软X射线条纹相机透射式Au与CsI阴极谱响应灵敏度标定

本文利用北京同步辐射光源(BSRF), 提出了对条纹相机Au和CsI透射阴极谱响应灵敏度进行绝对标定的方案, 给出了在60—5500 eV能区的绝对谱响应灵敏度, 标定不确定度好于10%. 同时, 基于Henke等人的计算模型, 给出了透射阴极的相对谱响应灵敏度, 并且进行了CH支撑衬底X射线透过率的修正. 结果表明标定值与理论值符合较好.     

光电光谱法分析钢中钙

本文研究了用光电光谱法测定钢中钙的方法 ,确定了最佳分析条件 ,分析了共存元素的干扰情况。用本方法测定钢中钙 ,具有良好的准确度和精密度 ,结果令人满意。     

Z状顺磁性化合物[{Cu(bipy)[C6H4(COO)2]}2·H2O]n和[Cu(phen)[C6H4(COO)2]]n的分子振动光谱研究

用分子振动光谱对已合成的具有顺磁性的化合物 [{Cu(bipy) [C6H4(COO) 2 ]} 2 ·H2 O]n(Ⅰ )和 [Cu( phen) [C6H4(COO) 2 ]]n(Ⅱ )进行深入研究 ,推测它们的结构 ,并将得到的结果与X射线晶体衍射测定的结构进行比较。文章对化合物的红外、拉曼光谱进行归属 ,还讨论了分子振动光谱与结构的关系     

无限维空间中的实零点定理

在本文中，我们建立了无限维空间中的实零点定理，同时从仿射空间的拓扑结构和域的序结构两个方面，分别刻划了适合无限维实零点定理的序域．此外，本文有例子表明，对任意的基数α，确实存在适合α维实零点定理的序域．     

用于解决大规模波长路由光网中路由和波长分配问题的新启发式算法

本文提出了一种新的启发式算法,它将路由和波长分配问题分解为两个子问题分别进行优化求解,并以最小化波长需求作为目标函数。在不同通信负荷的情况下,我们以NSF网为例,分析了波长通道(WP)和虚波长通道(VWP)路由方案之间在波长需求方面的差别。同时还研究了网络波长重用度的问题。数值结果表明所提出的算法可有效地应用于大规模波长路由光网。     

分子整流器的相关技术

分子整流器的相关技术是研究器件基础理论和未来付诸应用的关键问题之一。由于分子材料的特殊物理化学性质,原本成熟的普通半导体工艺不再适用。本文综述了目前在分子整流器研究领域广泛使用的相关技术,介绍了分子有序排列的各种组装技术,ＳＴＭ技术,电极制备技术等。分子器件的深入研究将会引起信息处理系统和材料科学的发展,对未来科学技术和社会发展产生深远的影响。     

中空等离子体通道中强激光脉冲对电子的加速

分析了中空等离子体通道内传播的强激光脉冲电磁场中注入电子的运动,发现当激光脉冲强度超过某个阈值时,电子能获得有效的纵向加速并自动与脉冲分离.所得结果为实验提供了参考和依据.     

MPEG音频编码的高效算法研究及单片DSP实现

ＩＳＯ标准推荐ＭＰＥＧ－１音频编码算法要实现起来运算复杂,为便于单片ＤＳＰ实现,算法可以优化。本文简要分析了该算法的各个模块并估计了它们的运算复杂性,然后对子带滤波和心理声学模型作了进一步的探讨,提出了基于逆余弦变换（ＩＤＣＴ）的子带滤波的高效实现算法和不用ＦＦＴ或只用部分ＦＦＴ的快速心理声学掩蔽计算模型。最后用单片ＴＭＳ３２０Ｃ３１＠４０ＭＨｚ实现了ＭＰＥＧ－１层２编码算法。     

电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降低, 辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%; 退火后电荷转移效率恢复较小, 电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷. 通过总结试验规律, 推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子k_damage.     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.