纳米级钡铁氧体的原子力显微镜分析及微波性能的研究

采用溶胶-凝胶法制备掺杂钡离子的纳米六角晶型铁氧体.采用X衍射仪对其物相进行鉴定,利用原子力显微镜对不同方法制得的试样粒径进行了分析研究,最后用网络分析仪对铁氧体在1～6 GHz范围内的微波性能进行分析,结果表明:实验制得粉体为M型钡铁氧体,利用乙醇分散的稀浓度的试样能在原子力显微镜下很好地观察到颗粒的粒径,其平均粒径为52.68 nm左右,并且实验制得的纳米M型钡铁氧体具有较大的介电损耗和磁损耗,具有良好的吸波性能.     

离子强度对P(HEMA-co-MMA)水凝胶溶胀性能及水的状态的影响

对甲基丙烯酸-β-羟乙酯(HEMA)与甲基丙烯酸甲酯(MMA)共聚水凝胶扩散行为、聚合物-溶剂相互作用及水的状态进行了研究。考察了不同NaCl离子强度下水凝胶平衡含水率、扩散系数及聚合物-溶剂相互作用参数的变化关系。研究结果表明,随着NaCl离子强度增大,平衡含水率降低,扩散系数下降,聚合物-溶剂相互作用参数升高。通过DSC测定了水凝胶中冻结水和非冻结水的组成。     

快压法制备非晶聚醚醚酮的应变诱导结晶行为

利用快速增压和淬火2种方法分别制备了非晶聚醚醚酮(PEEK), 并利用二维广角X射线衍射(WAXD)研究了2种非晶样品在不同拉伸温度(T_d)和不同应变速率(v)条件下的结晶行为. 结果表明, 在相同拉伸温度及应变速率条件下, 快压样品的临界结晶应变明显低于淬火样品; 随着拉伸温度和应变速率的升高, 2种样品的临界结晶应变均逐渐降低; 在相同应变条件下, 拉伸温度对PEEK材料结晶度的影响很大, 而应变速率对其影响较小.     

Zn基片上ZnO及ZnS/ZnO复合纳米阵列的液相合成及发光性质

采用温和的溶液路线在Zn基片上合成了单晶态的ZnO纳米棒阵列、 纳米片阵列和ZnS/ZnO复合双层纳米棒阵列. 使用X射线粉末衍射仪、 扫描电子显微镜、 高分辨透射电子显微镜、 X射线光电子能谱仪等对产物的组成、 结构及形貌进行了表征. 讨论了表面活性剂在液相合成中对产物形貌的调控作用. 通过室温发射光谱的测定, 研究了所得纳米阵列材料的发光性质.     

浅海波导中水平接收阵被动时反混响抑制方法研究

使用基于射线简正波异地混响理论建立的水平接收阵接收海底混响模型,提出了水平阵被动时反混响抑制方法。以水平接收阵接收回波信号的某一时刻作为开始,分别对其前一时刻和后一时刻的回波信号做时反算子分解获得两个混响子空间,将这两个混响子空间的平均作为该时刻的混响子空间的一个估计,然后利用投影处理来抑制该时刻接收信号中的混响成分。该方法可以在一定程度上克服由于海底粗糙引起的局部时间(距离)段内接收回波信号的不平稳性,使得估计得到的混响子空间更加接近真实混响子空间。因此,利用其进行被动时反混响抑制可以增强回波信混比,提高对目标的检测和方位估计能力。针对典型浅海波导环境开展的仿真验证了本文方法的有效性。      

一类三次Bent函数的二阶非线性度

研究了一类特殊形式的三次Bent函数,通过研究其导数的非线性度的下界,得到了该函数的二阶非线性度的下界.同时,将所得结果与一些特殊类型函数的二阶非线性度的下界进行了比较,这些特殊类型的函数都具有高的一阶非线性度.研究结果表明,所讨论函数的二阶非线性度大于这些已知函数的二阶非线性度的下界.     

TA2表面磁控溅射CNx/SiC薄膜的纳米压痕与摩擦磨损性能

采用室温磁控溅射技术在工业纯钛(TA2)表面制备出氮化碳/碳化硅(CNx/SiC)双层薄膜,SiC为中间层.研究了CNx薄膜的纳米压痕行为和摩擦磨损性能.试验结果表明:CNx薄膜的纳米硬度(H)为15.80 GPa,杨氏弹性模量(E)为130.88 GPa,硬度与弹性模量比值(H/E)为0.121;与φ4mm的氮化硅球对摩,在载荷1.96 N、室温Kokubo人体模拟体液条件下,CNx薄膜的磨损速率为10-6mm3/(m·N)级,摩擦系数约为0.124,磨损后薄膜未出现裂纹和剥落.分析表明,薄膜具有的良好抗磨性能与其H/E高、抗腐蚀性强以及摩擦系统摩擦系数低相一致.     

可储能原则在一类岩爆问题中的研究和应用

从能量的角度对一类岩爆问题--应变型岩爆进行一些探讨.对此类岩爆能量的来源、能量的去处及能量释放的原因和大小进行了完整的论述.提出了岩体的可储能原则--岩体可存储的能量并非定值,而是随应力状态的变化而改变,当应力发生突变,岩体内实际存储的能量大于可储能时,多余的能量必将以各种形式瞬间释放,其中包括动能.根据此准则对简化了的一维、三维模型进行了详细的分析和计算,并结合离散元软件3DEC再现了三维卸载岩爆的破坏过程.     

Relaxation Property and Stability Analysis of the Quasispecies Models

The relaxation property of both Eigen model and Crow-Kimura model with a single peak fitness landscape is studied from phase transition point of view. We first analyze the eigenvalue spectra of the replication mutation matrices. For sufficiently long sequences, the almost crossing point between the largest and second-largest eigenvalues locates the error threshold at whichcritical slowing down behavior appears. We calculate the critical exponent in the limit of infinite sequence lengths and compare it with the result from numerical curve fittings at sufficiently long sequences. We find that for both models the relaxation time diverges with exponent 1 at the error (mutation) threshold point. Results obtained from both methods agree quite well. From the unlimited correlation length feature, the first order phase transition isfurther confirmed. Finally with linear stability theory, we show that the two model systems are stable for all ranges of mutation rate. The Eigen model is asymptotically stable in terms of mutant classes, and the Crow-Kimura model is completely stable.     

低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟

应用单次碰撞的直接Monte Carlo方法计算能量范围从100 eV~10 keV的电子在固体Al,Si,Au表面的背散射系数,其中低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射截面分别应用Mott散射截面和Born近似下的广义振子强度计算模型得到.通过与压缩历史Monte Carlo方法的模拟计算结果及实验值的比较,结果表明,对于100 eV~10 keV范围的低能区电子,采用直接方法计算得到的电子背散射系数与实验值符合较好,直接方法比压缩历史方法更适合于能量在10 keV以下的电子输运计算.