用于原子干涉仪的拉曼光的制备

原子干涉仪是利用原子物质波的特性而实现的干涉仪,广泛应用于精密测量领域.在原子干涉仪中,通过拉曼光对原子进行相干操作,拉曼光的质量直接影响着干涉仪的技术指标.基于注入锁定技术,采用普通半导体激光器、声光调制器,实现了功率、频率和位相稳定的拉曼光的制备,并对拉曼光的相位噪声技术指标进行了测试.     

Configuration of the valence neutrons of 17B

The reaction cross section of ~(17)B on ~(12)C target at(43.7±2.4)MeV/u has been measured at the Radioactive Ion Beam Line in Lanzhou(RIBLL).The root-mean-square matter radius(R_(rms))was deduced to be(2.92±0.10)fm,while the R_(rms)of the core and the valence neutron distribution are 2.28 fm and 5.98 fm respectively.Assuming a"core plus 2n"structure in ~(17)B,the mixed configuration of(2s_(1/2))and(1d_(1/2))of the valence neutrons is studied and the s-wave spectroscopic factor is found to be(80±21)%.     

二氮氧喹喔啉甲醛酰腙的分光光度法测定

室温下,二氮氧喹喔啉甲醛-γ-羟基丁酰腙()和二氮氧喹喔啉甲醛-水杨酰腙()分别在非水溶剂二甲亚砜(DMSO)中和KOH反应,转变成酰腙烯醇式负离子而显色。和的显色溶液分别在550nm和480nm波长处有最大吸收。从两种显色溶液的比色分析结果得到两个一元线性回归方程。酰腙的溶液:A=0.00225C-0.0080,r=0.999;浓度在7.500—300×10-4mg/mL范围符合比耳定律;酰腙的溶液:A=0.0563C-0.019,r=0.999;在1.00—30.0×10-3mg/mL的浓度范围符合比耳定律;此项研究为酰腙类化合物提供了一种较为方便的定量分析方法。     

Bichromatic Coherent Population Trapping Under Hanle Configuration

We report the observation of bichromatic coherent population trapping under the transition ^87 RbFg = 1 → Fc = 0 with two linearly polarized laser beams by means of a Hanle effect configuration. The mechanism behind this effect is identified, and numerical solutions for the pump rates equations are presented.     

金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布

本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（通常也称ＥＡＣＶＤ．即电子辅助化学气相沉积）方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构，并讨论其对成膜的影响．     

关于光学系统中空间关联函数的位相恢复问题

本文把文献[1]中提出的振幅和位相恢复问题的一般表述用于处理空间关联函数位相的恢复问题,类似于文献[1],得到了一组确定位相的方程,用该方程组和迭代求解法,可以求解空间关联函数的位相,但本文不假定传输矩阵R是幺正的。可以证明,如果R是幺正矩阵,在相干极限下,本文的方程组回到文献[1]中的相应方程。 关键词：     

非晶态合金FeTmB的磁矩和居里温度

本文系统地报道单辊液淬方法制备FeTmB(Tm=Ti,V,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,W)非晶态合金的磁性,讨论了3d,4d,5d元素的加入对非晶态FeB合金的磁矩和居里温度的影响。实验结果表明在非晶态FeTmB合金系中Fe原子磁矩都在2.0μ_B左右。Tm原子在非晶态Fe基合金中比在相应的晶态合金中显示更强的局域特性。Tm原子的磁矩与元素的外层电子数有关,IVB(Ti),VB(V),VIB(Cr),VIIB(Mn)族原子的磁矩分别约为4,5,4,3μ_B,Tm的磁矩与铁原子磁矩反平行耦合。合金磁矩随Tm含量的变化率dμ/dx与混合模型的计算值相符合。用虚拟束缚态讨论,得到IVB(Ti),VB(V)族元素的虚拟束缚态在费密面以上,VIB(Cr),VIIB(Mn)族元素的虚拟束缚态与费密面交迭。 关键词：     

单离子束技术概述

 对单离子束的发展和应用作了介绍。结合我国首台单离子束装置CAS-LIBB，综合讨论了准直器限流型和静电透镜聚焦型两种典型单离子束的技术结构。限流型结构简单但定位精度有限，聚焦型条件苛刻但可获得亚微米束，是单离子束发展的趋势。评估了前探测、全前置探测和后探测3种单离子束探测方式及其特点，研究了这3种探测方式对辐照离子的计数精度和单离子束品质产生的影响。对CAS-LIBB装置研制了光导型全前置探测器以提高计数精度和束流品质。最后设计了快速荧光在线检测技术方案。     

工业X射线机的射束均匀性检验

在与法国某公司的合作项目中,对射线机的性能做了充分的评估,针对工业X射线机射束均匀性的检验给出了实验内容、过程和结果分析。实验所用射线机分别为ISOVOLT320/13与XYD-225/10,两台设备的实验结果均符合该公司质控文件规定,满足黑度差不超过0.3的要求。定期对射线机进行射束均匀性检验,将有利于监测射线机的工作状态,以保证检测工作的准确性和一致性。     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.