗散系统)情况下得到的五项共同动力学特征:不连续边界象集构成的随机网成为唯一的混沌轨道;由于某些相点具有两个逆象而导致的相空间塌缩(类耗散);由于系统的不连续不可逆性质而出现的胖分形禁区网;在具有吸引子共存时占据不连续边界象集随机网和胖分形禁区网区域的点滴状吸引域以及由此导致的吸引子不可预言性;即使在传统强耗散存在的情况下点滴状吸引域仍由类耗散机制主宰.以一个累积-触发电路为例,说明这五项系统动
关键词:
随机网
禁区网
点滴状吸引域 相似文献