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191.
Pinning effect of lead lanthanum titanate (PLT) ferroelectric thin films with excess PbO of 20 mol% has been studied for deposition on diffe rent substrates. Silicon, sapphire and quartz were used as substrates on which P t/Ti or LaNiO3 thin films were deposited as bottom electrodes. Electron probe analysis results showed that there was still a certain amount of excess Pb in PLT films after annealing at 550 ℃ for 1 h, and the amount of it was dependent on the substrate used. The distribution of excess Pb in the films was investig ated by Auger electron spectroscopy depth profile. It was shown that the substrates and the bottom electrodes had significant effects on the content and distrib ution of excess Pb in PLT films. The excess Pb and its accumulation at the inter face between the film and bottom electrode may act as pinning centers and have a pinning effect on domains, which can be observed by abnormal P-E hysteresis loops and abnormal C-V curves. The excess Pb content in the films and the accumulation of Pb at the interface were high in PLT films deposited on Pt/Ti/S i, and considerable pinning effect was observed. As LaNiO3 would absorb most part of the excess Pb in PLT films, the content of excess Pb in the films deposited on LaNiO3/Si was very low and the pinning effect was hardly observed. 相似文献
192.
对具有扩散项的时滞Mcholson方程的行波解进行了研究.特别是考虑到生物个体在空间位置上的迁移,研究了具有非局部反应的时滞扩散模型.对于弱生成时滞核,运用几何奇异摄动理论,在时滞充分小的情况下,证明了行波解的存在性. 相似文献
193.
194.
195.
196.
航空公司在给定的运力和机队配置条件下,如何适应航线需求的不断变化而合理地分配运力,使航空公司的经营效益最大化是我国航空经营管理的一个重大课题.根据航班效益分析,在一定的经营时间,航行班次的条件下,建立一个航线贡献最大化的含有随机变量的动态规划模型.求解方法是先用M ON TE C ARLO方法计算机仿真把模型转化为非线性的整数规划.再用动态规划中资源分配算法求出模型的最优解,编排最优各航线规划. 相似文献
197.
198.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
199.
Cheng Lu ZHANG Xiao Lei ZHU Ying Ge MA Li Wei ZOU 《中国化学快报》2006,17(2):163-164
12-Hydroxy-13-methylpodocarpa-9, 11, 13-trien-3-one 9 was isolated from the twigs ofCroton salutaris1. Many diterpenes exhibit significant bioactivities, such as antibac-terial and antitumour and 9 has a rare structure. In order to study the relationshipb… 相似文献
200.
以可溶性聚酰亚胺为反应底物,经氯甲基化反应制得氯甲基化聚酰亚胺,再以氯甲基为活性反应中心,在聚酰亚胺侧链上接枝聚丙二醇单丁醚(PPG),从而得到PPG侧链修饰聚酰亚胺.所制备的产物结构经红外光谱和核磁共振氢谱得以证实.介电常数及吸附脱附测试结果表明:经过大体积侧链PPG修饰后,聚合物的介电常数明显降低,由3.147降低至2.976;比体积和比表面积增大.同时,所制得的聚合物具有优良的溶解性能,在微电子工业中易于加工应用. 相似文献