刚性方程组M~.(t)+C~.X(t)+KX(t)=F(t)解的探讨

讨论了刚性常微分方程组(1)的解析解和数值解,给出了解的一般形式和应用该算法的数值例子.     

复合材料弹侵彻混凝土靶的研究

 利用碳纤维复合材料壳体和金属弹头组成的复合弹体,对混凝土靶进行了高速侵彻实验,弹体分别以336、447和517 m/s的速度对强度为30 MPa、厚度为200 mm的混凝土靶进行正侵彻和30°斜侵彻。实验结果表明：碳纤维复合材料壳体具有较高的强度,在高速侵彻靶体的过程中弹体结构能够保持完整,复合材料壳体没有纤维分层和断裂产生。相对于同样结构尺寸的金属弹体（将复合材料壳体替换为密度7.8 g/cm³的金属材料）,复合材料弹填充物的质量分数（18.5%）约为金属弹体的两倍,因此采用轻质高强复合材料替代高密度金属弹身,不仅可以提高弹体装填比、增加比毁伤威力,而且还具有较高的侵彻能力。     

截面体与凸体的包含测度

本文建立了E^n中的凸体与其位似体的包含测度的相等关系，同时给出了凸体Minkowski和的包含测度的估计。最后证明了E^3中的关于原点对称的旋转椭球与其截面体相似的充要条件是K为以原点为心的球。     

基于遗传算法的项目经理评价

本文根据自然进化规则，把项目经理视为评价系统，项目经理所要满足的要求视为系统环境，用遗传算法的方法评价项目经理，力求提出一种比较客观科学的、且可以定量分析的项目经理的评价方法。     

土壤中酚的超声波提取

以合成土样为对象,研究了超声波辅助提取苯酚的条件及其提取效率。用中档超声波场辐射试样2×30s,30ml丙酮-正己烷(体积比1:1)分两次萃取10.0g合成土样中的苯酚,这时所获收率最高。在选定条件下用于实际土样分析,以索氏萃取4h的结果为对照基准,本方法的平均回收率为97.8％,RSD为1.5％。     

油田开发指标系统的概率模拟预测

基于油田开发指标系统的复杂性和其影响因素带有明显的随机特征,从理论和实用上研究了油田开发指标系统的不确定性预测方法.方法提出采用神经网络建立开发指标和影响因素的关联关系;利用微分模拟研究开发指标的影响因素的概率分布;使用蒙特卡罗方法对影响因素进行随机抽样;依据得到的关联关系和影响因素的随机样本建立油田开发指标的概率预测模型.此外,设计了概率模拟器.实例研究表明开发指标的预测值以某概率落在某个区间内,这可为决策者做出符合实际的决策和准备应急决策方案提供依据.     

有关拓扑学与覆盖粗糙集的一些结论

引入了拓扑覆盖的概念,并结合最小描述元对有限论域上的拓扑覆盖加于研究,得出了拓扑覆盖的最简覆盖和基与最小描述元之间的关系.介绍了在基于有限论域U上的覆盖,构造U上的一个拓扑的方法.并且在最小描述元的基础上将划分下的粗糙隶属函数推广至一般覆盖下的粗糙隶属函数,而后介绍了其相关运用.     

半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征

在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型，线性比例系数I/I₀实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数. 关键词：     

Near field acoustic solution of a rotating point source in frequency domain

I.IntroductionAerodyntalcnoiseofturbomaChinrynotoalythectstheenvironmentbutalsosometimesresultsinstructuredamage.Aeroacoustics,asaintewhsciPlineofacousticsandaerodynamics,isattractingmorandmoreatteDtionandresearch.TherearetwoimportalltcontentsonthenoiseproducingmechAnsmsinaeroacousticproblem.OneisaboutthesourcesofnoiseinturbomachinryGenetallytherearethreetyPesofsources:thickness,forceandturbulencestress,correspondingrespectivelyTomonopole,dipoleandquadruplesourcesThelatertwokindsofsourcesh…     

Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19,0.22,0.25,0.32）的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了Al_xGa_1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分（25%）范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×10¹³ cm^-2和1 680 cm²/（V·s）,方块电阻低至310 Ω/□。