Re-study of Nucleon Pole Contribution in J/

[1]V.D.Burkert,Phys.Lett.B 72 (1997) 109. [2]S.Capstick and W.Roberts,Prog.Part.Nucl.Phys.45 (2000) S241,and references therein. [3]B.S.Zou,Nucl.Phys.A 675 (2000) 167c; B.S.Zou,Nucl.Phys.A 684 (2001) 330; BES Collaboration (J.Z.Bai,et al.) Phys.Lett.B 510 (2001) 75; BES Collaboration (M.Ablikim,et al.),hep-ex/0405030. [4]R.Sinha and Susumu Okubo,Phys.Rev.D 30 (1984)2333. [5]W.H.Liang,P.N.Shen,B.S.Zou,and A.Faessler,Euro.Phys.J A 21 (2004) 487. [6]Particle Data Group,Euro.Phys.J.C 15 (2000) 1. [7]K.Tsushima,A.Sibrtsev,and A.W.Thomas,Phys.Lett.B 390 (1997) 29. [8]J.Kogut,Rev.Mod.Phys.51 (1979) 659; Rev.Mod.Phys.55 (1983) 775. [9]Q.Haider and L.C.Liu,J.Phys.G 22 (1996) 1187; L.C.Liu and W.X.Ma,J.Phys.G 26 (2000) L59. [10]V.G.J.Stoks,R.A.M.Klomp,C.P.F.Terheggen,and J.J.de Swart,Phys.Rev.C 49 (1994) 2950. [11]H.Haberzettl,C.Bennhold,T.Mart,and T.Feuster,Phys.Rev.C 58 (1998) R40. [12]Y.Oh,A.I.Titov,and T.-S.H.Lee,Phys.Rev.C 63(2001) 25201.     

磁稳定床反应器(英文)

介绍了磁稳定床反应器在国际上的首次工业应用,它集成了浆态床、固定床、移动床和流化床等反应器的优点. 通过调整线圈间距、在反应器内设置磁隔栅构件,实现了均匀磁场的放大; 绘制出磁稳定床反应器链式操作相图. 将非晶态Ni优异的加氢性能和磁性与磁稳定床反应器反应过程强化性能相结合,实现了在己内酰胺加氢精制过程的工业应用,并建成5套20～40万吨/年工业装置. 磁性催化剂与磁稳定床反应器相结合,强化了甲烷化、乙炔选择性加氢和烯烃叠合等反应过程,形成了新技术生长点.     

SIMULATION OF OCCUPATION FUNCTION FOR THERMALLY STIMULATED CONDUCTIVITY IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS

The occupation functions for the general condition f(E,T), for the high field approx-imation (HTSC) f_H(E,T) and for the steady state photoconductivity (SSPC) f_P(E,T) in the thermally stimulated conductivity (TSC) of amorphous semiconductors have been inves-tigated. It was found that the occupation function f(E,T) in TSC is in excellent agreement with the occupation function in SSPC f_P(E,T) under the condition of σ_TSC(T) = σ_P(T).There is a large difference between f_P(E,T) and f_H(E,T), which can be much reduced by introducing an effective attempt to escape frequency ν_eff in the calculation of f_H (E, T). The results show that the mobility-lifetime product (μτ) in TSC obtained from SSPC measure-ments under the above condition is valid. For high field approximation TSC, the simulated ν_eff is found to be temperature dependent.     

一株嗜温高效产氢细菌Clostridium sp.08-1的分离鉴定与产氢特征

从10L连续搅拌式罐式反应器(CSTR)中分离得到1株嗜温高效产氢菌株08-1.根据菌株的形态特征和16S rDNA序列结果分析,初步鉴定菌株08-1属于Clostridium sp..同时还进一步研究了温度、pH值控制、底物浓度和种类对菌株08-1产氢的影响.结果表明.该菌株更适合利用蔗糖或成分复杂的生物质木薯粉以及废弃物厨余垃圾生长及产氢,最适产氢温度为40℃,产氢系统pH值控制在5.5时获得最大产氢量.在间歇发酵中,蔗糖浓度为20 g/L,控制温度40℃,pH值5.5,搅拌速度100 r/min时实现最大产氢速率为245 mL·(L·h)~(-1),最大产氢量达到3.06 mol.该菌株在生物制氢中具有潜在的应用价值.     

基于氧气A吸收带的baseline拟合距离反演算法

目标红外被动测距的实现同气体及其波段的选取密切相关。氧气A吸收带具有独特的谱线结构,对于火箭羽流或者高温辐射体的距离探测,氧气A吸收带是最佳的距离反演通道。利用该特点,详细研究了逐线积分算法(LBLRTM),并设计了氧气A带吸收系数及标准光谱计算软件;利用A吸收带吸收光谱带外数据,采用多项式拟合方法,实现基线(baseline)拟合,进而得到带平均透过率;在不同的距离条件下,将两种带平均透过率进行对比,误差在1.9%左右,拟合精度较高,该方法为后续距离的精确反演提供了理论依据。     

飞秒激光剥蚀-多接收电感耦合等离子质谱原位微区分析青铜中铅同位素组成-以古铜钱币为例

建立了飞秒激光剥蚀-多接收电感耦合等离子质谱(fLA-MC-ICPMS)铅同位素原位微区分析方法,分别利用溶液法(SN-MC-ICPMS)和激光剥蚀法(fLA-MC-ICPMS)对15个铜(黄铜,青铜)国家标准物质进行了实验分析,测试的结果表明CuPb12(GBW02137)中Pb同位素组成非常均一,可作为以铜为基体的青铜、黄铜及铜矿中Pb同位素原位微区分析的外部参考物质。对CuPb12进行了112次fLA-MC-ICPMS Pb同位素分析测试,其加权平均值与溶液法测定的Pb同位素比值在2σ误差范围内完全一致,208 Pb/204 Pb和207Pb/206Pb比值的内部精度RSE分别小于90和40ppm,外部精度RSD分别小于60和30ppm。利用本实验室建立的fLA-MC-ICPMS分析方法对13个古铜钱币中Pb同位素进行了原位微区无损伤分析,测试结果表明,不同朝代古钱币中Pb同位素组成差异较大,即使同一朝代的古钱币其Pb同位素组成也不尽相同。     

光束偏转法自动测试激光等离子体冲击波系统的研制

根据光束偏转原理，研制了激光等离子体冲击波自动测试系统的硬件和软件。该系统使用计算机与可编程序控制器作为上下位机，采取上下位机通讯的方式控制步进电机及二维移动架的移动，以改变探测光的相对位置，并利用单模光纤和光电倍增管将探测到的光偏转信号传入数字示波器进行存储，最后计算机将示波器中采集到的光偏转信号进行分析处理。使用该系统对激光等离子冲击波的衰减过程进行了实际测试，得到了较为理想的实验结果。     

Top介子与HERA和THERA对撞机上的单顶夸克产生

讨论计算了TC2模型预言的Top介子在HERA和构想中的THERA对撞机上对t道eq→et过程中的单顶夸克产生的贡献.结果表明:中性Top介子对ec→et过程中的单顶夸克产生有较大的贡献.在绝大部分参数空间内,过程的产生截面在1—6pb范围内,因此,在HERA和THERA对撞机上通过eq→et过程可探测中性Top介子的可能物理迹象     

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

利用射频磁控溅射方法,在n⁺-Si衬底上淀积SiO₂/Si/SiO_{2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n⁺-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n⁺-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n^＋-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是：反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n⁺-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光. 关键词： 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿}     

混合物质原子结构的自洽场计算

基于含温有界Hartree-Fock-Slater相对论自洽场平均原子模型,应用体积相加原理,计算混合物质的原子结构.给出了求解混合物的Thomas-Fermi方程以及自洽场原子结构的方法,并就一些计算结果作了讨论. 关键词： 混合物 原子结构 Thomas-Fermi模型