提高单层GeSe对H2O气体传感性能的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H₂O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/?的外加电场能有效降低H₂O分子在单层GeSe的吸附能并使二者之间的电荷转移量增加11倍,显著提高了单层GeSe对H₂O分子的响应速度和敏感性.研究结果为进一步设计并制成二维GeSe基湿度传感器提供了理论依据.     

Cu掺杂β-Si3N4的力学性能和电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函的第一性原理方法研究了(Si_3-xCu_x)N₄(x=0,0.25,0.5,0.75,1)晶体的稳定性、力学性能和电子结构,分析了Cu掺杂对β-Si₃N₄力学性能的影响机制.结果表明,(Si_3-xCu_x)N₄为热力学稳定结构,Cu掺杂降低了β-Si₃N₄的稳定性.由弹性常数和Voigt-Reuss-Hill近似看出,(Si_3-xCu_x)N₄满足波恩力学稳定性判据,Cu掺杂使得β-Si₃N₄的体模量、剪切模量和杨氏模量降低,当x=0时,(Si_3-xCu_x)N₄的体模量、剪切模量和杨氏模量最大,分别为234.3 GPa、126.7 GPa和322.1 GPa.根据泊松比和G/B值判断出(...     

抗磁离子与氨基酸络合的NMR研究

用NMR测T₁法研究了Fe³⁺存在条件下,抗磁离子Zn²⁺、Cd²⁺、与丙氨酸的络合情况。顺磁离子使配体碳原子的纵向弛豫时间T₁明显缩短。加入抗磁离子后,由于配体竞争并将Fe³⁺置换下来,而大大加长T₁时间,根据弛豫时间的变化便可判断几种抗磁离子的相对络合能力。本文引入一个物理参数来表征抗磁离子的络合能力。     

ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视。利用半导体量子阱和超晶格可以制备出高速度、低闭值、小尺寸及室温工作的半导体激光器、光双稳器件等一系列光电子器件.     

热丝CVD生长金刚石薄膜研究

本文研究了热丝CVD方法生长金刚石薄膜过程中,衬底表面的损伤处理对金刚石薄膜光学性能的影响,以及膜中非本征杂质吸收对其红外光学特性的影响。     

计及污垢影响的换热器热优化

本文利用熵产生数方法研究了气体和液体传热介质的顺流、逆流换热器的热力学完善性，结果表明，如给定冷、热流体的入口温度，在综合考虑传热、流动阻力和污垢的情况下，可用优化方法确定其它参数。     

铽－甲基吲哚乙酰丙酮三元配合物发光过程研究

测定和分析了ＲＥ．Ｌ１．Ｌ２（ＲＥ＝Ｔｂ（Ⅲ）、Ｇｄ（Ⅲ），Ｌ１＝３Ｍ（３甲基吲哚－１－乙酰基丙酮），Ｌ２＝ＴＰＰＯ、Ｐｈｅｎ、Ｄｉｐｙ）三元配合物的荧光光谱、磷光光谱、磷光寿命及变温荧光光谱等．讨论了Ｔｂ（Ⅲ）与配体之间的能级匹配和Ｌ１与Ｌ２的三重态之间传能的问题，说明了影响这些三元配合物荧光效率的主要因素及其发光过程．     

ICP－AES同时测定土壤和沉积物中全硼与其它微量及常量元素

本文阐述了用Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ、ＨＮＯ３及ＨＣｌＯ４消化土壤及水系沉积物样品。其中磷酸的作用是避免在样品消化过程中硼的挥发损失。应用电感耦合等离子体发射光谱（简称ＩＣＰ－ＡＥＳ）同时测定样品中全硼及其它微量、常量元素的含量。该法具有高的准确度及精密度。方法快速、简便、适合土壤和沉积物的多元素测定。     

Subdifferential representation of homogeneous functions and extension of smoothness in Banach spaces

In this paper, we mainly consider proximal subdifferentials of lower semicontinuous functions defined on real Hilbert space and Clarke＇s subdifferentials of locally Lipschitzian functions defined on Banach space respectively, and obtain the generalized Euler identity of homogenous functions. Then, by introducing a multifunction F, we extend the smoothness of sphere and differentiability of norm function in Banach space.     

ZnSe晶体中Mn2+离子的能级

研究了ZnSe:Mn的光导激发谱.室温下观察列两个峰:4600Å和5380Å.还研究了4400Å及5200Å激发下光导与温度的关系.根据这些实验认为:Mn2+离子的第一激发态4T1,非常接近导带.理论上导出了5200Å激发下光导对温度的依赖.调节参数将理论与实验进行拟合.从选定参数中得出:Mn2+的4T1态位于导带下0.054eV.4400Å激发下光导与况度的关系用陷阱的作用解释.陷阱深度估计为0.4eV.