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The diffusion of carbon atoms between the volume and the surface of (100) molybdenum is directly studied at temperatures between 1400 and 2000 K (i.e., at process temperatures) for the first time. The balance of carbon atoms in the system is determined. The difference in the activation energies of carbon dissolution and precipitation, ΔE=E s 1-E1s, is found for the case when the diffusion fluxes of dissolved and precipitated carbon atoms are in equilibrium. This difference defines the enrichment of the surface by carbon relative to the bulk. The experimentally found activation energy of carbon dissolution is Es1=3.9 eV. The activation energy of carbon precipitation is estimated at E 1 s=1.9 eV. The latter value is close to the energy of bulk diffusion of carbon in molybdenum. 相似文献
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红外光谱对碱土金属二元羧酸盐结构的研究 总被引:16,自引:2,他引:14
研究了三十种二元羧酸金属盐的红外光谱,讨论了金属离子和二元酸的种类对二元酸盐配位结构的影响。发现Mg盐、Ba盐,Sr盐为螯合配位,Ca盐,Zn盐中同时存在螯合配位和桥式配位,二元酸的种类对羧酸盐配位结构没有影响。对羧酸盐在常温和熔融后的栩位方式和结构上的差异的研究结果表明,Mg盐,Ca盐与Sr盐,Ba盐在熔融后的结构变化不同。 相似文献
114.
基于VAGUE集多准则决策的模糊TOPSIS方法 总被引:3,自引:0,他引:3
给出了V AGUE集之间距离的新定义,在此基础上,提出一个基于V AGUE集多准则决策的模糊TOP-S IS方法,它为决策系统提供了一个有用的工具,并通过例子阐明本文方法的有效性. 相似文献
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116.
117.
D. K. Kuznetsov I. S. Baturin V. Ya. Shur N. Menou C. Muller T. Schneller A. Sternberg 《Physics of the Solid State》2006,48(6):1174-1176
The effect of irradiation with electrons and neutrons and of exposure to synchrotron radiation on cyclic switching of polarization in thin films of lead zirconate titanate Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) was studied. It is shown that variations in the shape of switching currents are due to the generation of a spatially nonuniform bound internal field with account for an increase in the rate of bulk screening caused by irradiation. A correlation between structural variations and the evolution of the switching current measured during and after irradiation is established. 相似文献
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We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献
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本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
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