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991.
成对行为对行人疏散动力学的影响研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
周金旺  邝华  刘慕仁  孔令江 《物理学报》2009,58(5):3001-3007
熟悉的行人之间经常存在着聚集运动的整体跟随行为现象.为了研究这种行为对疏散过程的影响,考虑了行人的并排成对、前后成对、混合成对三种方式,建立了一个新的元胞自动机模型,研究了三种成对方式对双出口房间内行人疏散过程的影响,并分析、讨论了不同参数下成对方式之间的差异. 关键词: 行人流 元胞自动机 成对疏散 计算机模拟  相似文献   
992.
赵益清  刘玲  刘春雷  薛平  王建国 《物理学报》2009,58(5):3248-3254
应用双中心原子轨道强耦合方法研究了H+与里德伯态原子Li(5d)碰撞的电荷转移过程,计算了电子转移到氢原子各个n,l壳层(这里n为主量子数,l为角量子数)的态选择截面.结果发现,电荷转移的末态主要分布在与初态电子能量5d接近的n=4—7能级,该分布随碰撞能量的变化不大;但俘获末态的l分布对入射离子能量很敏感:在1 keV左右的低能时主要分布在高l的末态,随着碰撞能量增加峰值逐渐向低l方向移动,并在l= 关键词: 电子俘获过程 双中心原子轨道强耦合方法 态选择截面  相似文献   
993.
This paper compares the properties of silicon oxide and nitride as host matrices for Er ions.Erbium-doped silicon nitride films were deposited by a plasma-enhanced chemical-vapour deposition system.After deposition,the films were implanted with Er3+ at different doses.Er-doped thermal grown silicon oxide films were prepared at the same time as references.Photoluminescence features of Er3+ were inspected systematically.It is found that silicon nitride films are suitable for high concentration doping and the thermal quenching effect is not severe.However,a very high annealing temperature up to 1200° C is needed to optically activate Er3+,which may be the main obstacle to impede the application of Er-doped silicon nitride.  相似文献   
994.
徐京城  赵纪军 《物理学报》2009,58(6):4144-4149
采用基于密度泛函理论的第一性原理分子动力学方法对液态硝基甲烷的热分解行为进行了模拟,结合各产物布居数随时间的演化,讨论了热分解初期可能发生的3种反应,即分子内/分子间的质子迁移反应和C—N键的断裂.在长时间(30 ps)的模拟过程中,H2O是主要产物.研究了液态硝基甲烷在不同密度(压力)条件下热分解的动力学行为.发现不同密度(压力)条件下液态硝基甲烷热分解呈现明显不同的变化趋势,并给出了解释. 关键词: 硝基甲烷 分子动力学 热分解 压力效应  相似文献   
995.

Quantum watermarking technology protects copyright by embedding an invisible quantum signal in quantum multimedia data. This paper proposes a two-bit superposition method which embeds a watermark image (or secret information) into a carrier image. Firstly, the bit-plane is used to encrypt the watermark image. At the same time, the quantum expansion method is used to extend the watermark image to the same size with the carrier image, and then the image is encrypted through the Fibonacci scramble method again. Secondly, the first proposed method is the two bits of the watermark image which is embedded into the carrier image in accordance with the order of the high and lowest qubit, and the second proposed method which is the high bit of the watermark image is embedded to the lowest bit. Then the lowest bit of the watermark image is embedded in carrier image. Third, the watermark image is extracted through 1-CNOT and swap gates, and the watermark image is restored by inverse Fibonacci scramble, inverse expansion method and inverse bit-plane scramble method. Finally, for the validation of the proposed scheme, the signal-to-noise ratio (PSNR), the image histogram and the robustness of the two watermarking methods are analyzed.

  相似文献   
996.
In this exploratory study, near-threshold scattering of D and \begin{document}$\bar{D}^*$\end{document} meson is investigated using lattice QCD with \begin{document}$N_f=2+1+1$\end{document} twisted mass fermion configurations. The calculation is performed in the coupled-channel Lüscher finite-size formalism. The study focuses on the channel with \begin{document}$I^G(J^{PC})=1^+(1^{+-})$\end{document} where the resonance-like structure \begin{document}$Z_c(3900)$\end{document} was discovered. We first identify the two most relevant channels and the lattice study is performed in the two-channel scattering model. Combined with the two-channel Ross-Shaw theory, scattering parameters are extracted from the energy levels by solving the generalized eigenvalue problem. Our results for the scattering length parameters suggest that for the particular lattice parameters that we studied, the best fit parameters do not correspond to the peak in the elastic scattering cross-section near the threshold. Furthermore, in the zero-range Ross-Shaw theory, the scenario of a narrow resonance close to the threshold is disfavored beyond the 3\begin{document}$\sigma$\end{document} level.  相似文献   
997.
采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引 关键词: 原子层淀积 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 温度特性  相似文献   
998.
论述了视场扩大型成像光谱仪的核心部件——组合Wollaston棱镜的结构和分光机理;应用波法线追迹法分析了光在任意方位入射面内,以任意角入射时组合Wollaston棱镜中的波矢传播规律;推导出了光在棱镜中的传播方向及出射点坐标;给出了传播过程中e光和o光之间光程差的理论表达式;采用计算机模拟,给出了光程差随入射角和入射面方位角的变化曲线;在此基础上对组合Wollaston棱镜扩大光谱仪视场的原理进行了深入分析和讨论.上述研究对偏振干涉成像光谱技术的理论研究与技术创新,对自行设计的稳态大视场偏振干涉成像光谱 关键词: Wollaston棱镜 偏振干涉成像光谱仪 波法线追迹法 视场扩大原理  相似文献   
999.
磁化等离子体光子晶体缺陷态的研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
章海锋  马力  刘少斌 《物理学报》2009,58(2):1071-1076
采用磁化等离子体的分段线性电流密度卷积时域有限差分(PLCDRC-FDTD)算法研究具有单一缺陷层的一维磁化等离子体光子晶体的缺陷模特性. 从频域角度分析得到微分高斯脉冲的透射率,并讨论该光子晶体的缺陷层厚度、位置、周期常数和等离子体参数对其缺陷模的影响. 结果表明,改变位置和周期常数不会影响缺陷模的频率,改变缺陷层的厚度可以增加缺陷模数,改变等离子体参数能同时影响缺陷模的频率和峰值. 关键词: 磁化等离子体光子晶体 光子晶体 缺陷模 时域有限差分法  相似文献   
1000.
采用Potts模型Monte Carlo方法研究了晶粒棱长、尺寸与拓扑学特征之间的统计关系.结果表明,晶粒棱长与晶粒面数之间呈线性统计关系,并且平均N面体晶粒模型和Poisson-Voronoi组织均支持该结论.不同时刻的晶粒长大仿真数据表明,在准稳态晶粒长大阶段晶粒棱长的分布具有自相似性.个体晶粒的平均棱长随晶粒面数(或晶粒尺寸)的增加而逐渐增大,这说明一些理论模型中采用的“不同面数的晶粒平均棱长均相等”的假设具有局限性.仿真数据和纯铁实验数据均表明,晶粒尺寸与晶粒面数之间的统计关系表现为一条单调递增的凸曲线. 关键词: 晶粒棱长 晶粒尺寸 拓扑学 Monte Carlo仿真  相似文献   
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