Finite-element calculation of the influence of interdiffusion on eigenstates in a GaAs/Al x Ga1-x As single-quantum-well structure

The influence of interdiffusion on eigenstates in an interdiffusion-induced GaAs/Al_xGa_1-xAs single-quantum-well structure is analysed numerically by the finite element method. In this approach, the confinement potential profile of the interdiffused quantum well structure is nonlinear and is modelled by an error function and, in particular, the nature of the effective mass of an electron is considered. The results show that the number of eigenstates and energy levels varies with the extent of the interdiffusion. Numerical results for the quasi-bound states in the quantum well structure with an applied electric field are also presented.     

优质GaAs/Si和AlGaAs/Si材料的MOCVD生长研究

用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温度生长外延层。得到了表面镜面光亮的优质GaAs和AlGaAs外延层。X射线双晶衍射仪测试GaAs外延层,其回摆曲线半峰宽是200孤秒,GaAs和AlGaAs外延层在77K温度下,PL谱半峰宽分别是17meV和24meV。     

表面约束稳态装置中高频离子声波的激发特性

高频离子声波由于Landau阻尼很大,一般难以激发。本文研究了表面约束稳态装置上高频离子声波的激发特性。实验表明,仔细控制放电参数可以激发起纯离子声波,密度涨落n/n_o最大可以达到7.5％。     

激光等离子体能量角分布及吸收定标律

主要研究激光平面靶等离子体发射能量角分布及吸收定标律。实验利用高斯型1.06μm激光脉冲,其能量为2～50J,脉冲宽度为0.3～2.2ns,靶面平均辐照强度为1.8×1013～1.1x10~(15)W/cm~2,光束以25°角入射。实验采用了Au、Ag、Ti、Al和C_8H_8等厚靶。用等离子体卡计测量靶面吸收的激光能量。用指数函数拟合实验数据,给出了吸收效率分别作为激光强度、脉冲宽度和靶材料原子序数的函数的定标关系式。这些关系式定性地与逆轫致吸收的理论关系式相一致。     

盐生盐杆菌灭活原生质体融合的研究

通过双亲灭活方法将二株具不同遗传学特性的盐生盐杆菌Ｊ７（含质粒，不产紫膜）和Ｒ１（产紫膜，不含质粒）进行原生质体融合试验．结果表明，在以３０％ＰＥＧ６００为助融剂，加２５ｍｍｏｌ·Ｌ－１ＥＤＴＡ条件下，４０℃保温１ｍｉｎ，获得融合率为０．７６×１０－５的融合子．这些融合子具有双亲菌株的某些特征，其中２２％的融合子既含有质粒又产紫膜，这些融合子对于进一步研究质粒与紫膜的关系，以及筛选高产紫膜的优良菌株，均有十分重要的价值．     

Pt-Pd /y-A120.催化剂氧化性能的研究‘

本文采用浸演法制备了一系列Pt-Pd/Y-AlzO,催化剂，并考察其对正己烷，正丁醉和苯的催化氧化性能.结果表明，Pt-Pd双组分催化剂对极性有机物正丁醉有很高的氧化活性，而对于非极性有机物苯和正己烷的氧化活性相对较差.对Y-AlzOa载体进行高温预处理后，催化剂对苯和正己烷的氧化活性有明显提高.     

用光谱学方法研究不同放电等离子体粒子约束

本文用光谱学方法研究在ＨＬ－１装置上ＬＨＣＤ及ＥＣＲＨ等离子体，弹丸注入等离子体，偏压电极与偏压孔栏等离子体粒子约束特性。结果表明：在弹丸注入使用正向偏压电极与偏压孔栏期间，等离子体粒子约束行到改善，较低密度下（＾ｎｅ＜２．０×１０＾１＾３ｃｍ＾－＾３），ＬＨＣＤ脉冲期间粒子约束得到改善；而当密度＾－ｎｅ大于２．０×１０＾１＾３ｃｍ＾－＾３时，等离子体约束变坏。ＥＣＲＨ脉冲期间粒子约束得不到改善。     

高纯金属镨中痕量稀土杂质的电感耦合等离子体原子发射光谱分析及光谱干扰的校正

本文提出了PGS-2型平面光栅光谱仪(色散率0.18纳米,二级光谱)与PlasmaTherm ICP-5000D射频发生器联用,乙醇预去溶方式进样,同时直接测定高纯金属镨中5个痕量稀土杂质元素的方法。并讨论了基体浓度对检出限的影响以及光谱干扰及其校正方法。当样品溶液中镨的浓度为5毫克/毫升时,测定下限分别为镧、钕和钐0.002%,铈0.003%和钇0.0005%。获得了良好的实验结果,其相对标准偏差为1.2-6.2%。     

Miniature InGaAsP/InP phase modulator for integrated opto-electronics

Miniature, etching ridge InGaAsP/InP Phase Modulator with highly efficient phase shifting efficiency of 60°/V.mm and 43°/V.mm for TE and TM modes, respectively, and 3 dB bandwidth of 650 MHz at 1.52 μm are reported. It is well suited for integrated opto-electronics. Some functions depending on bandwidth of the devices are discussed.