进口锆英砂放射性γ能谱分析

利用γ能谱分析技术对2个产地共17个进口锆英砂样品中的放射性核素226Ra、232Th和40K进行了定量分析,并提出了一种新的样品自吸收修正方法。结果:产地1样品中226Ra的比活度均值为2399.75Bq/kg,232Th的比活度均值为422.72Bq/kg;产地2样品中226Ra的比活度均值为1852.91Bq/kg,232Th的比活度均值为455.45Bq/kg;2个产地样品中40K的比活度均很低。研究表明,锆英砂样品中放射性主要来源是226Ra、232Th。两产地样品中232Th的放射性比活度相差较小,而226Ra的放射性比活度差别明显。同一产地样品中放射性核素比活度也存在较大差异。样品自吸收对分析结果的影响可达10%—30%,须进行自吸收修正。     

铜导线短路熔痕的XPS研究

利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含量变化不大,C含量逐渐消失且有Cu₂O相的中间层;无Cu₂O相,O含量显著减少的过渡层。而将二次短路熔痕表面膜层分为两部分：C含量迅速减少的近表面层;无Cu₂O相,C和O量逐渐减少层。由此可见,一次短路熔痕的表面膜层与基体分界明显,有显著的过渡层,而二次短路熔痕的表面膜层与基体分界不明显,无过渡层。综上所述,可以根据两种短路熔痕是否含有Cu₂O相以及定量分析结果来区分两种熔痕,为判断火灾原因提供新的技术依据。     

基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiN_x子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiN_x子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上. 关键词： 氮化硅 多层膜 限制结晶 纳米晶硅     

基于改进元胞自动机的数字保密通信方案

为了提高现有混沌保密通信系统的加解密速度和安全性,提出了一种新的即时同步流密码数字保密通信方案,在该方案中利用改进元胞自动机进行加密,并采用扩展密钥技术和置乱技术.数值模拟结果表明:该方案能产生随机性很好的流密码,并且具有较高的加解密速度和非常高的抗破译能力.     

140A MeV~(40,48)Ca和~(58,64)Ni炮弹碎裂反应产物的统计擦碎模型计算

用统计擦碎模型计算了140AMeV40,48Ca+9Be和58,64Ni+9Be弹核碎裂反应产物的截面.通过对碎片截面计算结果和实验测量结果的比较发现,采用自由空间的核子-核子反应截面计算时,对非中心反应产物的截面拟合很好,而对中心反应产物的截面有较大高估,而采用饱和密度相关的核子-核子反应截面计算时,对非周边反应产物的截面拟合较好,而对周边反应产物的截面有一定程度的低估.在统计擦碎模型中,对核子-核子反应截面进行细致的介质密度关联,可能会改进计算值与实验值的符合程度.     

掺铒的纳米相氟氧化物玻璃陶瓷的多光子红外量子剪裁

研究了掺铒的纳米相氟氧化物玻璃陶瓷(Er(3):FOV)的红外量子剪裁现象,测量了红外和可见的Er(3):FOV的荧光光谱.结果发现光激发²H_11/2能级的⁴ I_13/2→⁴I_15/2荧光跃迁的近似量子剪裁效率已达约186.28%.计算了有关的无辐射弛豫速率、自发辐射速率和能量传递速率,分析了有关的能量传递动力学过程,发现     

Raman光谱研究厚度对La0.9Sr0.1MnO3/Si薄膜结构的影响

通过溶胶-凝胶旋涂方法结合后退火工艺在Si（100）上制备了不同厚度的La_0.9Sr_0.1MnO₃（LSMO）薄膜,利用X射线衍射（XRD）和共焦显微拉曼散射（Raman）研究了LSMO/Si（100）薄膜的微结构．研究结果表明90 nm厚的LSMO薄膜具有正交相结构,当厚度大于150 nm时,薄膜具有菱方相结构. 150 nm厚的薄膜的Raman图谱中,490 cm^-1和602 cm^-1正交结构 关键词： 薄膜 1-xSr_xMnO₃')" href="#">La_1-xSr_xMnO₃ 共焦显微拉曼 微结构     

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体（Ga,Mn）As的电学噪声性质.通过测量（Ga,Mn）As材料的自发噪声谱,发现（Ga,Mn）As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低（Ga,Mn）As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的（Ga,Mn）As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异：当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解（Ga,Mn）As磁性起源的物理机制. 关键词： 自旋电子学 稀磁半导体 自发涨落谱     

The scattering states of the generalized Hulthén potential with an improved new approximate scheme to the centrifugal term

This paper finds the approximate analytical scattering state solutions of the arbitrary l-wave Schr?dinger equation for the generalized Hulthén potential by taking an improved new approximate scheme for the centrifugal term. The normalized analytical radial wave functions of the l-wave Schr?dinger equation for the generalized Hulthén potential are presented and the corresponding calculation formula of phase shifts is derived. Some useful figures are plotted to show the improved accuracy of the obtained results and two special cases for the standard Hulthén potential and Woods--Saxon potential are also studied briefly.     

Research on the boron contamination at the p/i interface of microcrystalline silicon solar cells deposited in a single PECVD chamber

This paper studies boron contamination at the interface between the p and i layers of μ c-Si:H solar cells deposited in a single-chamber PECVD system. The boron depth profile in the i layer was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy. It is found that the mixed-phase μ c-Si:H materials with 40% crystalline volume fraction is easy to be affected by the residual boron in the reactor. The experimental results showed that a 500-nm thick μ c-Si:H covering layer or a 30-seconds of hydrogen plasma treatment can effectively reduce the boron contamination at the p/i interface. However, from viewpoint of cost reduction, the hydrogen plasma treatment is desirable for solar cell manufacture because the substrate is not moved during the hydrogen plasma treatment.