Investigation of the near-threshold cluster resonance in ~(14)C

An experiment for p(~(14)C,~(14)C~*→~(10)Be+α)p inelastic excitation and decay was performed in inverse kinematics at a beam energy of 25.3 Me V/u.A series of~(14)C excited states,including a new one at 18.3(1)Me V,were observed which decay to various states of the final nucleus of~(10)Be.A specially designed telescope system,installed around zero degrees,played an essential role in detecting the resonant states near theα-separation threshold.A state at 14.1(1)Me V is clearly identified,being consistent with the predicted band-head of the molecular rotational band characterized by theπ-bond linear chain configuration.Further clarification of the properties of this exotic state is suggested by using appropriate reaction tools.     

大非线性相移下光学非线性Z扫描特性的研究

采用高斯分解法(GD)对大非线性相移下的Z扫描特性进行了分析，通过对数值算法的优化，将GD推广到对脉冲入射激光下大非线性相移下的Z扫描理论分析.对不同条件下大非线性相移Z扫描曲线峰谷结构的比较，发现在大非线性相移的情况下，Z扫描曲线的峰和谷随透过光阑或入射光强变化表现出某些新的特性.随着透过光阑孔径的增加，Z扫描曲线峰的变化要明显快于谷的变化，而且在谷明显存在的情况下，峰很快消失.采用皮秒脉冲激光下的纯二硫化碳实验对理论结果加以验证，实验结果和理论分析相一致.我们的分析结果对大非线性相移下Z扫描测量有一定的指导性意义，避免在大非线性相移下对Z扫描结果产生错误的分析. 关键词： 大非线性相移 高斯分解法 Z扫描     

基于自适应主动及滑模控制的分数阶超混沌系统异结构反同步

以超混沌Chen系统和超混沌Lorenz系统为例,研究了慢时变参数超混沌系统的反同步问题.首先利用主动控制的思想,消去超混沌系统中的非线性部分,然后基于Lyapunov稳定性理论,合理地选取参数自适应控制律,很好的解决了时变参数的参数摄动问题,从而实现了两个超混沌系统的反同步.在此基础之上,又进一步研究了分数阶超混沌系统,使用滑模控制方法对其进行控制,理论上分析了该方法的可行性.数值模拟实验进一步验证了所提出方法的有效性. 关键词： 超混沌 分数阶 自适应 滑模     

钨酸锌晶体的受激拉曼散射和光致发光研究

采用皮秒532nm 激光激发，研究了ZnWO₄晶体的受激拉曼散射和本征荧光发射.在SRS光谱中观察到一级(558.7nm)和二级(588.6nm)斯托克斯光，线宽分别为130和77cm^－1, 一级斯托克斯光的抽运阈值为6.8mJ.在532nm激光抽运下ZnWO₄晶体的荧光光谱呈现出由能量为2.30，2.45和2.83eV的3个高斯分量组成的独特结构.光致发光表明晶体具有从400nm到650nm的宽带本征发光，其峰值波长为472.0nm，相应于钨氧之间的辐射跃迁. 关键词： 晶体 钨酸锌 受激拉曼散射 闪烁体     

高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上，用高电荷态⁴⁰Ar^q+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中，通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能，系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明，作为引起表面电子发射的两个主要因素，单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.     

CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应

对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在－2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为－3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对¹³⁷Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%.     

Abnormal positive thermal expansion in Mo substituted ZrW2O8

ZrW₂O₈ displays the unusual property of an isotropic bulk contraction in volume as a function of temperature. We report here on the positive thermal expansion (PTE) property caused by substituting Mo for W sites in ZrW₂O₈ at room temperature. The room temperature crystal structure of ZrW_2−xMo_xO₈ compounds, which were synthesized using a low temperature route, could be divided into ordered phase with α-ZrW₂O₈ structure (0≤x≤0.5) and disordered phase with β-ZrW₂O₈ (0.5<x≤1.5) and c-ZrMo₂O₈ structure (1.5<x≤2). ZrW_2−xMo_xO₈ adopting β-ZrW₂O₈ structure shows abnormal PTE property at room temperature due to the existence of water molecules, while ZrW_2−xMo_xO₈ adopting the other two structures (α-ZrW₂O₈ and c-ZrMo₂O₈) shows negative thermal expansion (NTE) property from room temperature until decomposition for α-ZrW₂O₈ structure or trigonal phase transition for c-ZrMo₂O₈ structure. The reason lies in the fact that the oxygen migration caused by the Mo substitution leads to the re-arrangement of W(Mo)O₄ tetrahedra lying along the 3-fold axis, only particular W/Mo ratio (0.5<x≤1.5) produces a special crystal structure, which allows the entrance of water molecules.     

Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究

在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 关键词：