非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展

ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点.传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系.而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性.本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展.     

TA2表面磁控溅射CNx/SiC薄膜的纳米压痕与摩擦磨损性能

采用室温磁控溅射技术在工业纯钛(TA2)表面制备出氮化碳/碳化硅(CNx/SiC)双层薄膜,SiC为中间层.研究了CNx薄膜的纳米压痕行为和摩擦磨损性能.试验结果表明:CNx薄膜的纳米硬度(H)为15.80 GPa,杨氏弹性模量(E)为130.88 GPa,硬度与弹性模量比值(H/E)为0.121;与φ4mm的氮化硅球对摩,在载荷1.96 N、室温Kokubo人体模拟体液条件下,CNx薄膜的磨损速率为10-6mm3/(m·N)级,摩擦系数约为0.124,磨损后薄膜未出现裂纹和剥落.分析表明,薄膜具有的良好抗磨性能与其H/E高、抗腐蚀性强以及摩擦系统摩擦系数低相一致.     

低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟

应用单次碰撞的直接Monte Carlo方法计算能量范围从100 eV~10 keV的电子在固体Al,Si,Au表面的背散射系数,其中低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射截面分别应用Mott散射截面和Born近似下的广义振子强度计算模型得到.通过与压缩历史Monte Carlo方法的模拟计算结果及实验值的比较,结果表明,对于100 eV~10 keV范围的低能区电子,采用直接方法计算得到的电子背散射系数与实验值符合较好,直接方法比压缩历史方法更适合于能量在10 keV以下的电子输运计算.     

Nd:YVO4/YVO4晶体的热键合及其激光性质的研究

为改善高功率激光器激光工作物质的热效应,本文采用热键合的方法研制了Nd:YVO4/YVO4复合晶体,键合晶体的波前干涉P-V值为0.082λ(λ=0.6328μm),键合面对波前的影响很小.它在LD端面连续泵浦条件下,从泵浦光到基频光的转换效率可达60;, 特别当泵浦功率比较大时,键合晶体的输出功率比单块晶体有较大的提高.     

辐射致DNA损伤及相关生物-化学-物理问题(英文)

介绍了在DNA辐射损伤以及相关生物、物理、化学问题的一些研究工作。重点是径迹结构、DNA双链断裂和细胞学终点的关系。P53-Mdm2负反馈回路在DNA损伤的细胞响应方面起重要作用,用一个简单的模型研究了P53-Mdm2负反馈回路相互作用的动力学行为。Some of recent works are presented on radiation induced DNA damage being carried out at China Institute of Atomic Energy （CIAE） and related bio-chemi-physical problems. Emphasis is placed on track structure and its relation to the cell end-point, and a simple model proposed to study the dynamical behavior of P53-Mdm2 interaction which plays pivotal role in cellular response to DNA damage.     

可储能原则在一类岩爆问题中的研究和应用

从能量的角度对一类岩爆问题--应变型岩爆进行一些探讨.对此类岩爆能量的来源、能量的去处及能量释放的原因和大小进行了完整的论述.提出了岩体的可储能原则--岩体可存储的能量并非定值,而是随应力状态的变化而改变,当应力发生突变,岩体内实际存储的能量大于可储能时,多余的能量必将以各种形式瞬间释放,其中包括动能.根据此准则对简化了的一维、三维模型进行了详细的分析和计算,并结合离散元软件3DEC再现了三维卸载岩爆的破坏过程.     

Relaxation Property and Stability Analysis of the Quasispecies Models

The relaxation property of both Eigen model and Crow-Kimura model with a single peak fitness landscape is studied from phase transition point of view. We first analyze the eigenvalue spectra of the replication mutation matrices. For sufficiently long sequences, the almost crossing point between the largest and second-largest eigenvalues locates the error threshold at whichcritical slowing down behavior appears. We calculate the critical exponent in the limit of infinite sequence lengths and compare it with the result from numerical curve fittings at sufficiently long sequences. We find that for both models the relaxation time diverges with exponent 1 at the error (mutation) threshold point. Results obtained from both methods agree quite well. From the unlimited correlation length feature, the first order phase transition isfurther confirmed. Finally with linear stability theory, we show that the two model systems are stable for all ranges of mutation rate. The Eigen model is asymptotically stable in terms of mutant classes, and the Crow-Kimura model is completely stable.     

改性锆钛酸铅温度诱导相变的热释电性

测量结果显示,Pb_0.99Nb_0.02［(Zr_1-xSn_x)_1-yTi_y］_0.98O₃在温度诱导相变时伴随有正的和负的热释电电流峰.电流的方向与相变类型有如下关系：铁电相向反铁电或顺电相转变时形成正的电流峰,反铁电相向铁电或顺电相转变时形成负的电流峰.按照铁电相与反铁电和顺电相之间存在静电势差的观点,可以很好地解释热释电电流的方向与 关键词： 改性锆钛酸铅化合物 温度诱导相变 热释电性     

快压法制备非晶聚醚醚酮的应变诱导结晶行为

利用快速增压和淬火2种方法分别制备了非晶聚醚醚酮(PEEK), 并利用二维广角X射线衍射(WAXD)研究了2种非晶样品在不同拉伸温度(T_d)和不同应变速率(v)条件下的结晶行为. 结果表明, 在相同拉伸温度及应变速率条件下, 快压样品的临界结晶应变明显低于淬火样品; 随着拉伸温度和应变速率的升高, 2种样品的临界结晶应变均逐渐降低; 在相同应变条件下, 拉伸温度对PEEK材料结晶度的影响很大, 而应变速率对其影响较小.     

Zn基片上ZnO及ZnS/ZnO复合纳米阵列的液相合成及发光性质

采用温和的溶液路线在Zn基片上合成了单晶态的ZnO纳米棒阵列、 纳米片阵列和ZnS/ZnO复合双层纳米棒阵列. 使用X射线粉末衍射仪、 扫描电子显微镜、 高分辨透射电子显微镜、 X射线光电子能谱仪等对产物的组成、 结构及形貌进行了表征. 讨论了表面活性剂在液相合成中对产物形貌的调控作用. 通过室温发射光谱的测定, 研究了所得纳米阵列材料的发光性质.