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采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义. 相似文献
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以单周期信号为例,数值模拟并讨论了注入频率和注入光场波动强度对主从式半导体激光器同步性能的影响。分别通过直接调制和外部调制两种方式获得单周期信号,并采用改进的参数——相似指数评价系统的同步性能。研究结果表明:当注入强度足够大时,系统实现注入锁定同步,外部调制的相似指数大于内部调制;注入强度恒定时,同步品质几乎不受调制指数的影响,而受调制频率的影响;由于内部、外部调制引起主激光器的输出反相,两种调制方式下同步品质随调制频率的变化趋势也相反。 相似文献
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改进了通过优化墙截面形状改善声学小房间低频响应的优化方法,实现了墙面阶梯形状宽度和深度同时优化。在60- 120 Hz频段对优化后房间频响随声源位置的鲁棒性进行了分析,并与未优化的房间比较。结果表明:对一个5×4.65×2.68 m3的小房间优化后,210个不同位置点声源所激励房间声场的频响标准偏差(SRD)平均值从未优化房间的9.66 dB下降为6.17 dB,频响最大偏离值(MD)平均值从未优化房间的41.27 dB下降为17.42 dB;SRD和MD值的标准差分别比未优化房间下降了44.8%和63.9%。证明了墙截面优化不仅能够使房间频响变好,而且小房间内频响对于声源位置的敏感程度也随着墙截面形状的优化而降低。通过运用优化的墙截面改善房间低频响应鲁棒性是有意义的。 相似文献
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采用激光粒度扫描仪测量了二元混合物铝热剂(Al+Fe2O3)原料的粒径分布,在电子显微镜下观察了铝颗粒、氧化铁颗粒的颗粒形状及两者按照化学配比混合后的颗粒接触状态。综合粒径分布和反应体系的化学配比关系,得到两种反应物的特征粒径和混合物的颗粒布局。根据特征粒径和颗粒布局,建立了该反应体系的等效细观模型,该细观模型能够保证得到与实际颗粒体系相一致的具有统计意义的孔穴结构。采用无网格粒子方法,数值模拟了铝热剂体系在不同冲击速度作用下,基本氧化铁颗粒排列形成的热点特征。研究表明,氧化铁三颗粒紧密排列的模式为形成单独热点的最基本排列,在平面冲击作用下,二元不同粒径的含能材料混合物形成热点的尺寸由初始孔穴尺寸确定,而热点温度受冲击速度影响较大。采用轻气炮对不同密度和配比的铝热剂进行了冲击点火实验,并将测量和数值计算结果进行了对比分析,结果表明,两者的定性结论吻合较好。 相似文献
930.
SONG JianJun YANG Chao ZHANG HeMing HU HuiYong ZHOU ChunYu & WANG Bin Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials Devices 《中国科学:物理学 力学 天文学(英文版)》2012,(11):2033-2037
In this study,the electron effective masses,including longitudinal,transverse,density-of-states and conductivity effective masses,have been systematically investigated in(001),(101) and(111) biaxially strained Si and Si1-xGex.It is found that the effect of strain on the longitudinal and transverse masses can be neglected,that the density-of-states masses in(001) and(110) biaxially strained Si and Si1-xGex materials decrease significantly with increasing Ge fraction(x),and that the conductivity masses along typical orientations in(001) and(110) strained Si and Si1-xGex.are obviously different from those in relaxed Si.The quantitative results obtained from this work may provide valuable theoretical references to understanding strained materials physics and studying conduction channel design related to stress and orientations in the strained devices. 相似文献