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41.
Simon G. Bott Alan P. Marchand Dongxia Xing Rajesh Shukla Stephen James Obrey K. Venkatesan J. Narasimha Moorthy 《Journal of chemical crystallography》1997,27(11):661-665
NaBH4 reduction of a cage dione proceeds in a stereospecific fashion to give theendo,endo-diol. This reactivity is related to the crystal structure. 相似文献
42.
钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
检测W(Ⅵ)对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W(Ⅵ)的富集手段,检测方法概况作一综述,其中包括,荧光光谱法,分光光度法,原子发射光谱法,质谱法,动力学方法,极普法,化学发光法,中子活化分析及联用技术等。 相似文献
43.
在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂.
本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致. 相似文献
44.
45.
46.
CHEN Hongjia GAO Yun & SHANG Shikui Department of Mathematics University of Science Technology of China Hefei China Department of Mathematics Statistics York University Toronto Ontario Canada MJ P 《中国科学A辑(英文版)》2006,(11)
We use a fermionic extension of the bosonic module to obtain a class of B(0, A)graded Lie superalgebras with nontrivial central extensions. 相似文献
47.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
48.
49.
红外光谱对碱土金属二元羧酸盐结构的研究 总被引:16,自引:2,他引:14
研究了三十种二元羧酸金属盐的红外光谱,讨论了金属离子和二元酸的种类对二元酸盐配位结构的影响。发现Mg盐、Ba盐,Sr盐为螯合配位,Ca盐,Zn盐中同时存在螯合配位和桥式配位,二元酸的种类对羧酸盐配位结构没有影响。对羧酸盐在常温和熔融后的栩位方式和结构上的差异的研究结果表明,Mg盐,Ca盐与Sr盐,Ba盐在熔融后的结构变化不同。 相似文献
50.
We investigate the connection between the entanglement system in Minkowski spacetime and the black hole using the scaling analysis. Here we show that the entanglement system satisfies the Bekenstein entropy bound. Even though the entropies of two systems are the same form, the entanglement energy is different from the black hole energy. Introducing the Casimir energy of the vacuum energy fluctuations rather than the entanglement energy, it shows a feature of the black hole energy. Hence the Casimir energy is more close to the black hole than the entanglement energy. Finally, we find that the entanglement system behaves like the black hole if the gravitational effects are included properly. 相似文献