平行双射流场纳米颗粒的形成与凝聚的研究

对平行双射流中H2SO4蒸气扩散进行了大涡模拟,给出了硫酸/水系统成核生成纳米颗粒及颗粒的凝聚过程中颗粒的分布特性,分析了燃料中硫的浓度、环境相对湿度以及射流Reynolds数对于颗粒浓度和粒径分布的影响．结果表明,硫酸/水系统会成核生成大量的纳米颗粒,在双管射流的中间和射流场周围,颗粒具有较高的浓度;颗粒的凝聚过程使颗粒的数量减少、直径变大;随着硫的浓度的增加,流场中的颗粒浓度有明显增加,而成核后形成的颗粒直径减小;环境湿度和Reynolds数的增大,有利于成核过程,因而导致形成更多的颗粒．     

在Freud正交多项式零点处的Gr\"{u}nwald插值算子的收敛性

设$W_{\beta}(x)=\exp(-\frac{1}{2}|x|^{\beta})~(\beta > 7/6)$ 为Freud权, Freud正交多项式定义为满足下式$\int_{- \infty}^{\infty}p_{n}(x)p_{m}(x)W_{\beta}^{2}(x)\rd x=\left \{ \begin{array}{ll} 0 & \hspace{3mm} n \neq m , \\ 1 & \hspace{3mm}n = m \end{array} \right.$的     

基于Bayes方法的诊断模型分析

文中证明了在Bayes框架下,当漂移参数7服从有信息先验时,在相当广泛的统计模型中,数据删除模型(CDM)和均值漂移模型(MSOM)的参数估计不相等,几个数值例子验证了相应的结论.     

虚光场在原子的周期衰变和回复效应中的影响

本文利用非相对论量子电动力学理论,研究了在旋波近似(RWA)和非旋波近似下与双光子场作用的二能级原子算符的时间演化规律,通过数值法和解析法论证了虚光场是原子的周期衰变和回复呈现量子噪声的根源,并且说明了可忽略虚光场对回复时间影响的原因。     

STUDY OF HIGH-LYING EXCITED STATES OF RARE-EARTH ELEMENT Dy BY LASER RESONANCE IONIZATION SPECTROSCOPY

This paper describes the investigation of high-excited states of Dy. which includes the measurement of high Rydberg states and autoionizing states, by means of laser resonance ionization spectroscopy (LRIS). Two high Rydberg series (n>40), 4f¹⁰(⁵I₈) 6sns and 4f¹⁰(⁵I₈) 6snd, have been obtained by exciting the state of 4f¹⁰(⁵I₈) 6s6p (³P⁰₂) ⁵I⁰₈ using two-step laser excitation-electric field ionization method. With the data obtained, we determined the first ionization potential of Dy. It is 47901.7±0.6 cm^-1, that is. about one order more accurate than the results given in the literature. Using the same technique, we found 97 autoionizing states by exciting the state of 4f⁹5d6s(⁷H⁰₇).     

质子探针在流体包裹体分析中的应用

本文着重阐述了质子探针无标样定量分析流体包裹体的方法原理、技术要点和分析时注意的问题。作者对我国斑岩铜矿石英中的流体包裹体进行了分析,还就国内外质子探针分析流体包裹体的现状进行了评述和展望。     

提取螺旋桨识别特征的二种途径

本文给出海上实验数据表明舰船噪声在几十赫以下频段有着很强的低频线谱,这些线谱与螺旋桨转速等工作特征紧密联系在一起.所以螺旋桨识别特征的提取除了从解调制谱线谱来得到外,还可直接从低频线谱来得到,本文讨论了在噪声中低频线谱和解调制谱线谱的检测性能,在噪声掩盖下,低频线谱的信号高度与信噪比成正比,而解调制谱线谱的信号高度随信噪比下降是非线性的,当信噪比大时下降得很慢,当信噪比小时下降得很快。     

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10¹⁵-10¹⁷cm^-3和俘获截面(10^-16cm²)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧     

电中性背景中二维电子气基态能的迭代计算

本文讨论了强磁场中局域电中性二维电子气的基态能的数值迭代计算方法。计算结果表明基态能随总角动量的变化曲线只在某些角动量处出现尖角。 关键词：     

V(100)表面上S和O偏析的LEED—AES研究

用AES,LEED等表面分析手段,对V(100)表面上杂质S,O偏析作了详细研究。明确了S,O偏析关系;发现(8×1)-O,(4×1)-O两个新的表面结构;系统观察和分析了V(100)表面在不同S,O偏析量情况下的各种表面超结构,并获得这些表面超结构的相互关系。 关键词：