Back contact–absorber interface modification by inserting carbon intermediate layer and conversion efficiency improvement in Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cell

Carbon layers have been employed as intermediate layers between Mo back contact and Cu₂ZnSn(S_1–xSe_x)₄(CZTSSe) absorber film prepared by sol–gel and post‐selenization method. Carbon layers with appropriate thickness can significantly inhibit the formation of MoSe₂ and voids at bottom region of the absorber, and therefore reduce the series resistance remarkably. The conversion efficiency can be boosted by the introducing of the carbon layer from 6.20% to 7.24% by enhancement in short current density, fill factor and open voltage in comparison to the reference sample without carbon layer. However, excess thickness of carbon layer will worse device performance due to the deteriorated absorber crystallinity. In addition, the time‐resolved photoluminescence analysis shows that inserting the carbon layer with suitable thickness does not introduce recombination and lower minority lifetime. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)     

一种测量凹透镜焦距的方法

介绍了一种新的测量凹透镜焦距的方法：复合成象法。该方法通过凹透镜的两次成象过程中透镜位移的测量，再利用贝塞尔公式将凹透镜的焦距值间接测量出来，此方法的测量精度高，相对误差约为１％左右。     

同心圆环型场发射阵列阴极的粒子模拟

 模拟了同心圆环型场发射阵列阴极的特性。采用时域有限差分法计算了电场，利用Fowler-Nordheim方程计算锥尖处的发射电流，利用Lorentz方程计算了电子的运动轨迹。得到了微阴极电子的运动轨迹、相空间图以及电子束的发散度、亮度等，结果表明该结构能形成良好的聚焦电子束。     

高温退火处理下SiNx薄膜组成及键合结构变化

采用等离子增强化学气相沉积法, 以氨气和硅烷为反应气体, p型单晶硅为衬底, 低温下(200 ℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜. 在N₂氛围中, 于500–1100 ℃范围内对薄膜进行热退火处理. 室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si–N, Si–H, N–H键键合结构和Si 2p, N 1s电子结合能以及薄膜内N和Si原子含量比值R的变化. 详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FTIR和XPS光谱演化同薄膜内Si, N, H原子间键合方式变化之间的关系. 通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800 ℃时, SiN_x薄膜内Si–H和N–H键断裂后主要形成Si–N键; 当退火温度高于800 ℃时薄膜内Si–H和N–H键断裂利于N元素逸出和Si纳米粒子的形成; 当退火温度达到1100 ℃时N₂与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加. 这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数. 关键词： x薄膜')" href="#">SiN_x薄膜 Fourier变换红外吸收光谱 X射线光电子能谱 键合结构     

Harris公式和ab公式对超形变核转动带的适用性的比较

对A≈190区超变形转动带分别用Harris二参数公式和ab公式进行了系统分析.分析结果表明,与正常变形核动带的情况相似,Harris公式与实验有明显的系统偏离,而ab公式则与实验很接近,可以相当精确和方便地描述超变形转动带.     

利用NMR谱仪及模拟机实现量子算法

报道了利用NMR谱仪和NMR模拟机实现量子算法.以天然苯为样品,我们分别用500 M谱仪和NMR模拟机实现了量子D-J算法,Grover搜寻算法及受控非门(C NOT).通过比较实验谱和模拟谱发现二者能很好符合.利用NMR模拟机实现量子算法比用NMR谱仪更为方便、清晰.     

72Ge40的低激发态能级研究

用低本底反康谱仪(HpGe–NaI)和HpGe–HpGe的三参数符合γ–γ–T系统,对72Ga的衰变γ单谱、符合谱进行了研究,实验共获得2.3×10⁷个符合事件.根据实验结果建立了含有26个能级、87条γ射线的72Ga的衰变能级纲图,其中包含首次测到7条γ射线225.92、826.97、1349.71、1475.32、1667.91、2105.28、2247.39keV和4个能级3248.01、3396.27、3806.10、3864.56keVS并为2939.83keV能级和112.59、937.97、2402.25、2939.95keV4条γ射线的存在提供了证据;实验没有发现113.5、1155.7、1192.4keVγ射线和能级3307.1keV存在的证据。并把317.72keVγ射线的跃迁,由原来的能级3757.26keV跃迁到3439.51keV能级,改为3565.85keV到3248.01keV能级跃迁.     

相分离La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3薄膜体系中的交换偏置效应

在相分离La_0.33Pr_0.34Ca_0.33MnO₃薄膜体系中发现了大的交换偏置效应．在4 K时,交换偏置场的大小达到了约1 kOe．交换偏置效应可能源自薄膜内禀的电子相分离特性或薄膜的表面效应．交换偏置效应表现出强的温度、冷却磁场以及厚度依赖的关系．     

基于石墨烯纳米条波导边耦合矩形腔的等离子体诱导透明效应

为了减小器件尺寸、实现超快速响应和动态可调谐,研究了基于石墨烯纳米条波导边耦合矩形腔的单波段和双波段的等离子体诱导透明(PIT)效应,通过耦合模式理论和时域有限差分法从数值计算和模拟仿真两方面分析了模型的慢光特性.通过调节石墨烯矩形腔的化学势,同时实现了单波段、双波段PIT模型的谐振波长和透射峰值的可调谐性.当石墨烯的化学势增加时,各个波段PIT窗口的谐振波长逐渐减小,发生蓝移.此外,通过动态调谐石墨烯矩形腔的谐振波长,当石墨烯矩形腔的化学势为0.41—0.44 eV时,单PIT系统的群折射率控制在79.2—28.3之间,可调谐带宽为477 nm;当石墨烯矩形腔1, 2, 3的化学势分别为0.39—0.42 eV, 0.40—0.43 eV, 0.41—0.44 eV时,双PIT系统的群折射率控制在143.2—108.6之间.并且,整个系统的尺寸小于0.5μm~2.研究结果对于超快速、超紧凑型和动态可调谐的光传感、光滤波、慢光和光存储器件的设计和制作具有一定的参考意义.