γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.     

第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

Orlicz范数下的Hardy-Hilbert不等式

给出了Orlicz范数下的Hardy-Hilbert不等式的一种形式,建立了当N-函数M(u)及其余N-函数N(u)均满足Δ′条件时Orlicz范数下的积分型及双级数型Hardy-Hilbert不等式.     

在可交换四元数空间中的双曲方程的特征边值问题

讨论了一阶和二阶双曲复方程的特征边值问题.对其中两种线性方程,分别在不同的情况下获得通解和可解条件.而对于拟线性的二阶双曲复方程,证明了解的存在性和唯一性.     

第二讲信息的产生与获得(下)

新的科学信息、发现自然规律，是科学研究永恒的主题．近代科学诞生之后的200年间，物理学已经形成了自身的传统，任何理论都必须接受实验的检验，理论导出的结果必须与以科学手段获得的自然信息一致，准确的自然信息在科学发展中起着决定性作用。人类活动每迈出新的一步，都会面临获取自然信息的新问题．在科学和技术领域前沿工作的科技工作者，随时关注着新的科学发现和技术发明，以创造性的智慧努力使它们用于获取更多的信息。     

属性区间识别理论模型研究及其应用

根据程乾生教授创立的属性识别理论模型[1] ,提出了属性测度区间的概念 ,建立了属性区间识别理论模型 ,并在自然科学学术期刊质量评价中进行了应用 .     

函数模拟法求解锥形模超塑挤压的力学场——超塑挤压解析理论之一

本文首次用模拟位移函数的方法,给出锥形模超塑挤压力学场的解析式以及应变、应变速率和应力的约束方程。由于实验选用的是典型超塑性合金ZnAl₅,所以结果有相当的包络性。即使对于非典型超塑性材料,这种方法亦有普遍意义。     

标准体系的比例型寿命使用期模型与分析

本文在基于标准被废除按比例进行时的标准体系使用期的两个新模型。首先给出了模型假设条件,然后定义了标准使用期。根据假设给出了两个模型条件下的标准使用期公式,最后通过数值示例说明了标准使用期的公式使用。     

中物院远红外自由电子激光实验研究

中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.     

Study on the Baryon State X Produced in the Process J／ψ→p＋X,X→p＋P

The decay process J/ψ→p X X→p P，where p,p and P are the proton,antiproton and pseudoscalar states,respectively,has been studied in terms of the angular distribution and the generalized moment analysis methods.The result shows that we can identify the spin,but cannot determine the parity of the baryon resonance state X produced in the process J/ψ→p X X→p P.