全文获取类型
收费全文 | 19180篇 |
免费 | 2973篇 |
国内免费 | 2445篇 |
专业分类
化学 | 14502篇 |
晶体学 | 329篇 |
力学 | 1058篇 |
综合类 | 216篇 |
数学 | 1966篇 |
物理学 | 6527篇 |
出版年
2024年 | 27篇 |
2023年 | 296篇 |
2022年 | 520篇 |
2021年 | 607篇 |
2020年 | 710篇 |
2019年 | 703篇 |
2018年 | 565篇 |
2017年 | 573篇 |
2016年 | 899篇 |
2015年 | 876篇 |
2014年 | 1057篇 |
2013年 | 1424篇 |
2012年 | 1706篇 |
2011年 | 1772篇 |
2010年 | 1286篇 |
2009年 | 1106篇 |
2008年 | 1285篇 |
2007年 | 1102篇 |
2006年 | 1057篇 |
2005年 | 988篇 |
2004年 | 779篇 |
2003年 | 682篇 |
2002年 | 765篇 |
2001年 | 521篇 |
2000年 | 475篇 |
1999年 | 417篇 |
1998年 | 304篇 |
1997年 | 270篇 |
1996年 | 259篇 |
1995年 | 240篇 |
1994年 | 193篇 |
1993年 | 180篇 |
1992年 | 168篇 |
1991年 | 142篇 |
1990年 | 128篇 |
1989年 | 103篇 |
1988年 | 88篇 |
1987年 | 58篇 |
1986年 | 62篇 |
1985年 | 65篇 |
1984年 | 34篇 |
1983年 | 31篇 |
1982年 | 22篇 |
1981年 | 20篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 8篇 |
1974年 | 2篇 |
1971年 | 2篇 |
1957年 | 6篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Facile non‐lithographic route to highly aligned silica nanopatterns using unidirectionally aligned polystyrene‐block‐polydimethylsiloxane films
下载免费PDF全文
![点击此处可从《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Zhe Qiang Maurice L. Wadley Bryan D. Vogt Kevin A. Cavicchi 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2015,53(15):1058-1064
Thin films (monolayer and bilayer) of cylinder forming polystyrene‐block‐polydimethylsiloxane (PS‐b‐PDMS) were shear aligned by the swelling and deswelling of a crosslinked PDMS pad that was physically adhered to the film during solvent vapor annealing. The nanostructures formed by self‐assembly were exposed to ultraviolet‐ozone to partially oxidize the PDMS, followed by calcination in air at 500 °C. In this process, the PS segments were fully decomposed, while the PDMS yielded silica nanostructures. The highly aligned PDMS cylinders were thus deposited as silica nanolines on the silicon substrate. Using a bilayer film, the center‐to‐center distance of these features were effectively halved from 38 to 19 nm. Similarly, by sequential shear‐alignment of two distinct layers, a rhombic array of silica nanolines was fabricated. This methodology provides a facile route to fabricating complex topographically patterned nanostructures. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2015 , 53, 1058–1064 相似文献
22.
Jin Xie Yun-Wei Song Dr. Bo-Quan Li Dr. Hong-Jie Peng Prof. Jia-Qi Huang Prof. Qiang Zhang 《Angewandte Chemie (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2020,132(49):22334-22339
Polysulfide intermediates (PSs), the liquid-phase species of active materials in lithium–sulfur (Li-S) batteries, connect the electrochemical reactions between insulative solid sulfur and lithium sulfide and are key to full exertion of the high-energy-density Li-S system. Herein, the concept of sulfur container additives is proposed for the direct modification on the PSs species. By reversible storage and release of the sulfur species, the container molecule converts small PSs into large organosulfur species. The prototype di(tri)sulfide-polyethylene glycol sulfur container is highly efficient in the reversible PS transformation to multiply affect electrochemical behaviors of sulfur cathodes in terms of liquid-species clustering, reaction kinetics, and solid deposition. The stability and capacity of Li-S cells was thereby enhanced. The sulfur container is a strategy to directly modify PSs, enlightening the precise regulation on Li-S batteries and multi-phase electrochemical systems. 相似文献
23.
24.
就一般非完整约束系统,从约束方程满足的变分恒等式出发,利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分,即非完整变分:vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分,并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程:vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较,得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件.
关键词:
非完整约束
非完整变分
Chetaev条件
vakonomic动力学 相似文献
25.
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
关键词:
电迁移
铝互连
微结构 相似文献
26.
27.
许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的. 相似文献
28.
29.
30.