首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   418篇
  免费   78篇
  国内免费   183篇
化学   337篇
晶体学   6篇
力学   31篇
综合类   17篇
数学   46篇
物理学   242篇
  2024年   6篇
  2023年   8篇
  2022年   9篇
  2021年   14篇
  2020年   19篇
  2019年   14篇
  2018年   10篇
  2017年   19篇
  2016年   14篇
  2015年   22篇
  2014年   24篇
  2013年   39篇
  2012年   34篇
  2011年   43篇
  2010年   30篇
  2009年   38篇
  2008年   41篇
  2007年   29篇
  2006年   44篇
  2005年   40篇
  2004年   29篇
  2003年   24篇
  2002年   23篇
  2001年   22篇
  2000年   23篇
  1999年   12篇
  1998年   6篇
  1997年   7篇
  1996年   4篇
  1995年   4篇
  1994年   4篇
  1993年   3篇
  1991年   3篇
  1990年   5篇
  1989年   4篇
  1988年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   2篇
  1980年   2篇
  1979年   1篇
  1977年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有679条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
以苯甲酸乙酯的制备实验为例,将合成方法学研究引入有机化学实验教学。采取抽签方式确定每个学生的实验内容,通过考查加热方式(电热套或微波辐射加热)、溶剂(甲苯或环己烷)以及反应时间对实验结果的影响,使学生了解科学研究的方法,并通过文献查阅及实验结果分析讨论等教学实践环节提高学生的创新思维和科研能力。  相似文献   
62.
常见连续型统计分布的一点注记   总被引:1,自引:0,他引:1  
正态分布是概率论与数理统计中最重要的一个分布,本文讨论了常见的连续型统计分布与标准正态分布间的关系,结果表明:几乎所有的常见连续型统计分布都是标准正态分布的函数.  相似文献   
63.
半导体纳米晶体(NCs)具有良好的光稳定性,广泛的发射持久性和高消光系数,在过去几年被广泛研究报道,其中,硒化镉半导体纳米晶体(CdSe NCs)被广泛用于电子照明、太阳能发电、光电传感等领域.然而CdSe NCs的电学、热力学和光物理性质具有较强的尺寸依赖性,在传统的制备方法及应用中容易出现晶体表面缺陷和悬空键以及较...  相似文献   
64.
Laser performance of 1064 nm domestic Nd:YAG ceramic lasers for 885 nm direct pumping and 808 nm traditional pumping are compared. Higher slope efficiency of 34% and maximum output power of 16.5 W are obtained for the 885nm pump with a 6ram length 1 at.% Nd:YAG ceramic. The advantages for 885nm direct pumping are discussed in detail. This pumping scheme for highly doping a Nd:YAG ceramic laser is considered as an available way to generate high power and good beam quality simultaneously.  相似文献   
65.
Research and development of a 1.3 GHz 9-cell cavity test cryomodule were carried out by a collaboration group between IHEP (Institute of High Energy Physics) and TIPC (Technical Institute of Physics and Chemistry) in China. The cryomodule is a "test model" for the ILC cryomodule, and a key component of a superconducting accelerator test unit which will be built in the near future, also can be used as a horizontal test facility for 1.3~GHz 9-cell cavities. This paper presents the development status of the cryomodule, including structure design, cryogenic flow diagram, thermal and mechanical simulations, heat load estimation and etc.  相似文献   
66.
利用射频磁控溅射方法,在n+-Si衬底上淀积SiO2/Si/SiO2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n+-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n+-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是:反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光. 关键词: 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿  相似文献   
67.
It is shown that the effective gluon propagator in the global color symmetry model can be calculated in the instanton dilute liquid approximation. The calculated effective gluon propagator is consistent with the general command on the qualitative features of the gluon propagator, i.e., (i) the gluon propagator is significantly enhanced at small space-like k2, and (ii) for k2 > 1.5 GeV2 the perturbative results are quantitatively reliable.  相似文献   
68.
本文研究了铁(Ⅲ)-PEG(聚乙二醇-2000)-钍试剂-Na2SO4体系的析相光度法并应用于测定Fe(Ⅲ),最适酸度为4.6(NaAc-HAc)缓冲溶液,其络合物的最大吸收位于566nm,表观摩尔吸光系数为8.06×103L·mol-1·cm-1。Fe(Ⅲ)浓度在0—30μg·mL-1范围内服从比耳定律,该方法用于发样中铁的测定,获得了满意结果  相似文献   
69.
水热法合成了2个镧系配合物[Ln(3,4-DFBA)3(phen)(H2O)]2(H2O)2(Ln=Sm (1),Ho (2);3,4-DFBA=3,4-二氟苯甲酸, phen=菲咯啉)。利用X-射线单晶衍射仪测定了配合物的晶体结构。配合物12结构相同,配位数为8,属于三斜晶系,空间群为P1。相邻的2个双核分子之间通过分子间氢键作用形成了2D层状结构。并用元素分析,红外,紫外,XRD等手段对目标配合物进行了表征。用TG-DTG技术测定了配合物的热稳定性,同时对配合物1的荧光性能进行了研究。另外,还测定了这两种配合物对白色念珠菌,革兰氏阳性菌(大肠杆菌)以及革兰氏阴性菌(金黄色葡萄球菌)的抑菌活性。  相似文献   
70.
标准互相关的灰度无关特性及其应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
对用于图像特征定位的标准互相关算子灰度无关特性展开了研究.由于在显微视觉中的大多数图像灰阶较低,接近于三值甚至二值图像;可籍此灰度无关特性对模板匹配的算法进行优化.实验结果表明,标准互相关的灰度无关特性可以在实际中指导设计模板图像,降低相关运算计算速度,以及指导改善照明条件.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号