关于一个数论函数的导数及应用

Kanemitsu教授给出了欧拉求和函数的推广公式Lu(x,a)=0n相似文献   

汉字识别的加工模型

通过文献分析,概述了认知心理学关于汉字识别过程及其加工机制研究的几种主要的加工模型,即经成分识别模型、多层次交互激活模型、连接主义模型、合体汉字字形识别模型和汉字识别的多层次格式塔双向加工模型.     

基于自相关的激光编码解算

分析了半自主激光制导武器的激光编码规律，提出了运用自相关技术对激光编码进行解算。通过仿真试验验证，运用该技术可准确预测、精确同步复制敌方激光编码，并形成有效的激光诱饵，达到全程自适应干扰的目的。     

基于FPGA的42英寸全色PDP存贮控制电路的实现

从等离子体平板显示器(PDP)的发光原理出发，分析和研究了存贮控制电路的工作原理，提出基于FPGA的电路设计方案，并给出数据整理电路和驱动信号产生电路的具体电路框图，最后给出部分仿真波形．     

基于突变论的林火蔓延分析

在对森林火灾进行能量和质量守恒分析的基础上,把尖点突变模型应用于森林火灾蔓延的预测,使突变理论在 森林火灾的模型中从理论上有了初步的应用。文中计算了林火发生突变时的一些分歧点,分析了林火突变的特点和变化规 律。     

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用2～8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.     

27,28P+28Si总反应截面增强及可能相关的机制

测量了27,28P和相应同中子异位素在28Si靶上的中能反应截面.测得N=12和13同中子异位素的反应截面在Z=15处突然增大.对Z≤14同中子异位素和28P的实验数据结果可以用改进的光学极限近似的Glauber理论很好地描述.28P的反应截面能够用扩大核芯以改进的Glauber理论来解释.但是,用改进光学极限和少体近似的Glauber理论却低估了27P的实验数据.理论分析表明,扩大的核芯加质子晕可能是响应27P+28Si反应截面增强的机制. The reaction cross sections of~(27,28)P and the corresponding isotones on Si target were measured at intermediate energies. The measured reaction cross sections of the N=12 and 13 isotones show an abrupt increase at Z=15. The experimental results for the isotones with Z≤14 and~(28)P can be described well by the modified Glauber theory of the optical limit approach. The enhancement of the reaction cross section for~(28)P could be explained by the modified Glauber theory with an enlarged core. Theoretical ana...     

红外图像掠海小目标的检测算法研究

针对红外图像掠海小目标信噪比低，且易受到水天线和背景杂波干扰的特点，提出了一种红外掠海小目标的提取与检测算法。该方法的特点是：首先采用中值滤波来减小噪声，并提出了差方和算法，用以抑制背景噪声并对目标增强；再采用了图像行扫描法有效地滤除水天线；最后通过弱化背景边缘和阈值分割等综合算法得到候选小目标。仿真结果表明，该算法达到了较好的效果。     

Enhancement of the emission yield of silicon nanocrystals in silica due to surface passivation

The ability of surface passivation to enhance the photoluminescence (PL) emission of Si nanocrystals in SiO₂ has been investigated. Silicon precipitation in implanted samples takes place in a time scale of few minutes at 1100°C. For longer annealing at the same temperature, the PL intensity of the Si nanocrystals increases and eventually reaches saturation, while it correlates inversely with the amount of Si dangling bonds at the Si–SiO₂ interface (P_b centers), as measured by electron spin resonance. This combined behavior is independent on the silica matrix properties, implantation profiles and annealing atmosphere and duration. The observation that the light emission enhancement is directly related to the annealing of P_b centers is confirmed by treatment in forming gas. This mild hydrogenation at much lower temperature (450°C) leads to a complete passivation of the P_b defects, increasing at the same time the PL yield and the lifetime.