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211.
Polyphysa peniculus was grown in artificial seawater in the presence of arsenate, arsenite, monomethylarsonate and dimethylarsinic acid. The separation and identification of some of the arsenic species produced in the cells as well as in the growth medium were achieved by using hydride generation–gas chromatography–atomic absorption spectrometry methodology. Arsenite and dimethylarsinate were detected following incubation with arsenate. When the alga was treated with arsenite, dimethylarsinate was the major metabolite in the cells and in the growth medium; trace amounts of monomethylarsonate were also detected in the cells. With monomethylarsonate as a substrate, the metabolite is dimethylarsinate. Polyphysa peniculus did not metabolize dimethylarsinic acid when it was used as a substrate. Significant amounts of more complex arsenic species, such as arsenosungars, were not observed in the cells or medium on the evidence of flow injection–microwave digestion–hydride generation–atomic absorption spectrometry methodology. Transfer of the exposed cells to fresh medium caused release of most cell–associated arsenicals to the surrounding environment. 相似文献
212.
YBa2Cu3O7-δ and Tl2Ba2CaCu2O8 thin films for microwave filters were synthesized by pulsed laser deposition and the two-step thalliation process. Substrate
quality requirements and the relation of thin film morphology, microstructure with microwave surface resistance were discussed. 相似文献
213.
本文研究DSP中的IIR数字滤波器的原理和用MATLAB在TMS320C5410EVM中设计IIR数字滤波器的过程和设计方法以及程序的调试方法。 相似文献
214.
本将小波分析方法用于一类奇异积分方程的计算,建立了小波展开的非标准形式与标准形式转换关系,根据Mallat小波快速算法,设计了此类积分的计算算法,并通过实际例子验证了方法的有效性,计算具有速度快,运算量少的特点。 相似文献
215.
216.
In this paper,applying the concept of generalized KKM map,we study problems ofvariational inequalities.We weaken convexity(concavity)conditions for a functional of two variables■(x,y)in the general variational inequalities.Last,we show a proof of non-topological degree meth-od of acute angle principle about monotone operator as an application of these results. 相似文献
217.
218.
Patterned uniformly (100)-orientated silicon nanocrystallite (SiNC) films were fabricated based on hydrogen ion implantation technique and typical electrochemical anodic etching method. The surface morphology and microstructure characteristics of the films were characterized by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and atomic force microscopy. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.2 V/μm at current density of 0.1 μA/cm2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1 mA/cm2 under a bias field of about 11 V/μm. The experimental results demonstrate that the SiNC films have great potential applications for flat panel displays. 相似文献
219.
220.
以1H-NMR谱和13C双自旋回波的APT脉冲序列测定文献中尚未曾发表的化合物HC≡C-CH2-O-CCH3-O-CH2文中计算了峰强度与脉冲间隔时间的关系,讨论了各谱线的相位并区分出-CH3、-CH2、-CH和季碳。 相似文献