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71.
Au/SiO2纳米复合薄膜的微结构及光吸收特性研究   总被引:5,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米多层薄膜.利用透射电子显微镜以及吸收光谱对Au/SiO2复合薄膜的微观结构、表面形貌及光学性能进行了表征和测试.研究结果表明:单层Au/SiO2薄膜中Au沉积时间小于10s时,分散在SiO2中的Au颗粒随Au的沉积时间的延长而增大;当沉积时间超过10s后,Au颗粒的尺寸几乎不随沉积时间变化,但Au颗粒的形状由网络状结构变为薄膜状结构.[Au(t1)SiO2(600)]×5多层薄膜在540-560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,且吸收峰的强度随Au的沉积时间增加而增强.基于修正后的Maxwell-Garnett (M-G)有效媒质理论,讨论了金属颗粒的形状对等离子共振吸收峰的峰位和强度的影响.模拟的吸收光谱与实验吸收光谱形状、趋势及吸收峰位相符合.  相似文献   
72.
樊恽 《中国科学A辑》1991,34(4):355-364
本文对特征P的基域F引入适当的Galois群T,讨论p置换模的Green环的Conlon比析在Galois群T作用下的动态,证明了在T作用下p置换模的Green环的不动点集重合于置换模的Green环。  相似文献   
73.
Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO2纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO2的沉积时间及SiO2的沉积时间一定而改变薄膜厚度时,多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明:具有纳米层状结构的Au/SiO2多层薄膜在560nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强,在Au颗粒浓度相同的情况下,复合薄膜光学吸收强度随薄膜厚度的增加而增强.但当金属颗粒的浓度增加到一定程度时,金属颗粒相互接触,没有观察到纳米层状结构,薄膜不显示共振吸收峰特征.用修正后的M-G(Maxwell-Garnett)理论对吸收光谱进行了模拟,得到了与实验一致的结果.  相似文献   
74.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词: 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁  相似文献   
75.
谢胜利 《应用数学》1991,4(3):23-29
本文讨论中立型大系统,获得了这类问题稳定性的一些充分判据,作为特殊情况,还得到了与[1-11]中相应的一些不同的结果.这些结果并不象文献[1]和[2]那样,要求a_(ii)的上界q_(ii)小于零.  相似文献   
76.
金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍,并对它们的应用前景作了展望。  相似文献   
77.
利用振幅调制器进行光电负反馈抑制激光强度噪声   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用振幅调制器作为抑制激光强度噪声的元件,首先对光电负反馈回路进行了简要的理论分析,然后利用该光电负反馈进行抑制激光二极管抽运全固化单频环形Nd:YVO4红外激光器强度噪声的实验。结果表明,在0-1MHz的低频段,强度噪声大幅度降低,最大降低约15dB。  相似文献   
78.
Three new polyoxygenated steroids, muricesteroid ( 1 ), and menellsteroids A ( 2 ) and B ( 3 ), were isolated from two species of the South China Sea gorgonian Muricella flexuosa and Menella verrucosa Brundin , respectively. The structures of these new compounds were elucidated on the basis of extensive spectroscopic analysis, chemical methods and comparison with known related compounds.  相似文献   
79.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.  相似文献   
80.
It is proved that the variety of relevant disjunction lattices has the finite embeddability property. It follows that Avron's relevance logic RMI min has a strong form of the finite model property, so it has a solvable deducibility problem. This strengthens Avron's result that RMI min is decidable. (© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)  相似文献   
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