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51.
52.
一种锰铜压阻测量新方法   总被引:5,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
 简单分析了几种常用的恒流供电锰铜压阻测量方法,并对这些测试方法的特点和不足进行了讨论。最后介绍一种利用数字示波器进行高保真高精度测量的方法,利用此法不仅提高了压力测量的精度,并且把小阻值锰铜压力计的测量范围向低端扩展到0.17 GPa。  相似文献   
53.
I.IntroductionWhenastructurcvibratcs,itsvibratingsurfacewillmakesurroundingmediummovetogethcrwithit.Ifthernotionissofastthatthcmediumroundthestructureproduccaloca1contractionandcxpansionandthcypropagatefaraway,thesoundradiationisformed.Itispossiblctodcscribeanalytica11ytheradiationfic1dofsimplyandregularlyshapcdsourcessuchaspointsoundsourccs,spherica1soundsourccsandinflnite1engthllnearsoundsourccs,butitisa1mostimpossib1ctosolvetheradiationfiledbyanyanalyt-ica1methodforsourcesofvcrycomplicateds…  相似文献   
54.
郭云  王恩科 《中国物理 C》2006,30(5):417-422
在e-A深度非弹性散射过程中, 喷注穿过冷核介质时, 多重散射诱导胶子辐射会导致对碎裂函数的修正及喷注的能量损失.前期研究中关于计算e-A深度非弹性散射中胶子辐射振幅的两种方法: 螺旋振幅近似和微扰QCD严格计算都异常繁杂. 本文发展了一种新的方法, 可以方便计算出多重散射导致胶子辐射的振幅, 得到的碎裂函数的修正以及能量损失与严格计算的结果一致.  相似文献   
55.
中物院远红外自由电子激光实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.  相似文献   
56.
崔晓宝  杜祥楚 《应用声学》2002,(10):670-671,689
文章详细描述了航空兵机场塔台辅助指挥系统之通信分系统设计的特点与功能、硬件结构、软件设计原则以及接口通信协议等问题。该分系统设计已在航空兵塔台辅助指挥系统研究中得到应用 ,并达到了良好的控制效果。  相似文献   
57.
58.
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory.  相似文献   
59.
方允  罗洋城  何家忠 《大学物理》2002,21(10):11-12,42
求解电子运动的二阶微分方程,在旋转波近似下,介质在外场突然变化时产生的瞬态感应极化与外场同频,但相位总是落后,最大落后为π/2;振幅大小与初态有关,随时间按指数规律衰减,衰减快慢由介质的阻尼系数决定。  相似文献   
60.
红外光谱对碱土金属二元羧酸盐结构的研究   总被引:16,自引:2,他引:14  
研究了三十种二元羧酸金属盐的红外光谱,讨论了金属离子和二元酸的种类对二元酸盐配位结构的影响。发现Mg盐、Ba盐,Sr盐为螯合配位,Ca盐,Zn盐中同时存在螯合配位和桥式配位,二元酸的种类对羧酸盐配位结构没有影响。对羧酸盐在常温和熔融后的栩位方式和结构上的差异的研究结果表明,Mg盐,Ca盐与Sr盐,Ba盐在熔融后的结构变化不同。  相似文献   
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