1，4－二氟四苯基苯的合成、结构与构象

借助电子转移催化反应的方法，用电子给予体１，４－二锂四苯基丁二烯将惰性的三溴氟甲烷活化，并与之发生反应，产物１，４－二氟四苯基苯的结构经ＭＳ、ＮＭＲ和Ｘ射线单晶衍射确证，并以分子力学的方法对其进行了构象分析。     

高压下氢化锂晶体中的离子间力与结合能公式的原子分子设计

本文提出一种利用材料Hugoniot数据研究高压下离子晶体中微观离子状态及其离子间排斥作用势的新方法。对氢化锂晶体进行研究时,我们得到Li~+和H~-离子之间排斥作用势函数,结果表明文献〔1〕中提出的离子压缩效应具有客观性。     

New Synthetic Method for Industrial Manufacture of Glutaric Dialdehyde

A new synthetic method for the manufacture of glutaric dialdehyde is investigated. Glutaric dialdehyde was prepared by the addition-hydrolysis reaction of benzimidazolium salt with saturated dihalide as the di-Grignard reagent. The yield of glutaric dialdehyde by this method can reach 73%. Both infrared spectra and melting point of the compound were consistent with those reported earlier. Translated from Journal of Northwest University (Natural Science Edition), 2005, 35(2) (in Chinese)     

截断情况下线性回归模型响应变量均值的经验似然

本文讨论了在带有截断情况的线性回归模型中 ,响应变量均值的估计问题 .将经验似然的方法应用到带有截断情况的回归模型中 ,在估计响应变量的均值时构造了调整的经验似然统计量 ,证明了在一定的条件下 ,该统计量渐近服从 χ2 分布 ,给出了均值的置信区间 ,并与正态下得到的结果进行了比较 ,模拟的结果说明了经验似然的优良性 .     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

等厚双层涂层材料受集中力作用的平面问题理论解

界面应力的正确评价是分析薄膜涂层材料力学特性的难题之一。利用镜像点法和Dirichlet等值性原理，本文推导了等厚双层薄膜涂层材料受表面集中力作用的平面问题理论解。该显式理论解是以固定在各镜像点上的局部坐标系下的Goursat应力函数的形式给出的。对应于高阶镜像点的应力函数，可通过递推的方法，从对应于低阶镜像点的应力函数求得，而且也易于计算机编程。随着镜像点阶数的增大，它与界面的距离也越来越大，因而相对应的应力函数对界面应力的影响越来越小。最后的算例表明，只需考虑前面有限个镜像点，便可获得足够精度的解。该理论解可作为格林函数，以求解复杂问题的理论解，也可用作边界元法的基本解，提高数值计算的精度和效率。     

模余代数和Morita-Takeuchi关系

H是Hopf代数,C是H-模余代数。首先利用余积分的概念,诱导C的右H-余模结构,并构造了Smash余积余代数C×H,使C×H作为余代数同构于C H。然后,由C的右H-余模结构诱导C的左H0-模结构,令 C=C/KerεH0C,则C×H与 C有Morita-Takeuchi关系。     

含k-次增生算子的Ishikawa迭代的收敛性问题

主要研究了非线性方程x Tx=f的Ishikawa迭代解．其中T为k-次增生的或增生的，并在一致光滑和任意的实Banach空间分别研究了上述方程的带误差的Ishikawa迭代解，从而推广了已知的一些结果。