首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   58200篇
  免费   3774篇
  国内免费   2567篇
化学   33629篇
晶体学   935篇
力学   2916篇
综合类   189篇
数学   5854篇
物理学   21018篇
  2023年   466篇
  2022年   863篇
  2021年   1094篇
  2020年   1142篇
  2019年   1127篇
  2018年   1203篇
  2017年   1152篇
  2016年   1694篇
  2015年   1391篇
  2014年   1830篇
  2013年   3124篇
  2012年   3292篇
  2011年   3785篇
  2010年   2598篇
  2009年   2551篇
  2008年   2945篇
  2007年   2821篇
  2006年   2554篇
  2005年   2129篇
  2004年   1879篇
  2003年   1618篇
  2002年   1542篇
  2001年   1780篇
  2000年   1405篇
  1999年   1259篇
  1998年   1015篇
  1997年   990篇
  1996年   948篇
  1995年   828篇
  1994年   818篇
  1993年   659篇
  1992年   711篇
  1991年   695篇
  1990年   619篇
  1989年   545篇
  1988年   559篇
  1987年   524篇
  1986年   468篇
  1985年   524篇
  1984年   527篇
  1983年   387篇
  1982年   423篇
  1981年   402篇
  1980年   349篇
  1979年   417篇
  1978年   388篇
  1977年   402篇
  1976年   396篇
  1975年   349篇
  1973年   345篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
61.
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon.  相似文献   
62.
The quantum states are presented in these processions of fabricating poly-Si films. Amorphous silicon films prepared by PECVD has been crystallized by conventional furnace annealing (FA) and rapid thermal annealing (RTA), respectively. It is found that the thin films grain size present quantum states with the increasing of the gas flow ratios of SiH4, H2 mixture, substrate temperatures, frequency power, annealing temperature and time.  相似文献   
63.
In the study of the behaviors of barriers in an enclosed field, one should take into account such phenomena as sound energy reflection, absorption, scattering and diffraction. Therefore, the study is much more difficult than that in free field. In this paper, sound barriers are classified into four kinds according to their size, number and shape. Each kind of barriers is modelled by a corresponding method based on a computer program—SOFIS. The program combines the ray-tracing technique and statistical method. The impulse response and some acoustical parameters such as sound pressure level at different positions can be calculated by the program, no matter there are a certain kind of barriers in the field or the field is empty. The ray-tracing program and the algorithms for various barriers are validated by the comparison between measurement and prediction of the reverberation room and the anechoic room of the Northwestern Polytechnic University.  相似文献   
64.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E11N.当N掺杂浓度达到 关键词: 压电调制反射光谱(PzR) xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜 分子束外延(MBE)  相似文献   
65.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110).  相似文献   
66.
双曲分布及其在VaR模型分析中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
谷伟  万建平  鲁鸽 《经济数学》2006,23(3):274-281
传统的计算V aR的R iskM etrics方法不能对市场风险分布的“厚尾”现象给出较为满意的刻画和计算方法.本文引入双曲分布及其算法并将双曲分布应用到V aR模型的计算之中,事实上通过对股票市场的实证研究表明,股票市场数据呈厚尾现象,用双曲分布对数据的拟合要比R iskM etrics方法假定的正态分布更符合金融市场数据的实际情况,故本文的结论与方法对金融风险管理和其他金融建模是有价值的.  相似文献   
67.
许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.  相似文献   
68.
Free-standing and supported hydrogenated amorphous carbon films (a:C–H) were prepared upon pyrolysis of the polymer formed by ethanolamine (EA) and citric acid (CA), under an ambient atmosphere at 300 °C. EA facilitates the formation of the macroscopic films, while CA is essential for obtaining the a:C–H microstructure, which comprises a mixture of sp2 and sp3 carbon. Received: 29 May 2001 / Accepted: 17 August 2001 / Published online: 20 December 2001  相似文献   
69.
FTIR光谱遥测红外药剂的燃烧温度   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文利用遥感FTIR光谱,对红外药剂的燃烧特性进行了研究。在分辨率为4cm^-1时,收集4700-740cm^-1波段的光谱。从HF等燃烧产物发射的分子振转基带精细结构的谱线强度分布,可以对燃烧温度进行遥感测定,并给出了燃烧温度随时间的变化关系,实验结果表明燃烧表面附近温度梯度很大,存在着急剧的变化温度场,同时也说明,在不干扰火焰温度场的情况下,利用遥感FTIR光谱对剧烈的、非稳态快速燃烧的火焰温度进行连续实时的遥感测量,是一种快速、准确、灵敏度高的测温方法,显示了它在燃烧温度测量、产物浓度测试以及燃烧机理研究等方面的应用前景。  相似文献   
70.
本文以一道题为例对研究性教学中的习题环节进行了实例研究.大致按照事件发生的顺序叙述以再现现场情景.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号